1. 字節(jié)啟動 Seed Edge,加碼 AGI 研究
?
據(jù)報道,1 月下旬,字節(jié)正式設(shè)立代號為“Seed Edge”的研究項目,核心目標(biāo)是做比預(yù)訓(xùn)練和大模型迭代更長期、更基礎(chǔ)的 AGI 前沿研究,Seed Edge 已擬定 5 大研究方向。據(jù)了解,Seed Edge 會先以虛擬項目組的方式運行,探索這些不確定性更強的研究方向。
?
字節(jié)跳動密集發(fā)布了多款 AI 大模型產(chǎn)品。就在昨天,字節(jié)跳動還推出了豆包大模型 1.5 Pro,增強了其綜合能力,在知識、代碼、推理、中文等多個測評基準(zhǔn)上,據(jù)稱綜合得分優(yōu)于 GPT-4o、Claude 3.5 Sonnet 等模型。
?
2. 傳OpenAI計劃本周推出ChatGPT新功能“Operator”
?
根據(jù)美媒周三 (22 日) 援引知情人士消息報導(dǎo),OpenAI 計劃于本周推出名為“Operator”的 ChatGPT 新功能,該功能將幫助用戶自動完成原本需要在網(wǎng)頁瀏覽器中手動處理的繁瑣任務(wù),例如餐廳預(yù)訂或旅行規(guī)劃等。
?
這項新功能將提供多種不同類型的任務(wù)選擇,包括餐飲、活動安排、送貨、購物及旅行等。在每個任務(wù)類型下,用戶還可以看到一些操作建議,這些提示會指引用戶如何進行操作。當(dāng)用戶輸入相關(guān)指令后,ChatGPT 的聊天介面將顯示一個小視窗,顯示瀏覽器及“Operator 代理”正在進行的操作過程。這個代理還會向用戶提出一些問題,譬如餐廳預(yù)訂的時間、多少人用餐等。
?
3. 傳谷歌計劃向Anthropic投資10億美元
?
消息稱,谷歌計劃向人工智能(AI)初創(chuàng)公司Anthropic進行新一輪超過10億美元的投資。Anthropic是OpenAI在AI基礎(chǔ)模型領(lǐng)域的主要競爭對手。
?
此前,1月初報道,Anthropic即將完成一輪由Lightspeed Venture Partners領(lǐng)投的20億美元融資,該公司估值定為約600億美元。報道稱,谷歌的新投資與Lightspeed的融資輪次是分開的。
?
4. 三星大幅削減2025年晶圓代工投資,下滑超50%
?
三星電子宣布大幅削減晶圓代工部門在2025年的設(shè)施投資,與上一年相比削減一半以上。三星晶圓代工已將2025年的設(shè)施投資預(yù)算定為5萬億韓元左右,較2024年投資的10萬億韓元大幅下降。
?
這一決定是在2021年至2023年大力投資之后做出的,在此期間,三星晶圓代工花費約20萬億韓元來擴大產(chǎn)能和推進技術(shù)。然而,在2024年10月的2024年第三季度財報中,三星電子已經(jīng)預(yù)測將采取保守的設(shè)施投資方式,稱“預(yù)計2024年的設(shè)施投資規(guī)模將減少,2025年我們將最大限度地利用現(xiàn)有的生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。”
?
5. Cadence宣布收購嵌入式IP平臺提供商Secure-IC
?
Cadence當(dāng)時時間1月21日宣布,已達(dá)成一項最終協(xié)議,收購嵌入式安全I(xiàn)P平臺提供商Secure-IC。
?
Cadence高級副總裁兼硅解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Boyd Phelps表示,在日益互聯(lián)的世界中,每塊半導(dǎo)體、小芯片和電子系統(tǒng)都將需要嵌入式安全,安全都是任何設(shè)計的基石。Cadence繼續(xù)投資于我們?nèi)娴腎P和設(shè)計服務(wù)組合,為客戶提供更完整的系統(tǒng)解決方案。Secure-IC經(jīng)過驗證的嵌入式安全I(xiàn)P和解決方案的增加,是我們致力于成為客戶SoC設(shè)計合作伙伴并交付最優(yōu)價值的又一例證。
?
6. SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域
?
近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。這些產(chǎn)品廣泛適用于光伏和風(fēng)能逆變器、儲能系統(tǒng)、電動汽車及充電設(shè)施、不間斷電源(UPS)以及感應(yīng)加熱和焊接系統(tǒng)等場景。
?
本次推出的QSiC? 1700 V高速平面型D-MOSFET系列具備高功率密度和緊湊的系統(tǒng)設(shè)計優(yōu)勢,顯著降低了整體系統(tǒng)成本。這一系列產(chǎn)品采用了高可靠性設(shè)計,內(nèi)置的體二極管能夠在高達(dá)175°C的環(huán)境下穩(wěn)定運行。此外,所有器件均經(jīng)過超過1900 V的高電壓測試和600 mJ的UIL雪崩測試,確保在長時間使用中的穩(wěn)定性和安全性。
?
今日看點丨字節(jié)啟動 Seed Edge,加碼 AGI 研究;SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列
- Agi(10214)
相關(guān)推薦
SemiSouth發(fā)布耐壓為650V和1700V的SiC制JFET
美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”,導(dǎo)通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:012675
3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究
大功率領(lǐng)域,能顯著提高效率,降低裝置體積。在這些應(yīng)用領(lǐng)域中,對功率器件的可靠性要求很高,為此,針對自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先,按照常規(guī)的評估技術(shù)對其進行了高溫柵
2024-01-04 09:41:542492
三菱電機1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:43847
羅姆推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC
在高耐壓范圍中,SiC MOSFET與Si-MOSFET相比,具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢。基于這些優(yōu)勢,當(dāng)SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC
2019-04-24 12:46:442331
東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊,助力實現(xiàn)尺寸更小,效率更高的工業(yè)設(shè)備
東芝電子宣布,推出兩款全新碳化硅(SiC)MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:212418
800V高壓平臺受關(guān)注,PI推出集成SiC MOSFET的車規(guī)級反激式開關(guān)IC
PI看到了電動車的這個發(fā)展趨勢,因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品,該產(chǎn)品采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC,將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:225689
東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化
中國上海, 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:551266
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別
從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET體二極管特性
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中,以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓,體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs=0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較
”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,這里給出了DMOS結(jié)構(gòu),不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征
的小型化。 另外,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動,從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
SiC-MOSFET有什么優(yōu)點
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品,但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此,沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
SiC-MOSFET的可靠性
MOSFET(SCT2[xxx[]系列、SCH2xxx]系列)中,柵極負(fù)偏壓的保證電壓為-6V。請注意,當(dāng)負(fù)偏壓大于-6V時,閾值可能進一步降低。交流(正負(fù))偏壓時,反復(fù)進行對陷阱的充放電,因此偏移
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET的應(yīng)用實例
研究開發(fā)法人科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)合作開發(fā),在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的產(chǎn)品。?超高壓脈沖電源特征?超高耐壓偽N通道SiC MOSFET?低導(dǎo)通電阻(以往產(chǎn)品的1
2018-11-27 16:38:39
SiC MOSFET DC-DC電源
`請問:圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西?芯片屏蔽罩嗎?為什么加這個東西?抗干擾或散熱嗎?這是個SiC MOSFET DC-DC電源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
SiC MOSFET SCT3030KL解決方案
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設(shè)計的影響。如圖1所示,與同類型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢
(MPS)結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)保持最佳場分布,但通過結(jié)合真正的少數(shù)載流子注入也可以增強浪涌能力。如今,SiC二極管非常可靠,它們已經(jīng)證明了比硅功率二極管更有利的FIT率。 MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
SiC MOSFET:經(jīng)濟高效且可靠的高功率解決方案
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET:1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ,均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn),加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
SiC功率器件SiC-MOSFET的特點
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品,但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此,沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】:功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
Microsem美高森美用于SiC MOSFET技術(shù)的極低電感SP6LI封裝
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開發(fā),經(jīng)設(shè)計提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感,同時實現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC MOSFET元器件性能研究
項目名稱:SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃:申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗,熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用,掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法,熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】基于SIC-MOSFET評估板的開環(huán)控制同步BUCK轉(zhuǎn)換器
是48*0.35 = 16.8V,負(fù)載我們設(shè)為0.9Ω的阻值,通過下圖來看實際的輸入和輸出情況:圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù),輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器
項目名稱:基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計劃:申請理由本人在電力電子領(lǐng)域(數(shù)字電源)有五年多的開發(fā)經(jīng)驗,熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)洹N?/div>
2020-04-24 18:08:05
為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
為何使用 SiC MOSFET
要充分認(rèn)識 SiC MOSFET 的功能,一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍,具有更高的電流密度,能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計更容易
業(yè)內(nèi)先進的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ,采用 一體化封裝 ,已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 (TO263-7L)中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
反激式轉(zhuǎn)換器與SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合顯著提高效率
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列,SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管,包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi),特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
淺析SiC-MOSFET
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
用于C2M1000170J SiC MOSFET的輔助電源評估板CRD-060DD17P-2
CRD-060DD17P-2,采用市售1700V碳化硅(SiC)MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計演示板。該設(shè)計采用1700V SiC MOSFET,采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝,占板面
2019-04-29 09:25:59
碳化硅模塊(SiC模塊/MODULE)大電流下的驅(qū)動器研究
開通問題,SiC MOSFET需要采用負(fù)壓關(guān)斷。采用高可靠性隔離電源模塊 MGJ2D121505SC將+12 V 的輸入電壓轉(zhuǎn)換為+15 V和-5 V。MGJ2系列 DC-DC 轉(zhuǎn)換器具有很高的隔離度和抗干擾性能,超低的耦合電容可以抑制干擾的影響。
2024-05-14 09:57:43
羅姆成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
設(shè)計中使用的電源IC:專為SiC-MOSFET優(yōu)化
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET:SCT2H12NZ(右)的導(dǎo)通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出,上述IC的柵極驅(qū)動電壓在每種MOSFET將要飽和前變?yōu)閂GS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴充產(chǎn)品陣容
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代,現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
驅(qū)動功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素?
請問:驅(qū)動功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素?
2019-07-31 10:13:38
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 09:29:312108
Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列,可支持1700 V IGBT
美國加利福尼亞州圣何塞,2017年5月16日 – 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道
2017-05-19 15:45:091086
微電子所在SiC MOSFET器件研制方面的進展
近日,中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室(四室)碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展,成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637
三張圖了解微電子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展
近日,中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室(四室)碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展,成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:002133
英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本
大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:003958
Littelfuse公司推出首款1700V SiC器件
Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173933
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET產(chǎn)品
今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:375887
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
支持電動和混合動力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:415073
英飛凌推出650V SiC MOSFET,低壓SiC市場競爭激烈
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504779
貿(mào)澤電子與SemiQ簽署全球分銷協(xié)議 分銷碳化硅電源產(chǎn)品組合
SemiQ SiC MOSFET模塊在高溫下的導(dǎo)通電阻較低,并具有出色的開關(guān)性能,可以簡化電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計,非常適合用于光伏逆變器、電源、電機驅(qū)動和充電站中的各類應(yīng)用。
2020-11-04 11:25:13534
采用1700V SIC MOSFET反激式電源參考設(shè)計板介紹
參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設(shè)計輔助電源而開發(fā)的。該參考板旨在支持客戶為三相系統(tǒng)設(shè)計輔助電源,工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:033066
深入解讀?國產(chǎn)高壓SiC MOSFET及競品分析
在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對國產(chǎn)SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件,在基于
2021-09-16 11:05:375000
東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊
?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025054
PI推出業(yè)界首款采用SiC MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC
Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件,為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:122161
如何有效地測量SiC MOSFET
和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關(guān)。這里的重點是如何有效地測量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:452151
具有1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)?
(SiC)初級開關(guān) MOSFET。這些新設(shè)備可產(chǎn)生高達(dá) 70 瓦的輸出功率,用于 600 和 800 伏電池和燃料電池電動乘用車,以及電動巴士、卡車和一系列工業(yè)電源應(yīng)用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:271665
瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的
相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件,為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計更簡單,成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:583686
IFX 1700V SiC 62W輔源設(shè)計資料
Infineon,最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計
2022-08-28 11:17:068
通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設(shè)計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時,應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-28 17:50:15772
Ameya360:安森美推出1700V EliteSiC MOSFET,提供高功率工業(yè)應(yīng)用
安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上,安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:19666
內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ的主要規(guī)格和功能
重點必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-規(guī)格篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計更容易支持自動安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:19762
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別
從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:201041
采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFET,采用4引腳封裝。此次共推出6款機型(650V耐壓和1200V耐壓)。
2023-02-09 10:19:222144
內(nèi)置1700V SiC MOS的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SCQ12xT-LBZ介紹
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:231093
SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),
2023-02-16 09:40:104443
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:571198
1700V!這一國產(chǎn)SiC MOS率先上車
前幾天,三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄(.點這里.),很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰,今天答案正式揭曉!
2023-06-14 18:19:551578
安森美M1 1200 V SiC MOSFET動態(tài)特性分析
之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響,作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供
2023-06-16 14:39:391034
碳化硅1700v sic mosfet供應(yīng)商
ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureRange:-40~150°CStatus
2022-03-04 10:51:05943
SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析
對于SiC功率MOSFET技術(shù),報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代,單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57851
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長等,對提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31598
東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化
點擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07533
SemiQ推出一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:251577
SemiQ推出采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:461340
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω,
2023-11-30 09:39:181797
Power Integrations推出具有快速短路保護功能的門極驅(qū)動器
PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器,新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04650
新型溝槽SiC基MOSFET器件研究
SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢,SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點
2023-12-27 09:34:561306
安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通過獨特設(shè)計確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性,在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片,產(chǎn)能充裕,供應(yīng)穩(wěn)定,性價比高。
2024-01-20 17:54:001574
英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00919
英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點
CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù),CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強,可靠性提高。
2024-03-22 14:08:35642
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
2024-04-17 14:02:49764
如何更好地驅(qū)動SiC MOSFET器件?
IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動電壓有助于降低器件導(dǎo)通損耗,SiC MOSFET的導(dǎo)通壓降對門
2024-05-13 16:10:17690
SemiQ 推出高頻、高功率 SiC MOSFET 模塊
SemiQ在其碳化硅(SiC)N溝道MOSFET產(chǎn)品組合中添加了一組全波H橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應(yīng)用而設(shè)計。它們針對超低開關(guān)損耗進行了優(yōu)化,從而提高了效率并降低
2024-05-13 11:04:54467
納芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列
納芯微近期發(fā)布了其首款1200V SiC MOSFET產(chǎn)品——NPC060N120A系列,該系列產(chǎn)品的RDSon值低至60mΩ,展現(xiàn)了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式,包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L,以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-05-13 15:27:39965
SemiQ汽車用SiC MOSFET 介紹
EVDC-DC轉(zhuǎn)換器SemiQ的SiC產(chǎn)品為汽車應(yīng)用提供一流的可靠性、質(zhì)量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的1200VMOSFET,旨在最大限度地提高效率。DC-DC轉(zhuǎn)換器對于維護電動汽車
2024-05-14 10:48:57288
SemiQ用于電動汽車快速充電的碳化硅
SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊和MOSFET能夠滿足高效率電動汽車快速充電設(shè)計的需求,具有一流的可靠性、質(zhì)量和性能。SiC模塊和分立封裝中的1200V二極管具有一系列電壓和電流,可為
2024-05-15 11:20:06376
SemiQ 1200V SiC MOSFET Module說明介紹
SiCMOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高效開關(guān)特性和SiC材料的優(yōu)異性能。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比
2024-05-16 11:16:58454
安世半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供選擇。
2024-05-22 10:38:31969
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊
近日,半導(dǎo)體器件領(lǐng)域企業(yè)SemiQ宣布,其QSiC?產(chǎn)品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS
2024-06-14 11:36:49436
SemiQ將S7封裝添加至其QSiC?高性能功率模塊系列
SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝,該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設(shè)計靈活性,能夠為新設(shè)計提供緊湊
2024-08-16 11:18:42323
SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別
SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:071973
PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日推出InnoMux-2系列單級、獨立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術(shù)制造而成,是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。
2024-11-05 13:40:57341
瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,具有低損耗、散熱性強等特點,讓系統(tǒng)設(shè)計更緊湊、更高效,組裝時能自動化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:20428
SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域
近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。
2025-01-22 11:03:22213
SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品
近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:5831
為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:4320
評論
查看更多