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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>今日看點丨字節(jié)啟動 Seed Edge,加碼 AGI 研究;SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列

今日看點丨字節(jié)啟動 Seed Edge,加碼 AGI 研究;SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列

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2022-07-29 08:07:271665

瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的

相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件,為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700VSiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計更簡單,成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:583686

IFX 1700V SiC 62W輔源設(shè)計資料

Infineon,最新1700VSiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計
2022-08-28 11:17:068

通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題

高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiCMOSFET推出,設(shè)計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時,應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-28 17:50:15772

Ameya360:安森美推出1700V EliteSiC MOSFET,提供高功率工業(yè)應(yīng)用

安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上,安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:19666

內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ的主要規(guī)格和功能

重點必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-規(guī)格篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計更容易支持自動安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:19762

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:201041

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFET,采用4引腳封裝。此次共推出6款機型(650V耐壓和1200V耐壓)。
2023-02-09 10:19:222144

內(nèi)置1700V SiC MOS的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SCQ12xT-LBZ介紹

“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:231093

SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),
2023-02-16 09:40:104443

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:571198

1700V!這一國產(chǎn)SiC MOS率先上車

前幾天,三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄(.點這里.),很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰,今天答案正式揭曉!
2023-06-14 18:19:551578

安森美M1 1200 V SiC MOSFET動態(tài)特性分析

之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響,作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供
2023-06-16 14:39:391034

碳化硅1700v sic mosfet供應(yīng)商

ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureRange:-40~150°CStatus
2022-03-04 10:51:05943

SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

對于SiC功率MOSFET技術(shù),報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代,單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57851

芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長等,對提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31598

東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiCMOSFET模塊,助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化

點擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅(SiCMOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07533

SemiQ推出系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET

為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:251577

SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究

SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:021125

SemiQ推出采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET

為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:461340

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω,
2023-11-30 09:39:181797

Power Integrations推出具有快速短路保護功能的門極驅(qū)動器

PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器,新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04650

新型溝槽SiCMOSFET器件研究

SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢,SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點
2023-12-27 09:34:561306

安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通過獨特設(shè)計確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性,在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片,產(chǎn)能充裕,供應(yīng)穩(wěn)定,性價比高。
2024-01-20 17:54:001574

英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00919

英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點

CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù),CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強,可靠性提高。
2024-03-22 14:08:35642

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
2024-04-17 14:02:49764

如何更好地驅(qū)動SiC MOSFET器件?

IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動電壓有助于降低器件導(dǎo)通損耗,SiC MOSFET的導(dǎo)通壓降對門
2024-05-13 16:10:17690

SemiQ 推出高頻、高功率 SiC MOSFET 模塊

SemiQ在其碳化硅(SiC)N溝道MOSFET產(chǎn)品組合中添加了一組全波H橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應(yīng)用而設(shè)計。它們針對超低開關(guān)損耗進行了優(yōu)化,從而提高了效率并降低
2024-05-13 11:04:54467

納芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列

納芯微近期發(fā)布了其首款1200V SiC MOSFET產(chǎn)品——NPC060N120A系列,該系列產(chǎn)品的RDSon值低至60mΩ,展現(xiàn)了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式,包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L,以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-05-13 15:27:39965

SemiQ汽車用SiC MOSFET 介紹

EVDC-DC轉(zhuǎn)換器SemiQSiC產(chǎn)品為汽車應(yīng)用提供一流的可靠性、質(zhì)量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的1200VMOSFET,旨在最大限度地提高效率。DC-DC轉(zhuǎn)換器對于維護電動汽車
2024-05-14 10:48:57288

SemiQ用于電動汽車快速充電的碳化硅

SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊和MOSFET能夠滿足高效率電動汽車快速充電設(shè)計的需求,具有一流的可靠性、質(zhì)量和性能。SiC模塊和分立封裝中的1200V二極管具有一系列電壓和電流,可為
2024-05-15 11:20:06376

SemiQ 1200V SiC MOSFET Module說明介紹

SiCMOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高效開關(guān)特性和SiC材料的優(yōu)異性能。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比
2024-05-16 11:16:58454

安世半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供選擇。
2024-05-22 10:38:31969

SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊

近日,半導(dǎo)體器件領(lǐng)域企業(yè)SemiQ宣布,其QSiC?產(chǎn)品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS
2024-06-14 11:36:49436

SemiQ將S7封裝添加至其QSiC?高性能功率模塊系列

SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝,該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設(shè)計靈活性,能夠為新設(shè)計提供緊湊
2024-08-16 11:18:42323

SiC MOSFETSiC SBD的區(qū)別

SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:071973

PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日推出InnoMux-2系列單級、獨立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術(shù)制造而成,是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。
2024-11-05 13:40:57341

瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiCMOSFET產(chǎn)品,具有低損耗、散熱性強等特點,讓系統(tǒng)設(shè)計更緊湊、更高效,組裝時能自動化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:20428

SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。
2025-01-22 11:03:22213

SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:5831

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:4320

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