飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機驅動設計者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關重要的三相電機驅動應用
2012-09-10 09:59:45
613 飛兆半導體已擴展和改進了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合，解決了DC-DC轉換應用中面臨提升功率密度的同時節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。
2013-01-08 17:04:441112 通過立足于超結技術創(chuàng)新和20多年的豐富經(jīng)驗，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進一步擴展其CoolMOSTM產(chǎn)品組合，推出全新PFD7系列，該系列不僅具備一流的性能
2020-02-14 18:50:132537 英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001360 該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片，可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關損耗和傳導損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。
2020-07-14 17:40:231316 URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2020-08-04 11:13:351227 半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達 800 A ，擴展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設計的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大
2023-08-07 11:12:56417 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431207 
英飛凌 | CoolSiC?器件為臺達雙向逆變器提供助力英飛凌科技股份公司的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺灣的全球領先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用，使得臺達電子向著利用綠色電力實現(xiàn)
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產(chǎn)品，這個新的產(chǎn)品家族的額定參數(shù)高于市場上的所有其他產(chǎn)品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
。依托其成本合算、節(jié)能高效和高功率密度的器件，英飛凌驅動著汽車電子的未來。 [/td][/tr]英飛凌汽車電子解決方案.pdf (3.17 MB )
2018-12-13 17:15:46
，對通信電源產(chǎn)品提出了高效率、高功率密度的客觀要求。同時新型高性能器件的不斷涌現(xiàn)與和軟開關技術的出現(xiàn)，客觀上也為通信電源的高效率，高功率密度設計提供了可能性。本文主要介紹了一臺1.8KW的高效率通信
2011-03-10 11:00:12
能量轉換元件如變壓器、儲能元件如電感及電容，達到高效率、高功率密度的要求。為求簡便，本文以下稱之電源轉換技術。電源轉換技術的發(fā)展著重在達到高功率密度及高轉換效率，即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉換
2018-12-05 09:48:34
射頻功率放大器被廣泛應用于各種無線通信設備中。在通訊基站中，線性功放占其成本比例約占1／3。高效率，低成本的解決功放的線性化問題顯得非常重要。因此高效率高線性的功放一直是功放研究的熱門課題。
2019-09-17 08:08:11
本文將對AB類與D類放大器進行比較，討論D類放大器高效率實現(xiàn)原理，并解釋了輸出為脈寬調制（PWM）波形時還可通過揚聲器聽到正常聲音的原因。
2021-06-04 06:37:20
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
描述PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
克服了上述問題，可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關電容器控制器內置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，用于驅動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
LTM4657是采用相同引腳配置的高效率微型封裝降壓器μModule器件系列中的一款產(chǎn)品。與LTM4626和LTM4638相比，它的開關頻率更低, 因此LTM4657在8 A輸出電流范圍內提供更高
2020-10-30 07:58:28
朝著更高功率密度、更高能效的功率轉換器設計方向前進，需要采用SuperSO8、S3O8 或DirectFET/CanPAK等全新封裝代替有管腳的SMD封裝或適用于低壓MOSFET的過孔器件。由于存在封裝
2018-12-07 10:21:41
PCB加工如何實現(xiàn)高精度和高效率的鉆孔呢？有哪些方法和步驟呢？
2023-04-11 14:50:58
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設計校正(PFC)和非對稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應用程序。在升壓PFC設計中，采用了GaNSense功率ic，以實現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
描述TIDA-01495 是一款具有低厚度（17mm 高）、94.1% 的峰值效率、高功率密度、通用輸入、24V 直流及 480W 輸出的消費級交流/直流電源參考設計。其電路具有
2018-10-15 09:37:43
描述 PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
單相異步電機如何才能實現(xiàn)高效率的工作
2021-01-27 07:48:07
解決方案來簡化您的設計，提高功率密度和可靠性了。在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉換產(chǎn)品組合。 更多電源類博文更多充電類產(chǎn)品TI更多視頻培訓原文鏈接：https
2019-07-29 04:45:02
功率密度本設計實現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標準足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
，高功率密度的電源模塊多采用國際流行的工業(yè)標準封裝，產(chǎn)品兼容性更廣。其次，產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小，只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三，技術指標有重大改善，特別是效率提高到90%.第四，產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
）5mm×6mm FET這類更新的方形扁平無引線（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
`該模塊在更小的空間里包含了各種智慧特性，簡化了下一代的服務器以及通訊系統(tǒng)的功率輸出，在下一代服務器以及通訊系統(tǒng)功率輸出應用中，在不斷縮小電路板可用空間中實現(xiàn)高效率與高功率密度是設計人員面臨的兩大
2013-12-09 10:06:45
，通過循環(huán)泄漏能量并將其傳遞到輸出端而不是耗散以實現(xiàn)高于傳統(tǒng)反激式轉換器的效率;最后可以實現(xiàn)更高的功率密度更低的開關能耗使開關頻率更高，使無源元件體積更小。銀聯(lián)寶科技推出新款開關電源芯片U6773S
2018-07-10 09:15:22
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
2023 年 3 月 2 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結合了瑞薩廣泛產(chǎn)品的全新“成功產(chǎn)品組合”——其中包括電動汽車（EV）充電、儀表盤
2023-03-02 14:29:51
%。對損耗的改善情況顯示在圖4中，尤其是在15A的峰值電流下的損耗降低得非常明顯。結論：TrenchFET IV產(chǎn)品用在同步降壓轉換器中，能夠提高整體的系統(tǒng)效率和功率密度。這些產(chǎn)品的更高性能還能夠實現(xiàn)更小
2013-12-31 11:45:20
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據(jù)雙向開關的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
2019-08-01 08:16:08
采用短或厚的導線實現(xiàn)低電阻連接，才能充分發(fā)揮SuperSO8封裝的優(yōu)勢。 實現(xiàn)更高功率密度和效率的芯片和封裝技術只有將高性能的半導體技術與最先進的封裝技術結合起來，才能滿足對更高效率和更高功率密度的需求
2018-12-07 10:23:12
怎樣去設計一種高效率音頻功率放大器？如何對高效率音頻功率放大器進行測試驗證？
2021-06-02 06:11:23
，高效率的特性。§可實現(xiàn)5V~20V以內任意電壓的恒壓輸出，100mA~5A以內的任意電流恒流輸出以及300mW~60W恒功率輸出。§讓負載通過USB PD協(xié)議對適配器進行編程，按照最佳供電效率的方式，給
2017-04-12 18:43:19
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎，將類似且互補的功能匯集到單一器件中的能力驅動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
近日，實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.宣布，擴展其面向Wi-Fi網(wǎng)關、機頂盒、路由器、企業(yè)級接入點的802.11ax產(chǎn)品組合。此次推出的集成模塊和高級濾波器的高效率產(chǎn)品組合可改善Wi-Fi覆蓋范圍，幫助實現(xiàn)外形更小巧的終端產(chǎn)品，并降低消費者、服務提供商和制造商的成本。
2019-09-04 06:00:03
，0.85V/25A PoL，PCB 面積為 40mm x 55mm在 0.85V/25A、500kHz 時 >82% 的高效率通過 PMBus 和 TI 的 Fusion GUI 進行自適應電壓
2022-09-27 06:47:49
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)
2022-11-07 06:45:10
（或更小尺寸）實現(xiàn)相同輸出功率量的約束，因此，對更高功率密度的需求已經(jīng)成為一種趨勢。TI的產(chǎn)品組合包括帶高電流、快速升降時間和延時匹配的柵極驅動器。參見表1。 分類設備描述升/降時間延時匹配 高電流
2019-08-07 04:45:12
新年伊始，設計師們似乎在永遠不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅動器如何幫助系統(tǒng)實現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅動器可以實現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結構來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術的發(fā)展這個改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571017 對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費賬單。
2011-07-14 09:15:132672 由于功率密度的增加，能量損耗的密度也更為集中。更高的效率就意味著更低的熱損耗。提高電源效率正在迅速成為提高功率密度時唯一可行的措施。本文討論的AC/DC電源，80%以上的效率
2011-09-29 11:30:581394 
在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統(tǒng)供電應用中，提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應對挑戰(zhàn)，飛兆半導體研發(fā)了智能功率級（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:011811 2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164 2017年6月30日，德國慕尼黑和紐倫堡訊—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。
2017-07-03 10:13:261770 全額定電流反并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源（UPS）。其他應用包括電池充電和儲能系統(tǒng)。
2018-05-18 09:04:001989 基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業(yè)電機驅動應用進行芯片優(yōu)化，實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關特性。
2018-06-21 10:10:4412361 Vicor公司日前宣布推出兼容 VITA 62 電源的全新電源系統(tǒng)產(chǎn)品系列，專為 3U 開放式 VPX 系統(tǒng)精心設計，可在堅固的傳導散熱底座中實現(xiàn)高效率和高功率密度。
2019-04-03 16:44:482518 N.J.-ANADIGICS公司的Warren宣布推出新系列4 mm x 4 mm高效率低功率（HELP）寬帶CDMA（W-CDMA）功率放大器（PA）模塊。 AWT6270，AWT6271
2019-09-15 17:24:002677 URB_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2019-10-22 13:48:241750 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網(wǎng)站上供應這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 全新的90W PoE產(chǎn)品組合符合IEEE 802.3bt標準，該標準將標準PoE功率提高了一倍以上，擴展了無線接入點和IoT無線網(wǎng)關的功能。該產(chǎn)品組合所提供的更高功率能力有助于實現(xiàn)PoE供電的5G小基站和數(shù)字化樓宇。
2020-03-18 09:20:232113 什么樣的MOSFET才適合儲能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲能系統(tǒng)輕松實現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251014 
不同的拓撲結構和電壓等級組合，有望成為下一代最佳性價比的MW級大功率T型三電平解決方案。 高效率、高可靠性 大功率T型三電平IGBT方案 當前光伏/儲能/風電等應用中，單機功率需求越來越大；同時基于整機效率和電網(wǎng)友好考慮，三電平變換器也在逐漸成為新的主流方案。與此同
2020-09-23 14:12:228253 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率
2021-03-01 12:16:022084 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:17
5 高效率高功率密度電力電子技術及案例分析
2021-07-22 09:59:285 英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301194 在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現(xiàn)更高功率密度，軟開關和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:451951 
CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現(xiàn)高功率密度。
2022-06-22 10:22:222876 
服務器容量和快速連接以進行實時數(shù)據(jù)傳輸。實現(xiàn)這一目標需要高效的服務器和電信開關電源 (SMPS)。不可避免地，SMPS 的輸出功率水平必須達到更高水平，同時保持相同的外形尺寸。這種苛刻的組合解釋了為什么功率密度變得越來越重要。除了性能之外，系統(tǒng)成本降低以及模塊化和設
2022-08-04 09:29:084193 
電力電子領域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:112783 
華為全新推出產(chǎn)品組合方案，以高性能資源池為基礎，助力國泰君安成為證券行業(yè)分布式核心交易的標桿。
2022-08-25 11:17:401730 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 本文將介紹實現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術創(chuàng)新、電路設計技術優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:59649 
為了適應業(yè)界對節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要，Nexperia大大改進了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結合了低RDSon和高ID，將功率密度基準設定為1 W / mm3以上。
2023-02-10 09:39:061313 
、儲能等新興領域提供更高效率、更安全、更綠色的電源管理方案和測試解決系統(tǒng)，攜手助力綠色中國夢 、雙碳目標的實現(xiàn)、大模型計算等。
2023-05-14 17:19:00753 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32564 、高可靠性和高質量的節(jié)能牽引應用。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其CoolSiC功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款
2023-06-22 10:14:43333 
以設計有源天線系統(tǒng)、遠程無線電單元和其他系統(tǒng)，以符合最新的 5G 要求并滿足不斷增長的數(shù)據(jù)傳輸和存儲需求。同時，TI 的無橋 PFC 拓撲、GaN 電源產(chǎn)品和接口 IC，可以幫助您創(chuàng)建更加可靠、節(jié)能且經(jīng)濟高效的商用通信電源整流器，并確保具備更高功率密度
2023-11-08 08:21:30159 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01311 技術的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農用車(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 應用提供比之前高八倍以上的功率密度。 ? 中國上海（2024 年 3 月 6 日）– 德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個全新的功率轉換器件產(chǎn)品系列，可幫助工程師在更小的空間內實現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功
2024-03-06 14:40:5378 
高八倍以上的功率密度。 上海2024年3月6日?/美通社/ --?德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個全新的功率轉換器件產(chǎn)品系列，可幫助工程師在更小的空間內實現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功率級采用熱增強
2024-03-07 16:03:04225 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45210 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574 英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29130
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論