? ? 在這篇文章中，我們華林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽極氧化物的設備，以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對其進行表征。眾所周知，在電場的影響下，當不同材料的表面相對于帶負電的電極帶正電時，氧化膜在表面上生長，這種電化學反應被稱為陽極氧化，在圖1中，顯示了老撾的原理方案，在空氣或任何潮濕的大氣中，探針和樣品表面通常被一層吸水薄膜覆蓋。當尖端足夠接近表面時，這些被吸收的層接觸并通過毛細作用形成電解質橋。在尖端施加負電壓時，尖端下方的鈦表面將發生電化學反應。

為了減小尖端和表面之間的水橋直徑，我們建議根據W和Ti的耐火化合物選擇特殊的硬涂層，為了達到所需的特性，開發了用于老撾的硅懸臂梁的TiOx和W2C涂層，使用了陰極電弧沉積技術，這種方法允許沉積表面粗糙度約為0.1nm的超薄連續非晶薄膜，低粗糙度是非常重要的，因為在氧化過程中表面形貌在幾納米內發生變化，其他低粗糙度薄膜沉積技術，如分子束外延也可以使用。

為了獲得老撾表面的尖端，我們使用了我們的標準，能夠執行定位軟件及其光刻選項。光刻窗口的一般視圖如圖所示3，使用我們的光刻軟件，可以使用網格板，用電腦鼠標點擊選擇不同的幾何圖形，并繪制點、線、正方形、矩形、圓形和弧形，偏置電壓及其脈沖持續時間也可以在很寬的范圍內變化，高達4096x4096點的高級分辨率模式允許用戶在大面積上書寫復雜的圖案，也可以加載位圖文件或商用文件。

圖4顯示了使用NANOLITHTM軟件的光柵模式老撾的典型示例，在加載位圖掩模之后，在掃描期間，在最小和最大掩模色調之間成比例地施加電壓，并且陽極氧化物生長到不同的高度，以給出幾納米尺度的浮雕。

傳統的壓電管掃描儀具有較大的殘余非線性和蠕變效應，這些干擾極大地影響了光刻操作的性能，在求解器PRO?AFM中，我們解決了這一關鍵問題，為了提高掃描性能，擴大儀器功能，增加了使用等效掃描儀技術的閉環控制，閉環等效器(CLE)掃描儀是工作掃描儀的外部雙胞胎，它有電容傳感器，可以記錄掃描儀在X、Y和Z尺寸上的實際運動。工作和等效掃描儀平行連接到輔助控制單元，然后再連接到SPM控制器，以提供運動同步和閉環控制的掃描。實驗表明，在閉環操作下，AFM顯著提高了表面圖案化的性能。