宜普宣佈推出一個高效無線電源展示系統,內含具高頻開關性能的氮化鎵電晶體。使用宜普的氮化鎵場效應電晶體是這種系統的一個理想解決方案,因為它所具備的性能可以在高頻、高
2012-08-16 10:22:161111 220V轉5V小體積方案采用TT119非隔離電源芯片來實現,些方案輸入端采用了DC全電壓模式,內部峰值電壓可達DC500V,方案輸出默認5V150mA和200mA。220V轉5V小體積方案外圍元件
2019-12-13 10:55:22
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后,即2008年,氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體(MOSFET)(在硅襯底上形成)得到推廣,但由于電路復雜和缺乏高頻生態系統組件,使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵電源設計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點擊下方內容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發的特點;納微半導體的GaNFast方案則可以通過高頻實現充電器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨,各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
鎵等技術,從而提高電源管理系統的效率和規模。(白皮書下載:GaN將能效提高到一個新的水平。) 尋找理想開關 任何電源管理系統的核心是開關,可以打開和關閉電源。它就像墻上的照明開關一樣,但是速度會
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中,功率密度是關鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限,設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術迭代。2018 年,氮化鎵技術走出實驗室,正式運用到充電器領域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統硅(Si)功率器件充電器一半大小,氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術,當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求,WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應用中的成功經驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統中的應用,WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換,德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
數據中心),或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備,均可受益于氮化鎵等技術,從而提高電源管理系統的效率和規模。(白皮書下載:GaN將能效提高到一個新的水平。)
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尋找理想開關
任何電源管理系統的核心
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀四大發明之一,半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長等優勢,是應用最多的激光器類別。氮化鎵激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。 與LDMOS相比,硅基氮化鎵的性能優勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率,將每單位面積的功率提高4到6倍,并且可擴展至高頻率。同時,綜合測試
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關?氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計?
2021-06-17 10:56:45
降低了產品成本。搭載GaN的充電器具有元件數量少、調試方便、高頻工作實現高轉換效率等優點,可以簡化設計,降低GaN快充的開發難度,有助于實現小體積、高效氮化鎵快充設計。 Keep Tops氮化鎵內置多種
2023-08-21 17:06:18
目前空間技術、計算機、通信及家用電器中的電源多采用高頻開關電源。開關電源的效率、體積、重量等指標均優于線性穩壓電源。開關電源的調整管工作在開關狀態,損耗小,效率可達75-95;穩壓電源體積
2013-08-07 15:58:09
公司最近給我安排了一個新的項目,180W的高頻LLC+有源PFC拓撲的開關電源,工作頻率達到了500k,要求工作的效率在93%以上(低壓),采用目前市面上較火的氮化鎵開關管,菜鳥求助設計此款電源需要注意哪些方面,特別是磁性元器件方面的選取。
2018-01-10 20:34:36
充電器變得高效起來,發熱更低,體積也縮小便于攜帶,推進了百瓦大功率充電器的普及,也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對柵極驅動電壓要求非常敏感,并且對布線要求也很高,這也導致了應用門檻較高
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢,并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達克證交所代碼: MTSI) (簡稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開發協議。據此協議,意法半導體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴大
2018-02-12 15:11:38
不同,MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點,又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢,采用硅來做氮化鎵襯底,與碳化硅基氮化鎵相比,硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現更低的電阻損耗,以及電子具備更短的轉換時間。總的來說,氮化鎵器件具備更快速的開關、更低的功率損耗及更低的成本優勢。由于氮化鎵技術在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
系列光隔離探頭現場條件因該氮化鎵快充PCBA設計密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最優方案的同軸延長線連接(通常推薦采用MCX母座連接,可最大限度減少引線誤差)。現場連接圖如下:▲圖1:接線
2023-01-12 09:54:23
高頻、軟開關拓撲進行了優化,通過FET、驅動器和邏輯的單片集成,創建了非常小并且非常快的易于使用的 “數字輸入,電源輸出” 高性能電源轉化模塊。內置驅動器以及復雜的邏輯控制電路,170mΩ導阻,耐壓
2021-01-08 17:02:10
`小體積 PD 18W方案非標, 可以做認證方案另有A+C 18W27W36W等 單路 雙路 非標/認證方案更多優勢方案歡迎聯系***,QQ 1850196407`
2020-01-08 17:23:36
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:氮化鎵發展技術編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
)行業標準。 SMPS ODM需要置身于滿足這些標準的先進半導體器件和主動組件的供應商網絡中。對于氮化鎵來說,在更關鍵的電子子系統之一,符合AEC標準的器件已經存在,即電源開關器件和柵極驅動器
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統的硅技術相比,不僅性能優異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中,傳統硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
,在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變,初級FET的一般損耗方程可以最小化,從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現,將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
,4H-SiC是500,而氮化鎵是900,效率非常高。另外,碳化硅具有2.8 MV/cm的絕緣失效電場強度,以及3.3 MV/cm的氮化鎵。通常,在低頻工作時,其功率損耗是絕緣失效電場的3倍,而在高頻時則是2
2023-02-23 15:46:22
和信號,一直是業界無法實現的。因為硅器件的開關速度太慢,而且存在驅動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉換器/隔離器,導致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢,氮化鎵充電器的充電器件運行速度,比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統的硅,可以在更小的器件空間內處理更大的電場,同時提供更快的開關速度。此外,氮化鎵比硅基半導體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比,氮化鎵器件輸出的功率更大;與LDCMOS和碳化硅(SiC)等功率工藝相比,氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅動器的設計 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設計的伺服驅動器如圖8所示。LMG3410是集成了驅動的GaN FET功率級芯片
2019-03-14 06:45:08
組件連手改變電力電子產業原本由硅組件主導的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性,能為高頻電源設計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優勢,因此在服務器、通訊電源及便攜設備充電器等領域
2021-09-23 15:02:11
(GaN)原廠來說尤為常見,其根本原因是氮化鎵芯片的優異開關性能所引起的測試難題,下游的氮化鎵應用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶,用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產品的電源,因電源穩定性
2023-02-01 14:52:03
功率器件在工業應用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
材料特性對比展開,通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置:示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步:電路設計和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能,有助消除死區時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵開關管來取代,一顆頂四顆,并且具有更低的導通電阻。通過使用氮化鎵開關管來減少硅MOS管的數量,還可以減小保護板的面積,使保護板可以集成到主板上,節省一塊PCB,降低整體成本。儲能電源儲能電源通常
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
本文介紹了一種基于AD、CPLD、串行閃存來實現的小體積的數據采集系統。與其他數據采集系統相比,該系統體積小,存儲器便于控制,易于升級存儲器的容量,能夠滿足一般的信號采集。不足是系統的采樣頻率不夠高,只能達到250kHz/S,不適于高頻信號的采集。
2021-04-07 06:48:52
以適當的注意,測試設備和測量技術引入的寄生元件,特別是在較高頻率下工作,可能會使GaN器件參數黯然失色,并導致錯誤的測量結果。 應用說明“高速氮化鎵E-HEMT的測量技術”(GN003)解釋了測量技術
2023-02-21 16:30:09
INN3365C使用。
貼片Y電容來自四川特銳祥科技股份有限公司,具有體積小、重量輕等特色,非常適合應用于氮化鎵快充這類高密度電源產品中。料號為TMY1102M。
特銳祥專注于被動元器件的研發、生產及銷售
2023-06-16 14:05:50
。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。通過導通電阻選擇器件內部氮化鎵場效應晶體管(FET)的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或導通電阻…
2022-11-10 06:36:09
實質上是一種開關管,相比傳統硅MOS管具有更低的導通電阻,更小的輸入輸出電容,開關速度非常快,可以支持更高的開關頻率。通過使用氮化鎵開關管,可以突破傳統硅器件的性能限制,生產出更高效率和更小體積的電源
2021-11-02 09:03:39
,氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件,使得單片式電源系統可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設計。集成功率級諸如EPC23102為設計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
LM1K24CA的特性是什么?求一個小體積可以防護DC24直流2KV的新方案
2022-01-14 06:48:36
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模,有可能實現嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
、設計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面,起到了極大的貢獻。
應用與技術營銷副總裁張炬(Jason Zhang)在氮化鎵領域工作了 20 多年,專門從事高頻、高密度的電源設計。他創造了世界上最小的參考設計,被多家頭部廠商采用并投入批量生產。
2023-06-15 15:28:08
,整合優勢資源,讓客戶更加方便地用上氮化鎵技術,獲得氮化鎵低開關損耗、高效率的優勢,降低充電器的能耗,節能減排助力“3060雙碳”戰略。茂睿芯年初發布了業界最小體積SOT23-6的高頻QR ACDC
2021-11-12 11:53:21
結構將擊穿電壓提高到了750伏。在這些器件中,氧化鎵實現高工作電壓相對容易,這一成績相當顯著;僅僅幾年,這種材料的研究就取得了長足進步,而氮化鎵的研究則花了幾十年的時間。 不過,在更快的開關電源應用中
2023-02-27 15:46:36
靈活應對不同的應用場景。2. 應用領域? 適配器? 充電器? AC-DC 開關電源. 特性? 集成氮化鎵直接驅動(6V DRV)? 集成高壓啟動(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于硅材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
會產生熱量。這些發熱限制了系統的性能。比如說,當你筆記本電腦的電源變熱時,其原因在于流經電路開關內的電子會產生熱量,并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導體材料,它的發熱量更低,所以
2018-08-30 15:05:50
隨著電源技術的發展,高頻開關電源控制從最初的模擬電路逐漸發展到微處理器、DSP等高集成度的控制器件,這些器件體積
2011-02-22 14:23:4247 集成1A開關的DN232-SOT-23開關穩壓器在小體積內提供高電流輸出
2021-05-16 09:42:405 本文基于光模塊標準和需求出發,介紹了TI多款小體積電源產品在光模塊里的應用及其在光模塊應用場景下的注意事項。
2022-02-15 13:36:352354 隨著PD快充技術的普及以及氮化鎵快充市場的爆發,消費類電源市場對高頻率、高效率、小體積的產品需求量日益提升。而在開發高頻率快充電源時,除了利用氮化鎵器件的高頻特性縮小變壓器的體積之外,氮化鎵快充的高頻特性也會帶來EMI的問題。
2022-07-19 09:07:074209 小體積電源在光模塊里的應用指導
2022-10-28 11:59:573 方案介紹
輸入電源:220V
輸入頻率:50HZ或60HZ
輸出電壓:12V
輸出電流:1A
單層板,可以雙層板打樣。
可以用做電源適配器。也可以當輔助電源使用。此電源可以改為小體積電源。元器件相對較少,成本也比較低。
2022-12-02 16:18:117 金升陽推出K12MT系列小體積非隔離POL電源
2022-12-08 19:55:47259 小體積溫控開關具有體積優勢、輕量化優勢、安裝方式優勢和空間利用優勢,能夠更好地滿足特定應用場景的需求。
2023-05-22 10:48:48210 ,安全可靠的各種元器件成為首選目標。深圳銀聯寶科技12W開關電源芯片U62153,六級能效認證,小體積低功耗,有利優化電路拓撲結構設計!12W開關電源芯片U62153為了
2022-11-21 09:21:01882 氮化鎵 30W A+C過認證方案:
可提供整套方案,價格有優勢,小體積,高性能。
2022-04-11 11:34:55357 基于 NCL2801+NCP13992 的一整套你所需要的方案: 適配于氮化鎵 (GaN) 開關器件,工作于高頻開關頻率場合下的小體積PFC LLC方案 。 NC L2801是安森美開關電源方案中PFC控制芯片家族的一員。內置谷底計數頻率返走(VCFF)、谷底開通等技術,提供優秀的總諧波失
2023-09-19 19:10:01381 在高集成度的控制系統上,電源模塊體積越做越小,但是小體積難以做到大功率。為滿足需求,致遠電子推出一款小體積、大功率寬壓輸入電源模塊,擁有比1W/3W產品更高的功率,比普通6W/10W產品更小的體積
2023-10-31 08:25:39239 SUNLORDINC順絡新研發新的小體積熱敏電阻以及方案應用
2023-10-31 16:18:30225 電子發燒友網站提供《電源適配器對器件的小體積要求.doc》資料免費下載
2023-11-15 11:48:171 然后再經過變壓器轉換為所需電壓或電流輸出的電源轉換裝置。它使用高頻開關器件如MOSFET、IGBT等來實現電源的開關控制,具有高效率、小體積、輕負載負波等優點。高頻開關電源的主要原理是通過開關器件的快速開關和斷開來控制電能
2023-11-16 11:22:46523
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