超導場效應管（Superconducting Field Effect Transistor，SFET）是一種新型的半導體器件，它結合了超導電性和晶體管的場效應特性，提供了低噪聲、低功耗和高速等優異特性。
2024-03-06 16:23:39
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，由于有導體存在，產生的電阻將會轉化為熱量。所以，導通電阻是場效應管發熱的主要原因之一。 2. 開關頻率發熱：逆變器是通過高頻開關來控制電路的，為了控制高頻開關的開關速度，場效應管必須具備快速開關速度的特點。在頻繁開
2024-03-06 15:17:20185 IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導體器件，它結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
場效應管，即場效應晶體管（簡稱FET），是一種電壓控制型半導體器件。
2024-02-20 15:31:17514 
是設計成功的關鍵。 為了滿足這些要求，開關模式電源系統的設計者需要從使用傳統的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉為使用其它器件，因為硅器件正在迅速接近其理論極限。 因此設計者需要考慮基于寬帶隙 (WBG) 材料的器件，如
2024-02-13 17:34:00657 
逆變器的場效應管發熱原因? 逆變器是一種將直流電轉換為交流電的裝置，常用于太陽能發電、風能發電等可再生能源系統中。其中，場效應管（MOSFET）是逆變器中的關鍵元件，負責開關直流電，實現直流電的變換
2024-01-31 17:17:01423 1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
舉例而言，一個結型場效應管，采用自偏置結構，即柵極和源極短接在一起源極也有一個電阻，在電源和漏極接一個負載，此時場效應管可以看做是一個互導放大器，壓控電流源，請問此時這種電路的輸入輸出電阻應該怎么求
2024-01-15 18:06:15
替代原有場效應管的替代品。本文將詳細比較分析2586場效應管和3205場效應管兩種常見型號的特性和性能，以確定3205能否替代2586。 一. 2586場效應管的介紹 2586場效應管是一種常見的N溝道MOS場效應管型號，廣泛用于低功率放大器、電源電路和數字邏輯
2024-01-15 15:49:57317
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅動方案，但是現在上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉化
2024-01-11 06:43:50
： 電源管理和變換器 GaN芯片主要用于電源管理和變換器領域，用于提供高效能的能源轉換，例如從交流到直流的轉換、高頻開關電源、電動車輛充電器和太陽能逆變器等。由于GaN芯片具有高電子遷移率和高電流密度能力，它們能夠提供更高
2024-01-10 10:13:19436 氮化鎵作為材料，而硅芯片則采用硅作為材料。氮化鎵具有優秀的物理特性，包括較高的電子與空穴遷移率、較高的飽和電子漂移速度和較高的擊穿電壓等，這些特性使得氮化鎵芯片在高功率、高頻率和高溫環境下表現出較好的性能。
2024-01-10 10:08:14511 氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 場效應管（Field Effect Transistor，FET）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件，其主要場效應管（Field Effect Transistor，FET）是一種廣泛應用
2023-12-28 14:53:31471 氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導體）管驅動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。GaN MOS管驅動芯片廣泛應用于功率電子
2023-12-27 14:43:23529 場效應管兩端并二極管有什么用處? 場效應管和二極管是電子器件中常見的兩類元件，它們在電路設計和應用中有著重要的作用。 一、場效應管的原理、結構和特點 場效應管是半導體元件中的一種，其工作原理基于電場
2023-12-21 11:27:16430 場效應管是一種常用的電子元件，其特點是控制端電流小、輸入電阻高、功耗低等優點，廣泛應用于電子設備中。場效應管的放大電路可以分為三種接法，包括共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路。本文將詳盡、詳實
2023-12-20 10:45:02806 FLK017XP型號簡介Sumitomo的FLK017XP芯片是一種功率砷化鎵場效應管，設計用于Ku頻段的通用應用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴格的質量保證計劃確保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統、衛星通信、點對點無線電和其他應用。
2023-12-15 18:11:44204 
Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統、衛星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛星通信
2023-12-15 17:43:45
如圖：這個N溝道場效應管，這樣接行不行？
2023-11-26 22:22:46
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應
2023-11-24 16:54:18632 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優點，被廣泛應用于通信、醫療、工業等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151092 鎵充電器的原理及優點。 一、氮化鎵充電器原理 氮化鎵充電器主要是利用氮化鎵半導體材料的高頻特性，實現高效、快速、安全的無線充電。它由兩個主要部件組成：一個無線發射器和一個無線接收器。 無線發射器 無線發射器由電
2023-11-24 10:57:461244 
Transistor，簡稱IGBT）是兩種常見的功率管件。它們在應用領域、結構、工作原理、特點以及性能參數等方面有著一些區別。以下是對這兩種管件逐一進行詳盡、詳實、細致的比較解釋。 1. 應用領域的區別： 場效應管主要應用于低功率放大、開關電路以及射頻和微波領域。由于它具有高輸出阻抗和低輸入電流，適用于高頻電
2023-11-22 16:51:143242 來滿足其特殊的要求。 GaN MOS管具有較大的開關速度和較低的導通電阻，使其能夠高效地工作于高頻和高功率條件下。這使得它們在許多領域中得到廣泛應用，例如電力轉換器、無線通信、雷達系統等。 然而，由于GaN MOS管的工作特性較為特殊，普通的驅動芯片往
2023-11-22 16:27:58854 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛星通信、微波射頻等領域。與傳統的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302303 如何區分場效應管的三個電極？場效應管可以算是三極管嗎？ 場效應管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種使用電場效應來控制電流的電子器件。它由源極（source）、柵極
2023-11-21 16:05:231292 電子發燒友網站提供《結型場效應管的工作原理.zip》資料免費下載
2023-11-20 14:45:56
3 場效應管是一種半導體器件，它可以用來放大或者控制電流 。根據結構的不同，場效應管可以分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOSFET）。其中，JFET是由一個pn結構組成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521226 
如何簡單判斷一個場效應管的好壞？ 場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應用于電子設備中的晶體管類型之一。要判斷一個場效應管的好壞，需要考慮其性能參數、制造
2023-11-17 11:41:30690 MOS管和場效應管有什么關系？對于初學者來說，這兩個名字常常讓人混淆，MOS管到底是不是場效應管？
2023-11-13 17:23:05756 
場效應管不導通，LED能亮嗎？
2023-10-17 07:09:53
眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統提高頻率運行，實現高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對EMI性能進行評估以滿足EMC法規（例如EN55022 B類標準）要求。
2023-10-16 14:32:451139 
場效應管(MOSFET)也叫場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33414 
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導體)氮化鎵產品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 
的通信和工業基礎設施等領域。氮化鎵場效應晶體管能夠以較低的系統成本，實現更小、更快、散熱性能更優、更輕便的系統。
2023-09-25 08:17:54422 
通信理論為基礎，以數字信號處理為核心，以微電子技術為支撐的新的無線電通信體系結構，是數字無線電的高級形式。首先介紹了軟件無線電的理論基礎，即帶通采樣理論，多速率處理信號技術，高效信號濾波，數字正交變換
2023-09-22 07:54:47
場效應晶體管簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。 一、場效應管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
結型場效應管和絕緣柵型場效應管的區別是什么？? 場效應管是一種半導體器件，利用半導體中電荷分布的特性控制電流的流動。常見的場效應管有結型場效應管和絕緣柵型場效應管，它們雖然在功能上有相似之處，但在
2023-09-18 18:20:512222 場效應管怎么測量好壞? 場效應管又稱為晶體管（transistor），是電子器件中常見的一種。在電子電路設計中，場效應管的主要作用是作為放大器和開關來使用。場效應管的好壞直接影響到整個電路的性能
2023-09-02 11:31:243310 場效應管MOSFET是mos管嗎？場效應管mos管的區別？場效應管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應管（FET）都屬于半導體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152542 場效應管的原理與作用 場效應管在電路中起什么作用？? 場效應管，也被稱為晶體管，是一種重要的電子元件。它由一個半導體材料制成，可以調節電流的流動，被廣泛應用于電路的放大和開關控制。 場效應
2023-09-02 11:31:132852 場效應管怎么區分n溝道p溝道? 場效應管是一種常見的半導體器件，可以用于電子器件中的信號放大、開關等應用。場效應管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們
2023-09-02 10:05:176875 場效應管常用驅動芯片有哪些？ 場效應管（FET）是一種可以控制電流的半導體器件，是現代電子技術中應用廣泛的一種器件。在這種器件中，輸入電壓可以控制輸出電流的大小，因此可以應用在很多電子電路中。而為
2023-08-25 15:47:392608 工作原理 場效應管（FET）是一種三極管，可以通過改變柵極電壓調節源極和漏極之間的電阻。場效應管的原理是利用電場控制載流子濃度，其主要特點是輸入電阻大，高頻特性好。場效應管可以分為N溝道和P溝道兩種結構。 可控硅（SCR）是一種雙
2023-08-25 15:41:381547 氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
場效應晶體管簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
2023-08-18 16:01:28591 
結型場效應管柵極反偏但仍有電流，MOS場效應管柵極絕緣，沒有電流。
2023-08-17 09:19:34616 
場效應管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子器件。
2023-07-28 10:06:295254 
無線電視系統的設計依賴于一些關鍵的技術和構建模塊。FPGA技術可以在無線電視應用中發揮重要作用
2023-07-10 16:58:56246 
深圳市三佛科技有限公司供應NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片，原裝，庫存現貨熱銷 NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片特性集成高壓啟動電路，帶停電檢測集成X2電容放電
2023-07-05 15:38:22
1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發明了晶體管，屬于雙極型晶體管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶體管還有另外一個分支，叫場效應管（Field Effect
2023-06-29 09:21:342017 
1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發明了晶體管，屬于雙極型晶體管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶體管還有另外一個分支，叫場效應管（ Field Effect
2023-06-28 08:39:283644 
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設計。集成功率級諸如EPC23102為設計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
efficiency
65.3%
71.8%
表1：基于Si和氮化鎵器件逆變器的系統的效率比較。扭矩和速度用傳感器測量。
表1展示出當基于硅器件的 20 kHz 逆變器轉為采用氮化鎵器件的100 kHz 逆變器
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
還記得，數年前，第一次在民用層面大量出現無線充電的時候，我們大部分人都被這樣的“黑科技”所震驚。 時至今日，從前只能在科幻電影中看到的場景，都在逐一成為現實，而無線電源、無線充電等應用早已進入我們家
2023-06-20 10:50:03347 氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
33μF400V。
另一顆規格為47μF400V。
差模電感采用磁環繞制，外套熱縮管絕緣。
橙果這款65W氮化鎵充電器內部采用兩路PI的電源芯片，對應兩顆不同大小的變壓器，組成兩路快充電源。其中
2023-06-16 14:05:50
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態系統組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
% 的能源浪費，相當于節省了 100 兆瓦時太陽能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統層面的能源利用率的提高。當我們發現，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產制造環節減少80
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
、設計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻。
應用與技術營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設計。他創造了世界上最小的參考設計，被多家頭部廠商采用并投入批量生產。
2023-06-15 15:28:08
包含關鍵的驅動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統半橋解決方案中相關的能量損失、成本過高和設計復雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現了電力電子領域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
場效應管可以分成兩大類，一類是結型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
無線電技術不斷發展，以應對通信挑戰。例如，UHF信號作現場的障礙物（例如墻壁和建筑物）衰減。現代戰術無線電通過使用多進多出（MIMO）方法克服了這一挑戰，將單個信號分成幾個占用更高帶寬的信號。
2023-05-20 16:53:42611 
場效應管是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34847 場效應晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041366 
場效應晶體管是依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:081509 
、磁性材料廠商如何應對及未來第三代半導體材料發展趨勢和難點。 編者按： 以氮化鎵為代表的第三代半導體材料可使得器件適用于高頻高溫的應用場景。氮化鎵的特性成為超高頻器件的極佳選擇，主要應用在服務器電源、數據中心、
2023-05-08 15:43:35504 
可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。 電力場效應管的結構和工作原理 電力場效應晶體管種
2023-05-01 18:36:131102 
場效應管是在三極管的基礎上而開發出來的。三極管通過電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場效應管是通過輸入電壓控制輸出，不消耗功率。就其性能而言，場效應管要明顯優于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設計合理，采用場效應管會明顯提升整體性能。兩者對比如下表。
2023-04-17 11:53:131411 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優點。與傳統的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 在電源領域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設計，加強器件可靠性，降低系統成本，納微半導體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021193 
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統控制器的戰略性集成， 實現易用、高效、可快速充電的電源系統 美國加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723 
，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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