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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源設計應用>三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊

三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊

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2018-12-04 10:14:32

怎樣去設計一種大功率電動汽車充電機?

怎樣去設計一種大功率電動汽車充電機?
2021-05-13 07:16:52

搭載SiC-MOSFETSiC-SBD的功率模塊

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFETSiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18

新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電紅外熱點定位+FIB解析

金鑒出品】新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電紅外熱點定位+FIB解析碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢,可以突破現(xiàn)有電動汽車電機設計上因器件性能而受到的限制,這是目前國內(nèi)外電動汽車電機領域研發(fā)
2018-11-02 16:25:31

有效實施更長距離電動汽車SiC功率器件

雖然電動和混合動力電動汽車(EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC)襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45

消除有關電動汽車充電的11個誤解

使用。此外還有第方充電站網(wǎng)絡運營商,這些運營商既不是電力公司,也不是電動汽車原始設備制造商。第 5 種不實傳言:高功率級別充電器功效更高電源拓撲、控制方法、設計和元件選型對充電器的整體功效有重大
2022-11-03 07:45:06

混合電動汽車電動汽車的功能電子化方案

日益嚴格的能效及環(huán)保法規(guī)推動汽車功能電子化趨勢的不斷增強和混合電動汽車/電動汽車(HEV/EV)的日漸普及,這加大了對高能效和高性能的電源和功率半導體器件的需求。安森美半導體作為汽車功能電子化的領袖
2019-07-23 07:30:07

用于三相電機驅(qū)動的L6386 MOSFET功率驅(qū)動器評估板AN1315

AN1315,用于三相電機驅(qū)動的L6386 MOSFET功率驅(qū)動器評估板。 L6386,用于三相電機驅(qū)動的MOSFET功率驅(qū)動器。三相演示板是用于評估和設計高壓柵極驅(qū)動器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07

用于汽車應用的碳化硅MOSFET功率模塊

  HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模塊,采用業(yè)界公認的汽車封裝,針對牽引逆變器和電機驅(qū)動器進行了優(yōu)化。為了提供汽車級HPDSiC功率模塊
2023-02-20 16:26:24

碳化硅SiC技術(shù)導入應用的最大痛點

功率開關技術(shù)也是如此,特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經(jīng)從5年前的商業(yè)起步躍升到今天的第代,價格已與硅開關相當,特別是在考慮到連鎖效益的情況下。  隨著電動汽車、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47

羅姆成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

本半導體制造商羅姆面向工業(yè)設備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12

設計基于SiC-MOSFET的6.6kW雙向EV車載充電器

]。雖然優(yōu)化了OBC的整體效率,但是1200V SiC MOSFET的成本很高。高直流母線電壓也會增加PFC MOSFET和PFC扼流圈的功率損耗。840V直流鏈路設計需要兩個串聯(lián)的500V450V
2019-10-25 10:02:58

車用SiC元件討論

: 電動汽車工作原理示意圖圖2是眾人所熟悉之矽和寬帶隙材料(SiC,GaN)的比較圖。在開關頻率還不是重點的汽車應用中,卓越的驅(qū)動性能和寬廣的工作溫度范圍,讓SiC成為電動汽車設計者的首選功率元件。圖
2019-06-27 04:20:26

采用全SiC模塊解決方案的10kW 3級UPS逆變器可實現(xiàn)高效率并減小尺寸和重量

地進行比較,10 kW是合適的輸出功率,因為??該系統(tǒng)將為三相,易于操作并且非常適合可用SiC器件的額定功率。此外,通常需要1200 V的擊穿電壓,其中有多種選擇,可從不同的拓撲和電平中進行選擇,例如半
2019-10-25 10:01:08

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴充產(chǎn)品陣容

。與此同時,SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現(xiàn)更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50

重慶市長期高價回收各種英飛凌IGBT型號模塊

英飛凌IGBT模塊FF300R12ME4 300A,1200V,IGBT4,螺栓型 EconoDUAL3 ?江蘇求購英飛凌IGBT模塊FF450R12ME4 450A,1200V,IGBT4,螺栓型
2021-09-17 19:23:57

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

IGBT 的三相電機半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級,并能夠監(jiān)控和保護各種故障情況。圖1:電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05

CISSOID 向 Thales 交付首個碳化硅( SiC智能功率模塊

  比利時,蒙-圣吉貝爾—— 2016 年 4 月 15 日。高溫及長壽命半導體解決方案的領先供應商CISSOID公司宣布,向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首個三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模塊(IPM)原型。
2016-04-15 17:23:471873

科銳Wolfspeed突破性動力傳動技術(shù)為電動汽車帶來性能突破

科銳(Nasdaq: CREE)旗下Wolfspeed于近日宣布推出最新第三代1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)系列,為電動汽車動力傳動系統(tǒng)帶來性能突破。
2018-07-19 10:17:593499

Wolfspeed推出適用于電動車充電器的1200V 450A全碳化硅半橋模塊

日前,Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半橋模塊CAB450M12XM3,該產(chǎn)品可最大限度地提高功率密度,同時最大限度地降低環(huán)路電感并實現(xiàn)簡單的功率總線。XM3適用于電動車充電器,牽引驅(qū)動器和不間斷電源(UPS)等應用。
2019-09-14 10:54:001843

CISSOID推出用于電動汽車MOSFET智能功率模塊

各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),并推出用于電動汽車三相碳化硅(SiCMOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。
2020-03-07 09:31:30950

Cissoid推出1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊 適用于汽車等應用

Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示:“開發(fā)和優(yōu)化快速開關SiC電源模塊并可靠地驅(qū)動它們?nèi)匀皇且粋€挑戰(zhàn),這款SiC智能電源模塊是針對極端溫度和電壓環(huán)境開發(fā)電源模塊和柵極驅(qū)動器的多年經(jīng)驗的成果。有了它,我們很高興支持汽車行業(yè)向高效的電動汽車解決方案過渡。”
2020-03-07 13:59:472573

Cissoid公司最新推出了三相SiC智能功率模塊

據(jù)外媒報道,比利時Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊(IPM),可用于電動出行。
2020-04-22 15:54:253711

意法半導體第二代SiC功率MosFET特性

值從SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V,并延伸到1700V。 在電動汽車牽引電機或充電站等汽車應用中,以及在太陽能發(fā)電機和電機驅(qū)動等工業(yè)應用中,使用SiC MOSFET可使設計者獲得各種好處,包括: ●減小功率級的尺寸和重量 ●實現(xiàn)更高的功率密度 ●減小功率電路無源元件的尺
2020-11-26 16:33:521178

比亞迪半導體全新推出1200V 1040A SiC功率模塊

作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應用SiC器件的公司,在SiC功率器件領域,比亞迪半導體于2020年取得重大技術(shù)突破,重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊,并已實現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)模化應用。
2022-06-21 14:40:571216

由第三代 SIC MOSFET 供電的電動汽車和工業(yè)應用

意法半導體最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET,針對先進的功率應用(例如 EV 動力系統(tǒng))和其他功率密度、能效和可靠性是相關關鍵因素的應用。 向電動汽車的過渡和內(nèi)燃機
2022-07-29 18:09:27647

國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認證

2022年11月,上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:332073

用于車載充電器應用的1200V SiC MOSFET模塊使用指南

隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發(fā)展,對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市,工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢
2023-06-08 15:40:02691

1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能

1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應用于新能源光伏和集中式儲能、大功率工業(yè)電機變頻及伺服、新能源車電驅(qū)等重要系統(tǒng)中。在這些應用系統(tǒng)中,IGBT模塊作為最核心的零部件之一,其性能
2023-06-20 11:26:021328

中瓷電子:國聯(lián)萬眾部分1200V SiC MOSFET產(chǎn)品已批量供貨中

據(jù)悉,國聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品,部分型號產(chǎn)品已開始供應市場。另一方面,針對比亞迪在內(nèi)的多方潛在客戶,該公司的電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品正在進行進一步洽談。
2023-12-12 10:41:48229

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19282

蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認證

蓉矽半導體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術(shù)實力,也進一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228

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