MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?
2022-10-19 10:39:23
1504 MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過導(dǎo)通電阻而造成；開關(guān)損耗則發(fā)生在MOSFET 開關(guān)期間，因?yàn)?MOSFET 沒有即時(shí)開關(guān)而產(chǎn)生。這些都是由 MOSFET 內(nèi)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:33170 
、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長(zhǎng)外
2018-08-27 20:50:45
和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率
開關(guān)損耗—導(dǎo)通
損耗、傳導(dǎo)
損耗和關(guān)斷
損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說(shuō)明二極
管的恢復(fù)特性是決定
MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通
開關(guān)損耗的主要因素，討論二極
管恢復(fù)性能對(duì)于硬
開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-06-16 09:21:55
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
應(yīng)用，使用MOSFET作為調(diào)整管，MOSFET就工作于穩(wěn)定放大區(qū)。開關(guān)電源等現(xiàn)代的高頻電力電子系統(tǒng)，MOSFET工作于開關(guān)狀態(tài)，相當(dāng)于在截止區(qū)和導(dǎo)變電阻區(qū)（完全導(dǎo)通）快速的切換，但是，在切換過程必須跨越放大區(qū)，這樣
2016-12-21 11:39:07
第四部第四講講解mosfet的開關(guān)過程，當(dāng)Vgs大于開啟電壓時(shí)，Id與Vgs逐漸增大。當(dāng)Id增大至所需最大電流時(shí)，平臺(tái)電壓形成，Vgs與Id成比例(未完全導(dǎo)通)。當(dāng)mosfet完全導(dǎo)通時(shí)，Vgs
2018-10-24 14:55:15
MOS管或?qū)χM(jìn)行等級(jí)劃分。 柵極電荷和導(dǎo)通阻抗之所以重要，是因?yàn)槎叨紝?duì)電源的效率有直接的影響。對(duì)效率有影響的損耗主要分為兩種形式--傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。`
2018-12-17 14:16:21
MOS管開通損耗只要不是軟開關(guān)，一般都是比較大的。假如開關(guān)頻率80KHZ開關(guān)電源中,由于有彌勒電容，如果關(guān)斷速度夠快是不是MOS管的關(guān)斷損耗都算軟關(guān)閉，損耗接近0？另外開通和關(guān)閉損耗的比例是多少。請(qǐng)大神賜教，越詳細(xì)越好。
2021-09-11 23:56:46
在帶變壓器的開關(guān)電源拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)管關(guān)斷時(shí)，電壓和電流的重疊引起的損耗是開關(guān)電源損耗的主要部分，同時(shí)，由于電路中存在雜散電感和雜散電容，在功率開關(guān)管關(guān)斷時(shí)，電路中也會(huì)出現(xiàn)過電壓并且產(chǎn)生振蕩。如果尖峰
2018-11-21 16:22:57
損耗由式(1)給出。 控制這個(gè)損耗的典型方法是使功率開關(guān)導(dǎo)通期間的電壓降最小。要達(dá)到這個(gè)目的，設(shè)計(jì)者必須使開關(guān)工作在飽和狀態(tài)。這些條件由式(2a)和式(2b)給出，通過基極或柵極過電流驅(qū)動(dòng)，確保由
2020-08-27 08:07:20
的功率損耗由式（1）給出。 控制這個(gè)損耗的典型方法是使功率開關(guān)導(dǎo)通期間的電壓降最小。要達(dá)到這個(gè)目的，設(shè)計(jì)者必須使開關(guān)工作在飽和狀態(tài)。這些條件由式（2a）和式（2b）給出，通過基極或柵極過電流驅(qū)動(dòng)，確保
2023-03-16 16:37:04
個(gè)新的工作狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)和開關(guān)波形處于過渡過程時(shí)的損耗。這些階段和它們的波形見圖1。導(dǎo)通損耗可由開關(guān)兩端電壓和電流波形乘積測(cè)得。這些波形都近似線性，導(dǎo)通期間的功率損耗由式(1)給出。控制這個(gè)損耗的典型方法
2019-07-01 10:20:34
寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的開關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之后， 選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)連接電源IC與MOS管就顯得尤其
2017-01-09 18:00:06
3、開關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過程中會(huì)產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
開關(guān)的選擇及其損耗
2021-10-29 07:14:03
一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
開關(guān)電源 MOS管損耗MOS管開關(guān)電源損耗開關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其
2021-10-29 09:16:45
中實(shí)際電流應(yīng)是Itotal=Idp1+Ia+Ib（Ia為次級(jí)端整流二極管的反向恢復(fù)電流感應(yīng)回初極的電流值--即乘以匝比，Ib為變壓器初級(jí)側(cè)繞組層間寄生電容在MOSFET開關(guān)開通瞬間釋放的電流）。這個(gè)
2020-06-28 17:48:13
MOS管的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFCMOS管的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢
2018-11-09 11:43:12
本帖最后由 小小的大太陽(yáng) 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒有具體計(jì)算開關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
, 同時(shí),開關(guān)速度不隨結(jié)溫變化。PT 型IGBT 的開關(guān)速度則隨溫度升高而降低。高頻工作時(shí)可以考慮選擇NPT型IGBT。 5 總結(jié) 文中介紹的損耗測(cè)量分析方法簡(jiǎn)單而有效, 可以使設(shè)計(jì)者對(duì)IGBT
2018-10-12 17:07:13
時(shí)的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應(yīng)的開關(guān)損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復(fù)二極管）的關(guān)斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其1升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2開關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響總結(jié)總結(jié)關(guān)鍵詞開關(guān)損耗 傳遞函數(shù) 電源設(shè)計(jì) SiC-SBD 快速恢復(fù)二極管 SJ-MOSFET IGBT 狀態(tài)空間
2018-11-27 16:40:24
二極管的特征Si晶體管所謂晶體管－分類與特征所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性所謂MOSFET－開關(guān)特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級(jí)結(jié)
2018-11-27 16:38:39
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
阻進(jìn)一步減少，MOSFET進(jìn)入完全導(dǎo)通狀態(tài);此時(shí)損耗轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通損耗。三、MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系從MOSFET的損耗分析可以看出，開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)頻率越高，導(dǎo)通損耗、關(guān)斷損耗和驅(qū)動(dòng)損耗會(huì)相應(yīng)
2019-09-25 07:00:00
放電電阻存在，mos開關(guān)管每次開關(guān)都會(huì)產(chǎn)生放電損耗改善方法：用TVS鉗位如下圖，可免除電阻放電損耗（注意：此處只能降低電阻放電損耗，漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的）當(dāng)然最根本的改善辦法是，降低變壓器漏感。
2021-04-08 16:21:23
分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來(lái)減少層間分布電容。08、開關(guān)管MOSFET上的損耗mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開關(guān)損耗。改善辦法
2021-04-09 14:18:40
本文主要介紹開關(guān)電源的同步與非同步整流，及其各自的特點(diǎn)。 同步是采用導(dǎo)通電阻極低的專用功率MOSFET，來(lái)取代續(xù)流二極管以降低整流損耗。能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而
2021-12-30 06:31:52
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？一、開關(guān)損耗
2021-11-18 07:00:00
，當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，輸入電壓直接向負(fù)載供給并把能量?jī)?chǔ)存在儲(chǔ)能電感中。當(dāng)開關(guān)管截止時(shí)，再由儲(chǔ)能電感進(jìn)行續(xù) 流向負(fù)載傳遞。把輸入的直流電壓轉(zhuǎn)換成所需的各種低壓。 如何減少開關(guān)電源變壓器的損耗： 減少銅損
2018-10-15 06:00:12
大于B管，因此選取的MOSFET開關(guān)損耗占較大比例時(shí)，需要優(yōu)先考慮米勒電容Crss的值。整體開關(guān)損耗為開通及關(guān)斷的開關(guān)損耗之和：從上面的分析可以得到以下結(jié)論：（1）減小驅(qū)動(dòng)電阻可以減小線性區(qū)持續(xù)的時(shí)間
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關(guān)斷過程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
是不對(duì)的。功率MOSFET的電流是一個(gè)計(jì)算值，而且是基于TC=25℃，也沒有考慮開關(guān)損耗，因此這種方法和實(shí)際的應(yīng)用差距太大，沒有參考價(jià)值。在一些有大電流沖擊要求有短路保護(hù)的應(yīng)用中，會(huì)校核數(shù)據(jù)表中的最大
2019-04-04 06:30:00
的功率損耗。這些功率損耗會(huì)引起發(fā)熱，需要設(shè)計(jì)人員執(zhí)行散熱管理，從而增加系統(tǒng)成本和解決方案尺寸。二極管的另外一個(gè)缺點(diǎn)就是較高的反向泄露電流—最高會(huì)達(dá)到大約1mA。用N溝道MOSFET替換高損耗二極管可以通過
2018-05-30 10:01:53
開通造成橋臂短路； 通過優(yōu)化 PCB 布局減小寄生電感能有效減小驅(qū)動(dòng)振蕩[3]，但在硬開關(guān)場(chǎng)合依舊存在較大電壓過沖； 而且 GaN HEMT 的反向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">損耗往往高于同電壓等級(jí)的 MOSFET，尤其是工作
2023-09-18 07:27:50
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關(guān)管，TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路，請(qǐng)問怎么驅(qū)動(dòng)MOSFET，，，加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
倍所引起的問題在MOSFET管的使用中也已不存在。
在關(guān)斷過程中，因?yàn)?MOSFET管電流下降速度很快，輸出端的下降電流和上升電壓在較低的電流下會(huì)發(fā)生重疊，從而減小了重疊損耗即交流開關(guān)損耗（1.3.4 節(jié))。這樣就可以簡(jiǎn)化甚至不需要緩沖器了（第11章)。
2023-09-28 06:33:09
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對(duì)開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
開關(guān)電源的電壓波形及其參數(shù)，提出了一套“輔助補(bǔ)償”算法。基于這套算法，對(duì)開關(guān)電源的電壓波形及其參數(shù)進(jìn)行了理論分析和計(jì)算機(jī)仿真。仿真結(jié)果表明了這套算法的可行性和先進(jìn)性。開關(guān)電源MOSFET的交越損耗分析
2020-07-15 15:17:28
電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對(duì)其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-29 08:43:49
與齊納二極管并聯(lián)，與漏源端子并聯(lián)。在雪崩期間，現(xiàn)代MOSFET可以耗散很多，但不建議讓零件連續(xù)雪崩，而只能在接通等過載情況下。雪崩是產(chǎn)生EMI的隨機(jī)過程。 3、Rdson，開關(guān)損耗 標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET
2023-02-20 16:40:52
功率MOSFET的Coss會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗，在正常的硬開關(guān)過程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電流ID對(duì)Coss充電，儲(chǔ)存能量。在MOSFET開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲(chǔ)能
2017-03-28 11:17:44
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段
2018-08-30 15:47:38
MOS管開通時(shí)放電引起的損耗。）當(dāng)測(cè)試mos管電流波形時(shí)，剛開啟的時(shí)候有個(gè)電流尖峰主要由變壓器分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來(lái)減少層間分布電容。開關(guān)管MOSFET上的損耗mos
2021-05-18 06:00:00
1. MOS損耗MOS管是開關(guān)電源中常見器件之一，在評(píng)估開關(guān)電源效率的時(shí)候，對(duì)于MOS管的選型十分重要，如果選擇的MOS不合適，電路該部分的發(fā)熱會(huì)非常嚴(yán)重，影響效率。因此，在考慮到設(shè)計(jì)開關(guān)電源的效率
2021-07-29 06:01:56
在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時(shí)間變化的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)
2018-06-05 09:39:43
MOS管的驅(qū)動(dòng)對(duì)其工作效果起著決定性的作用。在設(shè)計(jì)時(shí)既要考慮減少開關(guān)損耗，又要求驅(qū)動(dòng)波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求一個(gè)平衡點(diǎn)，即驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)，請(qǐng)問該如何進(jìn)行優(yōu)化呢？可以通過哪些措施來(lái)優(yōu)化？
2019-02-14 09:44:37
5、無(wú)源元件損耗??我們已經(jīng)了解MOSFET 和二極管會(huì)導(dǎo)致SMPS 損耗。采用高品質(zhì)的開關(guān)器件能夠大大提升效率，但它們并不是唯一能夠優(yōu)化電源效率的元件。圖1 詳細(xì)介紹了一個(gè)典型的降壓型轉(zhuǎn)換器IC
2021-12-31 06:19:44
要有深入了解，才能有利于理解和分析相應(yīng)的問題。 高壓MOSFET原理與性能分析 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓
2023-02-27 11:52:38
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對(duì)功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度，對(duì)功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動(dòng)
2010-11-11 15:36:38
53 理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 隨著環(huán)保節(jié)能的觀念越來(lái)越被各國(guó)所重視，電子產(chǎn)品對(duì)開關(guān)電源需求不斷增長(zhǎng)，開關(guān)電源的功率損耗測(cè)量分析也越來(lái)越重要。由于開關(guān)電源內(nèi)部消耗的功率決定了電源熱效應(yīng)的總體效率
2011-03-31 16:46:30191 根據(jù)MOSFET的簡(jiǎn)化模型，分析了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，通過典型的修正系數(shù)，修正了簡(jiǎn)化模型的極間電容。通過開關(guān)磁鐵電源的實(shí)例計(jì)算了工況下MOSFET的功率損耗，計(jì)算結(jié)果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22112 MOSFET才導(dǎo)通，因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個(gè)開關(guān)周期是0電壓的開關(guān)ZVS，開關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計(jì)，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，選取時(shí)只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來(lái)源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 MOSFET原理、功率MOS及其應(yīng)用應(yīng)用指南技術(shù)原理與方法，讓你知道如何MOSFET原理、功率MOS及其應(yīng)用
2016-08-30 18:11:4736 最優(yōu)化方法及其Matlab程序設(shè)計(jì)
2016-12-17 20:59:430 開關(guān)磁阻電機(jī)鐵心損耗分析_董傳友
2017-01-08 11:51:411 MOSFET的損耗主要包括如下幾個(gè)部分：1導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通損耗是比較容易理解的，即流過MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。降低這個(gè)損耗也是大家最容易想到的，例如選用更低
2017-11-22 17:26:0225214 
為精確估算高頻工作狀態(tài)下SiC MOSFET的開關(guān)損耗及分析寄生參數(shù)對(duì)其開關(guān)特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準(zhǔn)分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線性結(jié)電容
2018-03-13 15:58:3813 相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開關(guān)頻率場(chǎng)合時(shí)其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長(zhǎng)。 為進(jìn)一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0029 MOSFET的損耗分析
2019-04-17 06:44:006005 
一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
根據(jù)開關(guān)器件的物理模型 ，分析了開關(guān)器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計(jì)算了 Boost PWM 和 PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗 ，給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對(duì)一臺(tái) 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2019-08-08 08:00:0015 Mosfet的損耗主要有導(dǎo)通損耗，關(guān)斷損耗，開關(guān)損耗，容性損耗，驅(qū)動(dòng)損耗
2020-01-08 08:00:0011 為了降低開關(guān)電源中開關(guān)器件的開關(guān)損耗，介紹一種帶輔助管的軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)方法，將IGBT 和MOSFET 這兩種器件組合起來(lái)，以IGBT 器件為主開關(guān)管，MOSFET 器件為輔助開關(guān)管，實(shí)現(xiàn)零電流（ZCS
2020-07-14 08:00:003 5G NSA優(yōu)化方法及其相關(guān)研究
2021-03-18 16:02:169 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 根據(jù)開關(guān)器件的物理模型 ，分析了開關(guān)器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計(jì)算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗 ，給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對(duì)一臺(tái) 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2021-05-11 11:01:2512 開關(guān)的選擇及其損耗
2021-10-22 09:36:0810 一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對(duì)其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-22 17:35:5953 3、開關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過程中會(huì)產(chǎn)生
2022-01-07 11:10:270 5、無(wú)源元件損耗??我們已經(jīng)了解MOSFET 和二極管會(huì)導(dǎo)致SMPS 損耗。采用高品質(zhì)的開關(guān)器件能夠大大提升效率，但它們并不是唯一能夠優(yōu)化電源效率的元件。圖1 詳細(xì)介紹了一個(gè)典型的降壓型轉(zhuǎn)換器IC
2022-01-11 13:11:560 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:05666 MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來(lái)，發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
半橋 MOSFET 開關(guān)及其對(duì) EMC 的影響-AN90011
2023-02-20 18:58:306 是器件上的電壓和電流的函數(shù)。用理想的開關(guān)器件進(jìn)行仿真，可以獲取器件在工作過程中的電流及電壓，然后通過查表就可以等到開關(guān)器件的瞬時(shí)的損耗。 Psim或者Plecs都就是通過以上的方法去估算器件損耗。本文是描述
2023-02-22 14:05:543 MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:555704 
前言：為了方便理解MOSFET的開關(guān)過程及其損耗，以Buck變換器為研究對(duì)象進(jìn)行說(shuō)明（注：僅限于對(duì)MOSFET及其驅(qū)動(dòng)進(jìn)行分析，不涉及二極管反向恢復(fù)等損耗。）
2023-06-23 09:16:001354 
使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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