相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關速度和更低的開關損耗。 碳化硅 MOSFET 應用于高開關頻率場合時其開關損耗隨著開關頻率的增加亦快速增長。 為進一步提升碳化硅 MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關技術的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關頻率下的零電壓開關三相逆變器及硬開關三相逆變器的損耗分布和關鍵無源元件的體積， 討論了逆變器效率和關鍵無源元件體積與開關頻率之間的關系。 隨著開關頻率從數十 kHz 逐漸提升至數百 kHz，軟開關逆變器不僅能夠維持較高的轉換效率，還能取得更高的功率密度。 最后，在 １ 臺 9 kW 軟開關三相逆變器和 １ 臺 9 kW 硬開關逆變器上進行了實驗驗證。

　　三相逆變器在光伏發電裝置、風力發電系統等分布式發電系統中廣泛應用。 受制于器件的開關損耗， 這些發電裝置的開關頻率一般不超過 10 kHz。近年來，碳化硅 MOSFET 器件由于具有更快的開關速度和更低的開關損耗等特點而受到關注 。 2007 年，Cree 公司的 1 200 V 碳化硅 MOSFET 首先應用于 1 臺 7 kW 的兩電平光伏逆變器，該逆變器開關頻率為 16.6 kHz，峰值效率達到 97.8% ［2鄄3］ 。 文獻［4鄄5］ 搭建了采用全碳化硅 MOSFET 和碳化硅二極管的 20 kW 三相 T 型三電平光伏逆變器，該逆變器開關頻率為 20 kHz，效率達到 99%；文獻［6］評估了采用 Cree 公司第 ２ 代 1 200 V/50 A 碳化硅 MOSFET 模塊的 10 kW 兩電平逆變器， 該逆變器在開關頻率 16 kHz 下峰值效率大于 99%， 而在 24 kHz 下峰值效率依然達到 98.7%。 然而，當碳化硅逆變器工作于 開 關 頻 率 幾 十 kHz 甚 至 100 kHz 時 ， 碳 化 硅MOSFET 器件的開關損耗隨開關頻率的增加亦快速增長［7鄄9］ 。為進一步提升碳化硅 MOSFET 三相逆變器性能，軟開關技術是值得探討的一種途徑。