本內(nèi)容向大家講解了中國(guó)龍芯CPU是什么意思，龍芯CPU最新產(chǎn)品及龍芯CPU最新進(jìn)展情況
2011-12-07 17:09:20
27612 可重構(gòu)體系的結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？可重構(gòu)制造系統(tǒng)有哪些應(yīng)用？
2021-09-30 06:18:17
可重構(gòu)體系結(jié)構(gòu)分為哪幾種？典型動(dòng)態(tài)可重構(gòu)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)有哪幾種？動(dòng)態(tài)可重構(gòu)系統(tǒng)有哪些應(yīng)用實(shí)例？
2021-04-28 06:13:00
可重構(gòu)計(jì)算技術(shù)在汽車電子領(lǐng)域的應(yīng)用前景可重構(gòu)計(jì)算技術(shù)在汽車電子領(lǐng)域面臨的問題
2021-05-12 06:40:18
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
晶體管的放大能力越強(qiáng)。也可以用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表的hFE/測(cè)試功能來測(cè)量放大能力。測(cè)量時(shí)，先將測(cè)試表的hFE/ICEO檔置于hFE–100檔或hFE–300檔，選擇晶體管的極性，將晶體管插入測(cè)試孔后
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
是晶體管的直流電流放大系數(shù)，是指在靜態(tài)（無變化信號(hào)輸入）情況下，晶體管IC與IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情況下β和hFE較為接近,也可相等，但兩者含義是有明顯區(qū)別的，而且在許多場(chǎng)合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計(jì)者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
CMOS圖像傳感器最新進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-06-08 06:20:31
``我們的電子懷表正式啟動(dòng)，強(qiáng)烈邀請(qǐng)各電子工程師嚴(yán)重關(guān)注，本次PCB板由華強(qiáng)PCB(http://www.hqpcb.com/ )提供。DIY懷表設(shè)計(jì)正式啟動(dòng)，請(qǐng)關(guān)注最新進(jìn)展。做電子的如
2012-01-13 09:27:11
可重構(gòu)設(shè)計(jì)是指利用可重用的軟、硬件資源，根據(jù)不同的應(yīng)用需求，靈活地改變自身體系結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)方法。FPGA器件可多次重復(fù)配置邏輯的特性使可重構(gòu)系統(tǒng)成為可能，使系統(tǒng)兼具靈活、便捷、硬件資源可復(fù)用等性能
2011-05-27 10:22:36
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
ITU-T FG IPTV標(biāo)準(zhǔn)化最新進(jìn)展如何？
2021-05-27 06:06:34
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌?b class="flag-6" style="color: red">制造商的測(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
，而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好，可以說是具有極大優(yōu)勢(shì)的開關(guān)元件。這張圖是各晶體管標(biāo)準(zhǔn)化的導(dǎo)通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導(dǎo)通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
非常開心地在這里和大家提前預(yù)告，我們即將發(fā)布VisionFive 2 集成 AOSP的最新進(jìn)展！請(qǐng)大家多多期待吧~
此次通過眾多社區(qū)成員的支持和貢獻(xiàn)(https://github.com
2023-10-08 09:15:13
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的金屬間距，從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。披露10納米制程的功耗和性能最新進(jìn)展英特爾高級(jí)院士馬博（Mark Bohr）介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細(xì)節(jié)，展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。在晶體管密度
2017-09-22 11:08:53
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器。 達(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對(duì)，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
，拐角處的電場(chǎng)總是被放大。這可以通過在角落使用硝酸鹽層來最小化。 制造成本高 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管演進(jìn) 現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是CMOS晶體管。在過去的17年中，CMOS技術(shù)在制造和建筑中使用的材料方面
2023-02-24 15:25:29
介紹IXIAIP測(cè)試平臺(tái)和所提供測(cè)試方案的最新進(jìn)展
2021-05-26 06:46:28
FPGA可重構(gòu)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)是什么？基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)是怎樣構(gòu)成的？基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)的應(yīng)用有哪些？
2021-04-30 07:16:04
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
場(chǎng)效應(yīng)晶體管容易制造，場(chǎng)效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場(chǎng)效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。場(chǎng)效應(yīng)晶體管特點(diǎn)（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小
2019-05-08 09:26:37
載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
某一個(gè)或若干個(gè)子模塊的結(jié)構(gòu)。此時(shí)不僅電路邏輯改變，連線資源也重新分配。重構(gòu)所需的電路輸出配置信息事先由編譯軟件生成。通常重構(gòu)時(shí)系統(tǒng)需要暫停工作，待重構(gòu)完成后再繼續(xù)。這種重構(gòu)系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，但靈活性不足，且有
2011-05-27 10:24:20
和ASIC電路高速性的解決方案。在筆者所從事的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，當(dāng)模擬器件的一些性能改變但又不能及時(shí)更新調(diào)整后端的數(shù)字基帶處理時(shí)，比如濾波器由于工作時(shí)間過長(zhǎng)引起的溫漂特性所帶來的影響，此時(shí)就可以用可編程模擬器件替代一部分前端固定模擬器件，進(jìn)而可以實(shí)時(shí)的對(duì)FPGA模塊進(jìn)行動(dòng)態(tài)可重構(gòu)操作，最終達(dá)到系統(tǒng)性能的最優(yōu)化。
2019-07-10 07:56:06
電流，進(jìn)而改變流過給定晶體管的集電極電流。 如果我們達(dá)到集電極電流的最大流量，則晶體管已飽和。將晶體管導(dǎo)通所需的輸入電壓和電流量由基極電阻決定 圖5. 數(shù)字邏輯晶體管開關(guān) 在R上方的電路
2023-02-20 16:35:09
~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個(gè)正的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵(lì)電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49
您好，我是新手用FPGA設(shè)計(jì)可重構(gòu)硬件。我只是想了解它。誰(shuí)能給我一些建議？哪些書籍文件適合我參考？網(wǎng)站或論壇也不錯(cuò)。謝謝?
2020-06-11 10:05:15
一種基于NiosⅡ的可重構(gòu)DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2021-03-17 06:41:55
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
如何降低可重構(gòu)系統(tǒng)的整體功耗？有什么方法能使可重構(gòu)系統(tǒng)的性能和功耗需求之間達(dá)到平衡？
2021-04-08 07:09:23
以后到現(xiàn)在AiP技術(shù)在國(guó)內(nèi)外取得的最新成果。此外，本文也是作者介紹封裝天線技術(shù)系列文章的第二篇：譜新篇。文章首先從新聞發(fā)布、媒體報(bào)道及市場(chǎng)分析報(bào)告角度出發(fā)關(guān)注當(dāng)前AiP技術(shù)熱點(diǎn)，接著追蹤研討會(huì)、捕捉AiP技術(shù)新的發(fā)展動(dòng)向，然后重點(diǎn)介紹AiP技術(shù)在材料、工藝、設(shè)計(jì)、測(cè)試等方面的新進(jìn)展。
2019-07-16 07:12:40
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
開關(guān)電源電磁兼容及其研究新進(jìn)展Review on EMC studies of SMPS 內(nèi)容一. 開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展面臨的EMC挑戰(zhàn)二. 開關(guān)電源電磁干擾發(fā)射形成和傳播三. 開關(guān)電源電磁干擾發(fā)射的抑制四. 開關(guān)電源電磁兼容研究新進(jìn)展五. 結(jié)束語(yǔ)[hide][/hide]
2009-12-23 15:44:22
可重構(gòu)技術(shù)具有什么優(yōu)點(diǎn)？怎么實(shí)現(xiàn)基于FPGA可重構(gòu)智能儀器的設(shè)計(jì)
2021-05-06 06:44:38
本文提出的通過微處理器加FPGA結(jié)合串行菊花鏈實(shí)現(xiàn)可重構(gòu)的方式，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)可重構(gòu)FPGA結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的一種應(yīng)用。
2021-05-10 06:22:19
可重構(gòu)結(jié)構(gòu)是一種可以根據(jù)具體運(yùn)算情況重組自身資源，實(shí)現(xiàn)硬件結(jié)構(gòu)自身優(yōu)化、自我生成的計(jì)算技術(shù)。動(dòng)態(tài)可重構(gòu)技術(shù)可快速實(shí)現(xiàn)器件的邏輯重建，它的出現(xiàn)為處理大規(guī)模計(jì)算問題提供了一種兼具通用處理器靈活性和ASIC電路高速性的解決方案。
2019-08-13 07:56:00
提出了一種可用于手持移動(dòng)終真?zhèn)€可重構(gòu)天線的設(shè)計(jì)方法。該天線安裝有兩個(gè)RF-PIN開關(guān)，可通過一個(gè)直流控制電路控制開關(guān)的狀態(tài)，以使 線的極化方式和輻射方向圖發(fā)生變化，從而實(shí)現(xiàn)極化可重構(gòu)和方向圖可重構(gòu)。該天線結(jié)構(gòu)緊湊，易于與電路板集成在一起，在移動(dòng)終端中有良好的應(yīng)用價(jià)值。
2019-09-26 07:49:45
0 引言可重構(gòu)體系結(jié)構(gòu)已經(jīng)成為FPGA系統(tǒng)開發(fā)的研究熱點(diǎn)，并已有許多令人矚目的研究成果及產(chǎn)品應(yīng)用。FPGA可重構(gòu)的應(yīng)用為用戶提供了方便的系統(tǒng)升級(jí)模式，同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了基于相同硬件系統(tǒng)的不同工作模式功能
2019-07-31 07:15:40
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計(jì)者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
什么是可重構(gòu)技術(shù)？ 它有哪些優(yōu)點(diǎn)？可重構(gòu)智能儀器的硬件怎樣去設(shè)計(jì)？可重構(gòu)智能儀器的軟件設(shè)計(jì)怎樣去設(shè)計(jì)？
2021-04-29 06:23:17
本文基于現(xiàn)代測(cè)控系統(tǒng)的通用化結(jié)構(gòu)特征和可重構(gòu)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA技術(shù)的發(fā)展，提出一種可重構(gòu)測(cè)控系統(tǒng)（Reconfigurable Mo—nitoring System，RMS）的設(shè)計(jì)構(gòu)想，并給出其應(yīng)用實(shí)例。
2021-04-30 06:40:43
。由于成本下降，可再生能源系統(tǒng)的使用正在世界范圍內(nèi)擴(kuò)大。這些系統(tǒng)需要將直流電源轉(zhuǎn)換為電網(wǎng)同步的交流電源。目前，實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)任務(wù)的逆變器是用分立晶體管設(shè)計(jì)制造的。TowerJazz半導(dǎo)體公司
2021-11-11 09:29:38
的最新進(jìn)展 在過去的40年，電子封裝技術(shù)在封裝材料、封裝技術(shù)、封裝性能以及封裝的應(yīng)用等方面均取得了巨大的進(jìn)步，封裝效率成幾何倍數(shù)增長(zhǎng)(硅片面積與封裝面積的比值)，PGA的封裝效率小于10％，BGA是20
2018-08-23 12:47:17
電源管理半導(dǎo)體的新進(jìn)展1979年電力電子學(xué)會(huì)在我國(guó)成立，此后，人們開始把用于大功率方向的器件稱為電力半導(dǎo)體。由于微電子學(xué)把相關(guān)的器件稱為微電子器件，從而也有了電力電子器件之稱。電力半導(dǎo)體和電力
2009-12-11 15:47:08
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
`直播主題及亮點(diǎn):在介紹中國(guó)車聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展歷史的基礎(chǔ)上，分析目前的車聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品類型和技術(shù)路線，分析5G的技術(shù)特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)和未來市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)，介紹北斗與GPS的區(qū)別和北斗衛(wèi)星的最新進(jìn)展和應(yīng)用。針對(duì)即將成為車
2018-09-21 14:01:58
可重構(gòu)計(jì)算技術(shù)概述隨著20世紀(jì)80年代中期Xilinx公司推出其第一款現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)以來,另一種實(shí)現(xiàn)手段——可重構(gòu)計(jì)算技術(shù)逐漸受到人們的重視,因?yàn)樗軌蛱峁┯布δ艿男屎蛙浖目删幊绦?隨著可編程器件容量根據(jù)摩爾定律的不斷增大和自動(dòng)設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展,可重構(gòu)技術(shù)正迅速地成熟起來。
2019-07-29 06:26:03
風(fēng)光互補(bǔ)技術(shù)原理及最新進(jìn)展摘要： 簡(jiǎn)要回顧國(guó)內(nèi)外風(fēng)電、光伏技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展態(tài)勢(shì)，結(jié)合風(fēng)光互補(bǔ)系統(tǒng)應(yīng)用， 分析、介紹了風(fēng)光互補(bǔ)LED路燈照明系統(tǒng)、智能控制器設(shè)計(jì)、分布式供電電源、風(fēng)光互補(bǔ)水泵系統(tǒng)，并著重
2009-10-26 13:45:56
風(fēng)光互補(bǔ)技術(shù)及應(yīng)用新進(jìn)展 [hide]風(fēng)光互補(bǔ)技術(shù)及應(yīng)用新進(jìn)展.rar[/hide] [此貼子已經(jīng)被作者于2009-10-22 11:52:24編輯過]
2009-10-22 11:51:20
風(fēng)光互補(bǔ)技術(shù)及應(yīng)用新進(jìn)展摘要： 簡(jiǎn)要回顧國(guó)內(nèi)外風(fēng)電、光伏技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展態(tài)勢(shì)，結(jié)合風(fēng)光互補(bǔ)系統(tǒng)應(yīng)用， 分析、介紹了風(fēng)光互補(bǔ)LED路燈照明系統(tǒng)、智能控制器設(shè)計(jì)、分布式供電電源、風(fēng)光互補(bǔ)水泵系統(tǒng)，并著重
2009-10-19 15:11:36
本文主要講述的是電力系統(tǒng)仿真與建模研究新進(jìn)展。
2009-04-24 11:29:12
27 電子變壓器新進(jìn)展
2009-11-19 17:14:1224 γ射線暴的研究及新進(jìn)展( 戴子高
能源比較物質(zhì)組成：分子→原子→電子、原子核
2010-02-25 10:41:530 低成本有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究取得新進(jìn)展
近年來，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于在大面積、柔性化和低成本有源矩陣顯示、射頻標(biāo)簽等方面的潛在應(yīng)用前景而備受學(xué)術(shù)界和工業(yè)界
2008-11-26 08:21:22388 
細(xì)菌電池新進(jìn)展
第一個(gè)細(xì)菌電池可以追溯到1910年，英國(guó)
2009-10-28 13:11:16940 硅基薄膜太陽(yáng)電池新進(jìn)展
一.引言
2009-12-28 09:35:45651 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料之集成電路測(cè)試技術(shù)的新進(jìn)展
2016-09-01 17:32:360 超寬帶雷達(dá)技術(shù)的新進(jìn)展，有需要的下來看看
2016-12-29 11:57:4116 UWB通信技術(shù)最新進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)，下來看看
2017-02-07 12:44:1711 2017年12月9日，TOP500官網(wǎng)刊文總結(jié)了高性能計(jì)算在2017年取得的新進(jìn)展，以及未來發(fā)展趨勢(shì)，主要內(nèi)容如下所示。
2018-01-21 09:21:378090 清華控股轉(zhuǎn)讓紫光集團(tuán)部分股權(quán)計(jì)劃日前有了新進(jìn)展。
2018-09-07 17:25:004018 12月27日，聞泰科技發(fā)布重大資產(chǎn)重組進(jìn)展公告，披露了收購(gòu)安世半導(dǎo)體公司的新進(jìn)展。
2018-12-28 15:21:313957 近日，中國(guó)科學(xué)院國(guó)家納米科學(xué)中心李樂樂課題組在DNA納米生物技術(shù)用于核酸遞送的研究中取得新進(jìn)展。
2018-12-29 11:18:174151 谷歌人工智能量子（Google AI Quantum）團(tuán)隊(duì)最近發(fā)表了兩篇論文，介紹了他們?cè)诶斫饬孔佑?jì)算機(jī)學(xué)習(xí)任務(wù)方面取得的新進(jìn)展。
2019-01-07 10:45:082532 無鎘量子點(diǎn)和納米材料制造商昆騰材料公司發(fā)布了其阿薩姆項(xiàng)目的最新進(jìn)展。
2019-07-30 11:18:073434 新宙邦在新型功能電解液添加劑TPP、新型鋰鹽-LiHFDF、固態(tài)電解質(zhì)、阻燃電解液等領(lǐng)域的研究新進(jìn)展和成果成果分享。
2020-09-28 10:36:512960 中國(guó)航天科技集團(tuán)今天刊文，詳細(xì)介紹了旗下運(yùn)載火箭發(fā)動(dòng)機(jī)取得的一系列新進(jìn)展，以及未來規(guī)劃。
2021-01-12 09:07:07740 1月11日?qǐng)?bào)道，哈爾濱工業(yè)大學(xué)的韓杰才院士團(tuán)隊(duì)在通過與香港城市大學(xué)、麻省理工學(xué)院等單位合作后，在金剛石芯片領(lǐng)域取得了新進(jìn)展。 據(jù)報(bào)道，韓杰才院士帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)首次通過納米力學(xué)新方法，從根本上改變金剛石復(fù)雜的能帶結(jié)構(gòu)，為實(shí)現(xiàn)下一代金
2021-02-05 09:38:483122 日前，ASML產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Mike Lercel向媒體分享了EUV（極紫外）光刻機(jī)的最新進(jìn)展。
2021-03-19 09:39:404630 中科院微電子所近期發(fā)表了先導(dǎo)工藝研發(fā)中心團(tuán)隊(duì)在垂直納米環(huán)柵器件領(lǐng)域獲得的最新進(jìn)展，該類型器件通過在垂直方向構(gòu)建晶體管結(jié)構(gòu)，大大減少了器件占用面積，在3nm以下先進(jìn)集成電路制造工藝領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力
2021-06-04 11:16:233644 
中國(guó)碳基芯片最新進(jìn)展2021：我國(guó)一直走在世界前列，碳基芯片研發(fā)取得重要進(jìn)展，目前我國(guó)的硅基芯片5nm已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，碳基芯片距商用又近一步。3nm技術(shù)已經(jīng)突破，預(yù)計(jì)明年下半年量產(chǎn)。
2021-12-16 14:17:4469077 近日，清華大學(xué)機(jī)械系在超快激光微納制造領(lǐng)域獲得新進(jìn)展，提出了基于超快激光等離激元分子調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)自下而上的微納功能器件加工制造策略，并揭示了激光誘導(dǎo)等離激元與材料的非線性作用機(jī)理，利用超快激光激發(fā)納米腔等離激元效應(yīng)
2023-05-31 14:38:11536 
近日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在多頻率微波傳感領(lǐng)域取得新進(jìn)展。教授史保森、丁冬生課題組利用人工智能的方法，實(shí)現(xiàn)了基于里德堡原子多頻率微波的精密探測(cè)。相關(guān)成果4月14日發(fā)表于《自然-通訊》。圖為
2023-04-06 14:33:39293 
5G最新進(jìn)展深度解析
2023-01-13 09:06:071 近日，乾富半導(dǎo)體與英創(chuàng)力兩家企業(yè)有關(guān)LED項(xiàng)目傳來最新進(jìn)展。
2024-01-15 13:37:19279
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