電子發燒友網報道（文/劉靜）7月12日，北京通美晶體技術股份有限公司（以下簡稱：北京通美）科創板IPO成功過會。北京通美作為磷化銦襯底行業的巨頭之一，其2020年磷化銦襯底產品市場占有率位居全球第二
2022-07-15 08:10:00
5153 本內容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝，介紹了什么是led襯底，led襯底材料等方面的制作工藝知識
2011-11-03 17:45:134626 
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學穩定性，已成為短波長發射器（發光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應用的誘人半導體，以及高功率和高溫電子器件。對于實現先進的氮化鎵器件，如激光二極管或高功率燈，對低線程位錯密度(<106cm-2)的高質量氮化鎵襯底有很強的需求。
2022-02-08 15:26:132894 
阻，從而能量損耗更低，功率轉換效率更高。相關統計數據顯示，氧化鎵的損耗理論上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化鎵的1/3。另外，氧化鎵具有良好的化學和熱穩定性，成本低，制備方法簡便、便于批量生產
2023-03-15 11:09:59
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態系統組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
充電器6、AUKEY傲基27W氮化鎵充電器7、AUKEY傲基61W氮化鎵充電器8、AUKEY傲基65W氮化鎵充電器9、AUKEY傲基100W氮化鎵充電器10、amc 65W氮化鎵充電器11、Aohai奧海
2020-03-18 22:34:23
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術迭代。2018 年，氮化鎵技術走出實驗室，正式運用到充電器領域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
首先報道了基于氮化鎵雙異質結構、波長為402.5 nm的受激輻射。1996年日本日亞公司中村修二領導研制出世界上第一支GaN基紫光激光器。從此，波長為405 nm的氮化鎵紫光激光器的發展和應用推動
2020-11-27 16:32:53
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
硅-硅直接鍵合技術主要應用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結構又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
內的波長標準偏差標準為1.3nm，波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產硅4545
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未來可以做到10英寸、12英寸，整個晶圓的長度可以拉長至2米
2017-08-29 11:21:41
【作者】：李楊超;張銘;趙學平;董國波;嚴輝;【來源】：《納米科技》2010年01期【摘要】：采用射頻磁控濺射法制備了不同襯底溫度的CuCrO2薄膜,通過X射線衍射、掃描電鏡、紫外吸收光譜及電學性能
2010-04-24 09:00:59
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
半導體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的三價元素，如：硼、銦、鎵或鋁等；N型半導體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的五價元素，如：磷、銻、砷等。P型半導體與N型半導體，在材料成本方面應該差別不是很大，但要把它
2012-05-22 09:38:48
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
氧化鋁晶體導報 工藝情報交流記者李博民高工2011-10-20 長LED藍寶石的5N 氧化鋁 ，鐵必須小于5pp， 硅小于5pp， 鋯小于1pp ，鈦小于1pp，銅小于1ppm，鎳小于1pp，釔
2011-12-20 10:03:56
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
硬件和軟件套件有助加快并簡化固態射頻系統開發經優化后可供烹飪、照明、工業加熱/烘干、醫療/制藥和汽車點火系統的商業制造商使用系統設計人員能夠以LDMOS的價格充分利用硅基氮化鎵性能的優勢在IMS現場
2017-08-03 10:11:14
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化鎵技術(MACOM GaN)使得二者成本結構趨于相當。基于氮化鎵的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
是硅基氮化鎵技術。2017 電子設計創新大會展臺現場演示在2017年的電子設計創新大會上，MACOM上海無線產品中心設計經理劉鑫表示，硅襯底有一些優勢，材料便宜，散熱系數好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色！帥呆了！至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN之間有什么區別？
2019-07-31 07:54:41
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
TI始終引領著提倡開發和實施全面性方法，確保在嚴苛操作環境下，GaN設備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此，我們用傳統的硅方法制作GaN的硅基，從而利用硅的內在特性。
2019-07-31 06:19:34
運行時的電性能和效率要比傳統的硅材料高得多。對于已被實際使用的碳化硅半導體和氮化鎵半導體來說，其耐受電壓（高于標稱電壓，用于保持可靠性的基礎電壓）的需求是不同的。例如，碳化硅耐電壓大于或等于1000
2023-02-23 15:46:22
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
幾十倍、甚至上百倍的數量增加，因此成本的控制非常關鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優勢，隨著硅基氮化鎵技術的成熟，它能以最大的性價比優勢取得市場的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
TG傳輸門電路中。當C端接+5，C非端接0時。源極和襯底沒有連在一起，為什么當輸入信號改變時，其導通程度怎么還會改變？導電程度不是由柵極和襯底間的電場決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導通程度應該與輸入信號變化無關啊！而書上說起導通程度歲輸入信號的改變而改變？為什么?求詳細解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結構為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項監控手段
2021-04-01 23:50:33
三五價技術。氮化鎵可用于制造場效應管（FET）。平面氮化鎵場效應管和硅基的MOSFET類似，通過柵極控制電流從源極流向漏極。不過制造工藝上氮化鎵和CMOS不同。氮化鎵的襯底是在高溫下利用金屬有機氣相沉積
2016-08-30 16:39:28
OPPO公司分享了這一應用的優勢，一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS，體積更小、更節省空間，且阻抗比單顆硅MOS更低，可降低在此路徑上的熱量消耗，降低充電溫升，提升充電的恒流持續時間。不僅如此，氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路
2012-01-12 10:47:00
有如此多的誤解的原因之一，是現有硅技術的供應商使用嚇人策略和發出錯誤信息，例如關于氮化鎵技術的可靠性問題、各式各樣的設計挑戰、高昂的價格和不可靠的供應鏈等，從而勸阻潛在的氮化鎵用戶。
但這些攻擊并沒有
2023-06-25 14:17:47
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發性異常，找不出規律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
`供應藍寶石襯底！深圳永創達科技有限公司 聯系電話***齊先生 網址www.yochda.com適用于外延片生產商與PSS加工`
2012-03-10 10:44:06
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
請教，襯底的缺陷密度對結深有什么影響
2019-04-26 07:50:15
哪怕不接麥克風， 在錄音狀態下，低頻噪聲依舊。襯底是否良好接地，拿不準。難道這是出低頻噪聲的原因嗎？
2019-03-01 05:47:28
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
的獨特性意味著，幾乎所有這些材料都不能用作半導體。不過，透明導電氧化物氧化鎵（Ga2O3）是一個特例。這種晶體的帶隙近5電子伏特，如果說氮化鎵（3.4eV）與它的差距為1英里，那么硅（1.1eV）與它的差距
2023-02-27 15:46:36
適合5G應用的高頻襯底材料
2021-01-25 06:49:51
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
論述了一種測試混合信號集成電路襯底噪聲波形的方法采用電壓比較器利用襯底電壓對比
較器狀態的影響對噪聲作出統計測試根據測試結果重建噪聲波形設計了一
2010-08-29 16:08:46
14 LED襯底材料有哪些種類
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:254039 芯片是五面發光的，通常需要將將芯片置于支架內，反光杯的開口面積遠大于芯片發光面積，導致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍/白光LED的芯片結構強烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍寶石作為襯底材料
2016-11-05 08:19:156265 基于電壓比較器襯底噪聲的測試方法
2017-01-22 13:38:085 當代LED大部分是由一個組合的氮化銦鎵（InGaN）和藍寶石襯底。建筑作品，使得LED制造商提供150 lm/W，然而過量的參展功效產品，建筑也有一些缺點，鼓勵芯片制造商尋求其他選擇。
2017-06-01 10:49:394 氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導體的產業發展非常快，同樣也是氮化物半導體產業發展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:017651 LED襯底材料是半導體照明產業的基礎材料，其決定了半導體照明技術的發展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033716 據報道，武漢大學的研究團隊近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來降低氮化鎵接合邊界失配問題的方法，提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵（InGaN/GaN）倒裝芯片可見光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793 1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“納維科技”）總部大樓奠基儀式在蘇州納米城舉行。 項目占地面積超14000平方米，總建筑面積超34000平方米，將建設成為國際前三的氮化鎵（GaN）單晶襯底
2021-01-28 09:19:342253 本文提供了用于蝕刻膜的方法和設備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
Micro LED被譽為新時代顯示技術，但目前仍面臨關鍵技術、良率、和成本的挑戰。 微米級的Micro LED已經脫離了常規LED工藝，邁入類IC制程。相對其它競爭方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN
2022-08-17 12:25:421137 制造大直徑GaN襯底的要點（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導體氮化鎵襯底的研發得益于早期LED氮化鎵襯底技術的積累。
2022-11-18 12:33:261758 GaN半導體產業鏈各環節為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產業鏈的基礎。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料，具有優異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312379 SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實際的結構是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄的硅層，這種結構將有源硅層與襯底的硅層分開。而在傳統的硅制程中，芯片直接在硅襯底上形成，沒有使用絕緣體層。
2023-10-10 18:14:031123 
SiC襯底，產業瓶頸亟待突破
2023-01-13 09:06:233 當前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術的重要發展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
碲鋅鎘（CZT）單晶材料作為碲鎘汞（MCT）紅外焦平面探測器的首選襯底材料，其表面質量的優劣將直接影響碲鎘汞薄膜材料的晶體質量以及成品率，故生產出外延級別的碲鋅鎘襯底表面是極其重要的。
2024-01-02 13:51:18158 
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 電子科技領域中，半導體襯底作為基礎材料，承載著整個電路的運行。隨著技術的不斷發展，對半導體襯底材料的選擇和應用要求也越來越高。本文將為您詳細介紹半導體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54515 襯底（substrate）是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件，也可以進行外延工藝加工生產外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
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