轉變,不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來越大的影響力。 ? 器件設計 GaN器件設計根據類型我們可以分為三個部分,分別是:射頻、功率和光電子,這次主要關注的是射頻以及功率方面的應用。 ? ? GaN射頻器件設計 GaN射頻器件主要可以分為三種:大
2022-07-18 01:59:454002 NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質外延 GaN 制造垂直功率器件(垂直氮化鎵或垂直 GaN)。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進行開關并在更高的電壓下工作,這將催生新一代更高效的功率器件。
2022-07-27 17:15:064235 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下,WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物,并在
2022-07-29 14:09:53807 在過去幾年中,氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應用的半導體技術中顯示出巨大的潛力。與硅基半導體器件相比,氮化鎵是一種物理上堅硬且穩定的寬帶隙 (WBG) 半導體,具有更快的開關速度、更高的擊穿強度和高導熱性。
2022-07-29 10:52:00991 近年來,電動汽車、高鐵和航空航天領域不斷發展,對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能極限,氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導體
2022-08-22 09:44:013651 100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務器應用以及 USB-C、激光雷達和 LED 照明中很受歡迎。然而,小尺寸和最小的封裝寄生效應為動態表征這些功率器件帶來了多重挑戰。本文回顧了GaN半導體制造商在表征這些器件方面面臨的挑戰,以及一些有助于應對這些挑戰的新技術。
2022-10-19 17:50:34789 氮化鎵(GaN)功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅(Si)具有優勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場,能實現更薄的漂移層,同時在較高的擊穿電壓下可以降低導通電阻(Rds(on))。由于
2023-11-06 09:39:293615 作為一種新型功率器件,GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優勢。
2023-12-07 09:44:52783 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。
2019-11-22 15:16:321787 這幾年第三代半導體異常火熱,國內外很多半導體企業都涌入其中。根據Yole的數據,2020年,GaN功率器件市場規模為4600萬美元,相比2019年增長了2倍,并有望在2026年突破10億美元大關,達到11億美元,年復合增長率將接近70%。主要的應用市場包括電信和數據通信、汽車,以及便攜設備市場等。
2022-01-26 11:14:315051 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361220 )。另一方面,功率GaN的技術路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向,包括增強型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強型GaN FET是單芯片常關器件,而耗盡型GaN FET是雙芯片常關器件(共源共柵Cascode結構)。 ? E-
2024-02-28 00:13:001844 GaN功率集成電路技術:過去,現在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
繼第一代和第二代半導體技術之后發展起來的第三代寬禁帶半導體材料和器件,是發展大功率、高頻高溫、抗強輻射和藍光激光器等技術的關鍵核心。因為第三代半導體的優良特性,該半導體技術逐漸成為了近年來半導體研究
2023-06-25 15:59:21
GaN技術的出現讓業界放棄TWT放大器,轉而使用GaN放大器作為許多系統的輸出級。這些系統中的驅動放大器仍然主要使用GaAs,這是因為這種技術已經大量部署并且始終在改進。下一步,我們將尋求如何使用電路設計,從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
隨著電子技術的不斷發展,靜電防護技術不斷提高,無論是在LED器件設計上,還是在生產工藝上,抗ESD能力都有明顯的進步,但是,GaN基LED畢竟是ESD敏感器件,靜電防護必須滲透到生產全過程
2013-02-19 10:06:44
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因,介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態,對GaN 調制摻雜場效應晶體管(MODFETs)的工作原理以及特性進行了具體分析,并同其他微波器件進行了比較,展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
頻帶范圍,使得射頻能量在工作時不會對持有許可證的通信網絡產生干擾。 硅上GaN器件的技術優勢現在已經有了頗具競爭性的價格水平,這無疑將成為射頻功率應用中的一個分支技術。特別是在工業應用領域,當前正在
2017-05-01 15:47:21
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說,相比LDMOS硅技術而言,GaN這一材料技術,大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值,表征高頻器件的材料適合性優值, 硅技術的約翰遜優值僅為1, GaN最高,為324。而GaAs,約翰遜優值為1.44。肯定地說,GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
展現了高功率電子設備封裝技術的發展歷程,因為這個采用法蘭封裝的器件能夠支持許多軍事應用所需的連續波(CW)信號。圖6. HMC8205BF10功率增益、PSAT以及PAE和頻率的關系。結語GaN等全新
2018-10-17 10:35:37
,傳統的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限,使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告,該技術能夠實現智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步,從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
GaN技術融入到電源解決方案中,從而進一步突破了對常規功率密度預期的限值。基于數十年電源測試方面的專業知識,TI已經對GaN進行了超百萬小時的加速測試,并且建立了一個能夠實現基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
XDSL技術的調制方式有哪幾種?有何應用技術?
2021-05-25 06:50:50
zigbee應用技術[hide][/hide]
2013-05-23 17:39:19
,從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
移動應用、基礎設施與國防應用中核心技術與 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,發布兩款全新的氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)系列產品
2019-09-11 11:51:15
元件來適應略微增加的開關頻率,但由于無功能量循環而增加傳導損耗[2]。因此,開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
驅動許多技術進步。圖1: 邁向5G 之路談及新興的mmW 標準時,GaN 較之現在的技術具有明顯的優勢。GaN 能夠提供更高的功率密度,具有多種優點:· 尺寸減小· 功耗降低· 系統效率提高我們已經
2017-07-28 19:38:38
單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
單片機應用技術選編10 單片機應用技術選編11 《單片機應用技術選編》選編了1992年國內30種期刊雜志中有關單片機應用的通用技術、實用技術以及相關領域中新器件、新技術等212篇文章,反映了現階段我國
2008-10-24 18:30:44
基于GaN器件的產品設計可以提高開關頻率,減小體積無源器件,進一步優化產品功率密度和成本。然而,由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性,給散熱帶來了一系列新的挑戰耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
在過去的十多年里,行業專家和分析人士一直在預測,基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
的頻率交換意味著GaN可以一次轉換更大范圍的功率,減少復雜裝置中的功率變換。由于每次功率變換都會產生新的能耗,這對于很多高壓應用都是一項顯著的優勢。當然,一項已經持續發展60年的技術不會一夜之間被取代
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固,因此需謹慎應用,集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題,給出一個驅動器方案,解決設計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
本書是“圖解實用電子技術叢書”之一,書中詳細介紹了運算放大器的內部特性與工作原理,由淺入深、循序漸進。可供從事運算放大器內部電路設計的讀者使用,也可作為電子、信息工程等專業師生與相關專業科研人員的參考用書。附件電子元器件應用技術.pdf27.2 MB
2018-11-08 09:48:19
作者: Grant Smith,德州儀器 (TI)業務拓展經理簡介功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠導致更高
2019-07-12 12:56:17
以及免執照5GHz頻譜的使用等。 這些短期和中期擴容技術以及最終的5G網絡將要求采用能提供更高功率輸出和功效且支持寬帶運行和高頻頻段的基站功率放大器 (PA)。 GaN on SiC的前景 歷史上
2018-12-05 15:18:26
` 無人機應用技術專業前景怎么樣?`
2019-08-28 16:38:40
` 誰來闡述一下無人機應用技術專業如何?`
2019-08-28 16:31:41
` 誰來闡述一下無人機應用技術專業屬于什么大類?`
2019-08-28 16:48:27
` 誰知道無人機應用技術專業是找什么工作的?`
2019-08-28 16:42:18
最新功率半導體器件應用技術 259頁
2012-08-20 19:46:39
您好,有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件,因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時,它只顯示GaAs,JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬,我需要一個GaN器件。請提出你的建議
2019-01-17 15:55:31
步進電機應用技術
2020-05-19 10:26:11
數據中心應用服務器電源管理的直接轉換。 此外,自動駕駛車輛激光雷達驅動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡線跟蹤等應用可從GaN技術的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導損耗降低,并
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
本帖最后由 毛坦523416 于 2012-12-23 20:29 編輯
液晶顯示器件應用技術 液晶顯示應用技術
2012-12-23 20:25:34
液晶顯示器件應用技術可供從事電氣工程、電子儀器儀表、計算機、通信設備、家用電器、核工業、航空航天、石油化工、紡織、機械等行業中電氣控制設備設計、開發、研究和生產的工程技術人員以及從事上述產品生產
2009-08-06 09:22:31
。在這次活動中,劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強氮化鎵(ICeGaN)技術,以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術基于增強型 GaN 高電子遷移率晶體管,具有超低比導通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
器件的市場營收預計將達到13億美元,約占3W以上的RF 功率市場的45%。2015-2025年射頻功率市場不同技術路線的份額占比資料來源:YOLE境外GaN射頻器件產業鏈重點公司及產品進展:目前微波射頻
2019-04-13 22:28:48
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯
1.GaN功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
請問一下GaN器件和AMO技術能實現高效率和寬帶寬嗎?
2021-04-19 09:22:09
資料分享----CCD電荷耦合器件應用技術 261頁
2022-11-03 22:51:49
液晶顯示器件應用技術pdf
2008-06-01 20:56:5224 現代功率模塊及器件應用技術
引言
最近20年來,功率器件及其封裝技術的迅猛發展,導致了電力電子技術領域的巨大變化。當今的
2009-04-09 08:54:241001 據權威媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場,預計到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發展將更多地集中到SiC和GaN的技術創新上。
2013-09-18 10:13:112464 最新功率半導體器件應用技術
2017-10-17 11:36:5121 該晶圓產品具備高晶體質量、高材料均勻性、高耐壓與高可靠性等特點,同時實現材料有效壽命超過1百萬小時,成功解決了困擾硅基GaN材料應用的技術難題,適用于中高壓硅基GaN功率器件的產業化應用。
2018-01-04 15:36:5315710 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關器件制造技術。
2018-09-30 14:36:333921 EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場、產品應用和技術特性方面的信息,以及英飛凌相關業務和此次量產產品的細節。
2018-12-06 18:06:214654 目前世界范圍內圍繞著GaN功率電子器件的研發工作主要分為兩大技術路線,一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導通型器件的技術路線,另一是在Si襯底上制作平面導通型器件的技術路線。
2019-08-01 15:00:037275 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固,因此需謹慎應用,集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題,給出一個驅動器方案,解決設計過程的風險。
2019-11-18 08:38:435668 該GaN功率器件可以應用在快速充電設備中, 令其避免出現受高溫熔斷的情況,進而確保此功率器件在進行快速充電時能夠很好的運行使用。
2020-03-16 15:34:303656 ,特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據集邦咨詢(TrendForce)指出,因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升,預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元,年增30.8%及90.6%,SiC器件功率領域營收
2021-05-03 16:18:0010175 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術,分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關鍵技術,提供了
2021-04-21 09:55:203871 與Si元器件相比,GaN具有高擊穿電場強度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點,可大幅提升器件與系統的功率密度、工作頻率與能量轉換效率,隨著5G通信和新能源汽車的迅猛發展,GaN快充技術也隨之受到關注。
2021-12-24 09:46:131449 意法半導體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業界展示了該公司用于汽車應用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術及其自身獨特的設計和封裝專業知識
2022-08-03 10:44:57641 。與此同時,一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩步前進,該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍,比當今市場上最好的 GaN 產品好 300 倍(圖1)。 圖 1:一平方毫米器件的理論導通電阻與基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代(紫色圓點)和
2022-08-04 11:17:55587 的限制,并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此,設計人員越來越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導體。 功率氮化鎵技術 GaN 技術,特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161078 的操作。 將 GaN 與其他材料集成在技術上具有挑戰性。很難將金剛石和GaN與導熱界面和界面處的低應力結合。該建模使GaN器件能夠充分利用單晶金剛石的高導熱性,從而為大功率解決方案實現出色的冷卻效果。由于其他標準過程中的熱膨脹系數不同
2022-08-08 11:35:181786 GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復雜工業電機控制應用中的傳統 MOSFET 和 IGBT。
2022-08-12 15:31:231530 相比于橫向功率電子器件,GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動態特性、更佳的熱管理,而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國內外眾多科研團隊的目光,近些年已取得了重要進展。
2022-12-15 16:25:35754 GaN功率晶體管:器件、技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11426 電動汽車中的 GaN 還處于早期階段。許多功率 GaN 廠商已經開發并通過汽車認證 650 V GaN 器件,用于 EV/HEV 中的車載充電器和 DC/DC 轉換,并且已經與汽車企業建立了無數合作伙伴關系。
2023-01-06 11:11:34459 功率 GaN 技術:高效功率轉換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 寬禁帶半導體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作,在高效功率轉換,射頻功放,以及極端環境電子應用方面具有優異的材料優勢。
2023-08-09 16:10:10555 GaN因其特性,作為高性能功率半導體材料而備受關注,近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長GaN晶體)和垂直型(原樣使用GaN襯底)。
2023-09-13 15:05:25660 機構Yole數據顯示,2022年GaN功率器件在總功率半導體(功率芯片、功率分立器件和模塊)市場中的占比僅為0.3%。盡管GaN功率率器件的復合年增長率很高(59%),Yole預計到2027
2023-09-21 17:39:211630 使用GaN(氮化鎵)的功率半導體作為節能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯手創造了一項新技術,解決了導致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:40709 論文研究氮化鎵GaN功率集成技術
2023-01-13 09:07:473 氮化鎵(GaN)功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流(DC-DC)變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點,用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:03350 隨著半導體技術的發展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 電源散熱技術,都有助于實現電源從組件到系統的全方位突破。因此,基于GaN功率器件來研究高頻、高效和輕量化的宇航電源,將引導新一代宇航電源產品實現性能參數的巨大飛躍,
2024-01-05 17:59:04272 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667
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