2．Vds對(duì)溝道導(dǎo)電才能的控制
當(dāng)Vgs＞Vgs（th），且固定為某一值時(shí)，來(lái)剖析漏源電壓Vds對(duì)漏極電流ID的影響。Vds的不同變化對(duì)溝道的影響如圖所示。
依據(jù)此圖能夠有如下關(guān)系：
VDS=VDG＋VGS=—VGD＋VGSVGD=VGS—VDS
當(dāng)VDS為0或較小時(shí)，相當(dāng)VGD＞VGS（th），溝道呈斜線散布。在緊靠漏極處，溝道到達(dá)開啟的水平以上，漏源之間有電流經(jīng)過(guò)。
當(dāng)VDS增加到使VGD=VGS（th）時(shí)，相當(dāng)于VDS增加使漏極處溝道縮減到剛剛開啟的狀況，稱為預(yù)夾斷，此時(shí)的漏極電流ID根本飽和。
當(dāng)VDS增加到VGD
當(dāng)VGS＞VGS（th），且固定為某一值時(shí)，VDS對(duì)ID的影響，即iD=f（vDS）|VGS=const這一關(guān)系曲線如圖02.16所示。
場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因
1、電路設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤；
2、頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了；
3、沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片；
4、MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。