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東芝將采用最新工藝技術開發新型晶體管陣列系列

2014年10月08日 18:43 電子發燒友 作者:秩名 用戶評論(0

  通過采用DMOS FET 型輸出驅動器來擴大高效晶體管陣列陣容

  東京—東芝公司(TOKYO:6502)今天宣布,該公司正在開發BiCD[2]晶體管陣列TB62xxxA系列,以取代其雙極晶體管陣列TD62xxx系列。后者在一系列廣泛的應用中使用,包括電機、繼電器和LED驅動。新一代系列產品將搭載采用最新的BiCD工藝技術開發的DMOS FET型輸出驅動器。樣品出貨和量產計劃于2015年6月啟動。

  相比現有的雙極晶體管陣列,新產品將提供更快的切換速度并減少輸入電流,同時有助于提高功率效率。

  東芝供應雙極晶體管陣列的歷史已逾40年,且目前中壓(約50V)TD62xxx系列包含100多款裝置。隨著近來客戶對金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)型陣列的需求超過雙極陣列,東芝決定開始采用BiCD工藝技術開發晶體管陣列,這項技術有望成為未來的標準。

  東芝已從本月開始進行產品開發,并將于2015年6月啟動新系列首款產品TB62003A的樣品出貨和量產。TB62003A是現有TD62003A的升級版。隨后,該公司計劃每六個月推出TB62xxxA系列中的兩款產品,累積將推出超過12款產品。

  新系列的主要特性

  · 工藝技術:130nm BiCD(東芝的最新BiCD工藝技術)

  · 維持電壓:50V,與現有的雙極晶體管陣列相同

  · 封裝:與現有雙極晶體管陣列的封裝相同,均采用同樣的引腳分配

  · 輸出電流:500mA(TB62003A:與現有產品相同)

  · 功能:與現有產品相同

  · 產品名稱:“TB62xxxA系列”,由“TD62xxxA系列”變更而來(命名規則還將改變)

  注:

  · [1]雙擴散型金屬氧化物半導體場效應晶體管

  · [2]實現雙極、CMOS和DMOS設備集成的工藝技術

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( 發表人:韓秀榮 )

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