場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
1.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型
已知場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性表達(dá)式：
求全微分:
其中： 
低頻跨導(dǎo)可從輸出曲線上求出
aaaa a
漏極與源極間等效電阻
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一般rds很大，可忽略，得簡(jiǎn)化小信號(hào)模型:
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2. 共源極放大電路
以NMOS增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管為例
三極管與場(chǎng)效應(yīng)管三種組態(tài)對(duì)照表：
電路組成
比較共源和共射放大電路，它們只是在偏置電路和受控源的類型上有所不同。只要將微變等效電路畫(huà)出，就是一個(gè)解電路的問(wèn)題了。
圖中Rg1、Rg2是柵極偏置電阻，Rs是源極電阻，Rd是漏極負(fù)載電阻。與共射基本放大電路的Rb1、Rb2，Re和Rc分別一一對(duì)應(yīng)。而且只要結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源間PN結(jié)是反偏工作，無(wú)柵流，那么JFETMOSFET的直流通道和交流通道是一樣的。
直流分析
直流分析：
VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)
VGS= VG－VS= VG－IDR
ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2
VDS= VDD－ID(Rd+R)
解出VGS、ID和VDS。
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直流通路