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雙向可控硅觸發電路圖四 - 雙向可控硅觸發電路圖大全(六款雙向可控硅觸發電路)

2018年02月26日 13:40 網絡整理 作者: 用戶評論(0

  雙向可控硅觸發電路圖四:

  如下圖所示,當電網電壓小于220V時,雙向可控硅SCR2控制極上的電壓也隨電網電壓減小而降低,致使VD2導通角小,C1端電壓上升,從而使雙向可控硅SCRl控制極電壓升高,使輸出電壓上升。反之,輸出電壓下降,達到穩壓。

雙向可控硅觸發電路圖大全

  雙向可控硅觸發電路圖五:

  所示,左側為兩個30K/2W的電阻,這樣限制輸入電流為:220V/60K=3.67mA,由于該路僅僅是為了提取交流信號,因此小電流輸入即可。整流橋芯片采用小功率(2W)的KBP210,之后接入一個光耦(P521),這樣如圖1整流后信號電壓值超過光耦前段二極管的導通電壓時,即產生一次脈沖,光耦右側為一上拉電路,VCC為單片機供電電壓:+3.3V。光耦三極管導通時,輸出低電平,關閉時輸出高電平。
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  雙向可控硅觸發電路圖六:

  VDI、VD2、Cl與C2組成簡單的電容降壓半被整流電源,通電后C2兩端能獲得約12V左右的直流電壓供光控電路用電。VT、VD3、R2、R3與RP構成光控電路,白天光敏二極管VD3受光照射呈低電阻,VT基極電位下降,所以VT截止,可控硅vs得不到觸發電壓而處于關斷狀態,燈H不亮。夜間,VD3無光線照射呈高電阻,VT的基極電位上升,VT導通,就向vs注入正向觸發電流,故vs立即開通,燈H全壓點亮。調節電位器RP能調節三極管VT的基極電位,從而能對光控靈敏度進行調整。

雙向可控硅觸發電路圖大全

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( 發表人:姚遠香 )

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