關(guān)于晶體振蕩器，通常使用其簡(jiǎn)稱-晶振，這是一種機(jī)電的具體器件，是使用電損耗比較小的石英晶體經(jīng)過(guò)仔細(xì)的切割和磨削，并且還要鍍電極焊上的引線才可以做成。

晶體振蕩器其實(shí)就是屬于時(shí)鐘電路中的一個(gè)比較重要的部件，它的具體作用就是提供基準(zhǔn)頻率向顯卡、網(wǎng)卡和主板等一些相關(guān)的配件的不同部分，它其實(shí)就像一把標(biāo)尺，如果它的工作頻率是不穩(wěn)定的，那就會(huì)造成一些相關(guān)設(shè)備的工作頻率也變得有些不穩(wěn)定，自然而然這樣就容易出現(xiàn)一些問(wèn)題。目前由于鍛造技術(shù)的提高，現(xiàn)在晶體振蕩器的頻率偏差、溫度的穩(wěn)定性和老化率等技術(shù)的指標(biāo)都十分好，出現(xiàn)故障已經(jīng)不那么容易了，但在使用的時(shí)候還需要注意晶體振蕩器的質(zhì)量。

晶體振蕩器技術(shù)指標(biāo)

1、總頻差：在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱頻率的最大頻差。

說(shuō)明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率溫度準(zhǔn)確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩(wěn)定度和頻率負(fù)載穩(wěn)定度共同造成的最大頻差。一般只在對(duì)短期頻率穩(wěn)定度關(guān)心，而對(duì)其他頻率穩(wěn)定度指標(biāo)不嚴(yán)格要求的場(chǎng)合采用。例如：精密制導(dǎo)雷達(dá)。

2、頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的最大允許頻偏。

fT=±（fmax-fmin）/（fmax+fmin）

fTref =±MAX［|（fmax-fref）/fref|，|（fmin-fref）/fref|］

fT：頻率溫度穩(wěn)定度（不帶隱含基準(zhǔn)溫度）

fTref：頻率溫度穩(wěn)定度（帶隱含基準(zhǔn)溫度）

fmax ：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的最高頻率

fmin：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的最低頻率

fref：規(guī)定基準(zhǔn)溫度測(cè)得的頻率

說(shuō)明：采用fTref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用fT指標(biāo)的晶體振蕩器，故fTref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。

3、頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間：以晶體振蕩器穩(wěn)定輸出頻率為基準(zhǔn)，從加電到輸出頻率小于規(guī)定頻率允差所需要的時(shí)間。

說(shuō)明：在多數(shù)應(yīng)用中，晶體振蕩器是長(zhǎng)期加電的，然而在某些應(yīng)用中晶體振蕩器需要頻繁的開(kāi)機(jī)和關(guān)機(jī)，這時(shí)頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間指標(biāo)需要被考慮到（尤其是對(duì)于在苛刻環(huán)境中使用的軍用通訊電臺(tái)，當(dāng)要求頻率溫度穩(wěn)定度≤±0.3ppm（-45℃～85℃），采用OCXO作為本振，頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間將不少于5分鐘，而采用DTCXO只需要十幾秒鐘）。

4、頻率老化率：在恒定的環(huán)境條件下測(cè)量振蕩器頻率時(shí)，振蕩器頻率和時(shí)間之間的關(guān)系。這種長(zhǎng)期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，可用規(guī)定時(shí)限后的最大變化率（如±10ppb/天，加電72小時(shí)后），或規(guī)定的時(shí)限內(nèi)最大的總頻率變化（如：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））來(lái)表示。

說(shuō)明：TCXO的頻率老化率為：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特殊情況，TCXO很少采用每天頻率老化率的指標(biāo)，因?yàn)榧词乖趯?shí)驗(yàn)室的條件下，溫度變化引起的頻率變化也將大大超過(guò)溫度補(bǔ)償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個(gè)指標(biāo)失去了實(shí)際的意義）。OCXO的頻率老化率為：±0.5ppb～±10ppb/天（加電72小時(shí)后），±30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。

5、頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的最小峰值改變量。

說(shuō)明：基準(zhǔn)電壓為+2.5V，規(guī)定終點(diǎn)電壓為+0.5V和+4.5V，壓控晶體振蕩器在+0.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為-110ppm，在+4.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為+130ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm（2.5V±2V）。

6、壓控頻率響應(yīng)范圍：當(dāng)調(diào)制頻率變化時(shí)，峰值頻偏與調(diào)制頻率之間的關(guān)系。通常用規(guī)定的調(diào)制頻率比規(guī)定的調(diào)制基準(zhǔn)頻率低若干dB表示。

說(shuō)明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應(yīng)為0～10kHz。

7、頻率壓控線性：與理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量度，它以百分?jǐn)?shù)表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線性度。

說(shuō)明：典型的VCXO頻率壓控線性為：≤±10%，≤±20%。簡(jiǎn)單的VCXO頻率壓控線性計(jì)算方法為（當(dāng)頻率壓控極性為正極性時(shí)）：頻率壓控線性=±（（fmax-fmin）/ f0）×100%

fmax：VCXO在最大壓控電壓時(shí)的輸出頻率

fmin：VCXO在最小壓控電壓時(shí)的輸出頻率

f0：壓控中心電壓頻率

8、單邊帶相位噪聲￡（f）：偏離載波f處，一個(gè)相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之比。