采用不同的樣品(見(jiàn)下)進(jìn)行以下兩種試驗(yàn):群脈沖試驗(yàn)(見(jiàn)表1)和浪涌試驗(yàn)(見(jiàn)表2)。

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　　試驗(yàn)條件為如下：

　　A. 輸入電壓:0V 或標(biāo)稱值。負(fù)載:40W 燈泡;

　　B. 《2kV 時(shí)，Burst 測(cè)試頻率:5kHz;》2kV 時(shí)，Burst 測(cè)試頻率:2.5kHz。

　　C. 樣品: N0. 1、N0.2 和N0.3 的結(jié)構(gòu)不相同，PCB相同;N0.4 和N0.5 的光耦不相同，其它相同。( 見(jiàn)表1 中的“產(chǎn)品/元件型號(hào)”)

　　D .測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表1 。

　　a. 表中“1 ”表示通過(guò)，“0 ”表示不通過(guò)。判定標(biāo)準(zhǔn)：“1 ”: 燈泡不閃;“0 ”:：燈泡閃爍。

　　b.表中L：火線;N：零線。

　　試驗(yàn)不難看出：

　　(1)對(duì)比A 公司產(chǎn)品兩個(gè)繼電器，其電路結(jié)構(gòu)、元器件參數(shù)完全相同，僅僅前者多了一個(gè)散熱片，但其burst測(cè)試只能達(dá)到2kV，而第2 個(gè)的burst 測(cè)試可以達(dá)到4kV。由此可知，產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化會(huì)影響到E M C 性能;

　　(2)RC 會(huì)很大程度的影響固體繼電器的EMC 性能;不加R C 電路的結(jié)構(gòu)，E M C 性能最差，見(jiàn)B 公司產(chǎn)品;

　　(3) 采用不同的光耦，其EMC 性能會(huì)有很大的變化，見(jiàn)N0.4 與N0.5 的試驗(yàn)結(jié)果;

　　(4) 不同的光耦和不同的可控硅組合對(duì)EMC 性能也有較大影響;

　　(5) 選擇適當(dāng)?shù)腞C 組合，也可提高Burst 和Surge抗擾能力。當(dāng)R C 中C 值一定時(shí)，固態(tài)繼電器對(duì)B u r s t的抗擾能力與R 值成反相關(guān)關(guān)系，但當(dāng)R 小到一定的值時(shí)，這種關(guān)系就不再明顯;

　　(6) 增加RV 壓敏電阻可大大增強(qiáng)Surge 的抗擾能力。

　　4 測(cè)試方法及注意事項(xiàng)

　　為了正確獲得試驗(yàn)數(shù)據(jù)必須按要求正確設(shè)計(jì)測(cè)試回路，和正確的連線。然后設(shè)定方法和步驟，最后按判定標(biāo)準(zhǔn)獲取數(shù)據(jù)。

　　4.1 測(cè)試電路

　　圖4 所示為測(cè)試電路。對(duì)SSR 來(lái)說(shuō)，有信號(hào)源(穩(wěn)壓電源)、小于1 米的連線、負(fù)載及有關(guān)儀器;圖5 為電源信號(hào)疊加干擾信號(hào)的波形。

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　　4.2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及要求及判定要求

　　表3 為EMC 的抗干擾標(biāo)準(zhǔn)：EN61000-4-4、EN61000-4-5 和EN61000-4-2 的試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及要求。對(duì)SSR 來(lái)說(shuō)，其工作狀態(tài)要求樣品處于正常關(guān)斷和接通狀態(tài)加入干擾源，觀察樣品是否失效。