二極管主要作為實現電路中各種不同電性功能的元件。因此，二極管的選型要關注以下特性： 耐壓，溫度范圍，元件封裝形式與尺寸； 漏電流、ESR、散逸因數、阻抗/頻率特性； 二極管的壽命；實際需要、性能和成本等綜合考量。
續流二極管的重要技術參數
IGBT內部的體二極管并非寄生的，而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓耐而特別設置的，又稱為FWD（續流二極管）。不過，FWD也可以在IGBT外部并聯，稱為內部FWD似乎更為合適。
體二極管的電氣參數基本上是與IGBT本身相當的。IGBT的相關參數并不包括體二極管，在進行設計計算時必須同時考慮體二極管；而且，在緊急情況下將IGBT的柵極與發射極短接，也可以作為快恢復二極管或者超快恢復二極管使用，成本上的差別也不大。
1． VF、IF
·VF：Internal diode forward On-Voltage，體二極管正向壓降。
·IF：Internal diode RMS forward current，體二極管正向平均電流。
VF、IF與TC直接正相關，而VF與IF直接正相關，技術手冊中一般給出的是最大值。不同Tc 條件的數值可以用@隔開，簡寫條件下可以用腳標表示，如“IF@ Tc =100℃，16A”與“IF100 =16A”所表達的意思是一樣的。這與最大集電極電流Ic的表示方法是一樣的。
VF、IF的關系大致可以用圖1描述。
圖1 IF與VF及其與溫度的大致關系（FGA25N120ANTD中的體二極管）
VF、IF表征的是續流時二極管可以承受的電流水平以及由此帶來的功耗水平（VF× IF）。
2.Irr、trr、Qrr
· Irr：Internal diode peak reverse recovery current，體二極管反向恢復最大電流，也寫作IRM，本文采納Irr。
· trr：Internal diode reverse recovery time，二極管反向恢復時間，體二極管中的電荷泄放時間。
·Qrr：Internal diode reverse recovery charge，體二極管反向恢復電荷。
體二極管正向導通、作為續二極管使用時，續流電流也會同時給體二極管的結電容充電；續流結束后，體二極管并不會馬上關斷，這是因為存儲電荷的釋放形成了與續流電流方向相反的回復電流。這個方向恢復電流與IGBT的集電極正向電流的方向是相同的，因此會增加IGBT的集電極功耗。
續流電流與反向恢復電流的關系可以用圖2表示。
圖2 續流電流與反向恢復電流Irr的關系
反向恢復電荷Qrr可以用下式進行近似計算：
式中，Qrr為變量，單位是C（庫倫）；Irr為變量，單位是A；trr為變量，單位是s。
就目前來看，超快恢復二極管的trr＞50ns，快恢復二級鋼管的trr＞100ns，快速二極管的trr＞300ns，普通二極管的trr＞500ns，肖特基二極管的trr＜10ns。有些超快恢復二極管的trr為20~50ns。
3.IFM、IFSM
IFM、IFSM的含義基本相同，均為極限參數，表示體二極管抗電流單次沖擊的極限能力，也稱為浪涌電流。IFM表示體二極管能承受的最大正向電流，其大小受限于結溫；IFSM也表示體二極管能承受的最大正向電流，但一般同時規定了測試條件——測試信號為正弦波，脈寬為10ms，單脈沖。
IFM、IFSM與IGBT的ICM含義相近，只是承受電流的主題不同罷了，而且有時候數值也比較接近。
4.di（rec）M/dt、dif/dt
·di（rec）M/dt：體二極管反向恢復電流的跌落速率（圖3中的tb時間段），單位A/μs。
·dif/dt：體二極管續流電流的變化速率，單位A/μs。
dif/dt對于Irr、trr、Qrr均有明顯影響，對Irr、Qrr的影響是正向的，對trr的影響則是反向的，如圖3所示。
肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通訊電源、變頻器等中比較常見。
肖特基二極管主要參數有這些
IF（IO）：正向電流（A）
VRRM：反向耐壓（V）
IFSM：峰值瞬態浪涌電流（A）
IF：測試電流（A）
VF：正向壓降（V）
IR：反向漏電流（UA）