與晶體管相關(guān)歷史事件

　IBM將于12月在舊金山國際電子設(shè)備大會(huì)上介紹新晶體管設(shè)計(jì)方案的詳細(xì)內(nèi)容，并于2005～2006年投入生產(chǎn)，其210GHz晶體管已于2001年6月推出，相關(guān)芯片在2003年末或2004年初上市。

　　2005年2月22日，財(cái)政部和國家稅務(wù)總局聯(lián)合下發(fā)《關(guān)于扶持薄膜晶體管顯示器產(chǎn)業(yè)發(fā)展稅收優(yōu)惠政策的通知》對(duì)液晶顯示器生產(chǎn)企業(yè)實(shí)施一系列包括免征部分原材料進(jìn)口關(guān)稅、部分生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)口關(guān)稅和增值稅、縮短生產(chǎn)性設(shè)備的折舊年限在內(nèi)的稅收優(yōu)惠政策。

　　專家認(rèn)為每個(gè)晶體管最低價(jià)格底線出現(xiàn)在2003～2005年，從經(jīng)濟(jì)觀點(diǎn)看，沒有必要把晶體管做得更小了。

　　到2005年，芯片所含晶體管數(shù)將高達(dá)幾十億只，頻率也將高達(dá)幾千兆赫。

　　預(yù)計(jì)在2005年將推出采用全新的TeraHertz晶體管架構(gòu)的產(chǎn)品。

　　到2005年芯片上集成2億個(gè)晶體管時(shí)就會(huì)熱得像“核反應(yīng)堆”進(jìn)入2010年時(shí)芯片的溫度就會(huì)達(dá)到火箭發(fā)射時(shí)高溫氣體噴嘴的溫度水平，而到2015年芯片就會(huì)與太陽的表面一樣灼熱。

　　2005年公司才把研發(fā)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向液晶玻殼，并與鄭州市建設(shè)投資總公司共同投資近22億元啟動(dòng)薄膜晶體管液晶顯示器件玻璃基板生產(chǎn)線項(xiàng)目。

　　預(yù)計(jì)至2004年，hitel將可推出在新的直徑為300毫米（約12英寸）的晶圓片（晶圓片尺寸一般十年翻一番）上能夠刻出容納5億個(gè)晶體管的芯片。

　　例如，2004年投入應(yīng)用的90nm藝，其中半節(jié)距為90nm，而晶體管的物理柵長為37nm

　　2004年業(yè)界已采用超薄SOI晶圓推出0.1μm1億個(gè)晶體管的高速CMOS電路。

　　夾海來風(fēng)TFTLCD成為***下一波新產(chǎn)業(yè)投資焦點(diǎn)未來兩年內(nèi)我國***在大型薄膜晶體管液晶顯示器（TFTLCD）產(chǎn)業(yè)的投資將近1000億元（新臺(tái)幣）根據(jù)“工研院電子所”估計(jì)，到2003年可以創(chuàng)造2000億元年產(chǎn)值，成為繼半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之后，另一波帶動(dòng)***經(jīng)濟(jì)成長的重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)。

　　2003年使用的90nm工藝又有了一些變化，同樣除了線長和門長度的縮短以外，應(yīng)變硅 Strainedsi）被首次引入了晶體管中以解決晶 體管內(nèi)部電流通路問題。

　　據(jù)統(tǒng)計(jì)，2003年單位芯片的晶體管數(shù)目與1963年相比增加了10億倍。

　　Barton：在2002年下半年，AMD將會(huì)發(fā)布應(yīng)用SOI（硅連接）晶體管結(jié)構(gòu)的Barton內(nèi)核處理器。

　　結(jié)果從2002年1月1日起，我國對(duì)移動(dòng)通信基站，移動(dòng)通信交換機(jī)，大、中、小型計(jì)算機(jī)，噴墨、激光打印機(jī)，傳真機(jī)，電阻器，電位器，晶體管及集成電路等122個(gè)關(guān)稅稅目的主要信息技術(shù)產(chǎn)品實(shí)行零關(guān)稅，占我國信息技術(shù)產(chǎn)品總稅目（共251個(gè)）的49％左右。

　　2002年以來，日本以外的市場(chǎng)對(duì)彩色超向量扭曲薄膜晶體管LCD的需求激增。

　　根據(jù)中國加入世界貿(mào)易組織信息技術(shù)產(chǎn)品協(xié)議的承諾，2002年中國將對(duì)移動(dòng)通信基站、移動(dòng)通信交換機(jī)、大中小型計(jì)算機(jī)、噴墨、激光打印機(jī)、傳真機(jī)、電阻器、電位器、晶體管及集成電路等122個(gè)關(guān)稅稅目的主要信息技術(shù)產(chǎn)品實(shí)行零關(guān)稅。

　　2002年9月15日在美國硅谷舉辦的微處理器論壇上，世界芯片業(yè)霸主、美國英特爾公司表示，該公司將在2007年推出集成10億個(gè)晶體管和運(yùn)行速度高達(dá)6GHz電腦芯片，讓世界芯片進(jìn)入10億晶體管時(shí)代，同時(shí)證明摩爾定律這棵發(fā)明理論之樹常青。

　　2002年5月，IBM開發(fā)出速度遠(yuǎn)超過現(xiàn)在最先進(jìn)的硅晶體管的碳納米晶體管，實(shí)用化進(jìn)程再次加速。

　　而在2001年年底到2002年年初的這段時(shí)間里，英特爾公司的產(chǎn)品線將全部轉(zhuǎn)移到0.13微米封裝工藝，所采用的晶體管制造技術(shù)為70納米。

　　2001年9月25日，投資金額14．8億美元的中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，在上海張江高新科技園區(qū)舉行了“中芯第一芯”投產(chǎn)慶典，慶祝第一片8英寸、0．25微米以下線寬（指芯片上晶體管之間的距離，越短則同一個(gè)芯片上可排列的晶體管越多，技術(shù)水平越高）的芯片上線生產(chǎn)。

　　2001年，貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了世界上第一個(gè)分子級(jí)晶體管，從而成為繼1947年發(fā)明，標(biāo)志著通信和技術(shù)新時(shí)代到來的晶體管之后的又一個(gè)科學(xué)里程碑。

　　2001年7月18日，青島晶體管實(shí)驗(yàn)所開島城科研院所改制之先河：130名職工出資100萬元將其買斷，斯時(shí)，這個(gè)實(shí)驗(yàn)所在國有體制下經(jīng)營了35年。

　　2001年6月，IBM宣布單個(gè)硅鍺晶體管的工作頻率達(dá)到210GHz，工作電流1mA，比上一代硅鍺晶體管速度提高了80%，功耗降低了50%。

　　2001年，Avouris等人利用此法制造成功了世界上第一列碳納米管晶體管1451。

　　2001年4月，IBM公司宣布1世界上每一個(gè)碳納米材料晶體管俘列，從而使“分子計(jì)算機(jī)”的理想于始走向現(xiàn)實(shí)。

　　2001年4月，IBM公司宣布世界上第一個(gè)碳納米材料晶體管陣列，從而使“分子計(jì)算機(jī)”的理想開始走向現(xiàn)實(shí)。

　　2000年英特爾公司推出“奔騰4”處理器，運(yùn)行速度高達(dá)1.5GHz，集成的晶體管數(shù)量高達(dá)4200萬，每秒運(yùn)算量高達(dá)15億次。

　　2000年 11月，容納4200萬個(gè)晶體管的奔騰4處理器的誕生，其卓越的創(chuàng)新使處理器技術(shù)跨入了第7代。

　　2000年 12月，英特爾公司率先在業(yè)界開發(fā)出柵極長度為30nm的單晶體管；2001年6月，英特爾又將這一紀(jì)錄提高到20nm；同年 11月 26日，英特爾宣布已開發(fā)出柵極長度僅為15nm的新型晶體管，同時(shí)單個(gè)晶體管的實(shí)際工作頻率已經(jīng)能達(dá)到2．63THz。

　　到了2000年，每個(gè)設(shè)計(jì)工程師進(jìn)行新設(shè)計(jì)時(shí)的生產(chǎn)率為2683個(gè)晶體管/周，而采用IP進(jìn)行設(shè)計(jì)其生產(chǎn)率約為30000個(gè)晶體管/周，效率提高非常明顯，可以說IP重用是重要的生產(chǎn)力要素。

　　同時(shí)，毫米波功率晶體管可能在2000年前后轉(zhuǎn)到小批量的試制生產(chǎn)。

　　預(yù)計(jì)到2000年左右，全球?qū)⒂?GDRAM和可包含500億只晶體管的單片系統(tǒng)問。

　　2000年初，美國貝爾實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出50 nm向晶體管，該晶體管建在芯片表面，電流垂直流動(dòng)，在晶體管的兩個(gè)相對(duì)的面各有一個(gè)門，從而提高了運(yùn)算速度。

　　例如，2000年中國從馬來西亞進(jìn)口的28.8億美元的機(jī)電產(chǎn)品中，一半以上是顯像管、晶體管和集成電路。

　　隨著1999年9月第一批（TFT－LCD）彩色液晶顯示器的產(chǎn)出，中國內(nèi)地不能生產(chǎn)薄膜晶體管彩色液晶顯示器的歷史宣告結(jié)束。

　　早在1999年，富士通投入８億美元在本州島建成了一座可以生產(chǎn)超薄晶體管的工廠，那些平薄如紙的晶體管全部用于制造柔軟的可卷曲的塑料液晶。

　　1999年初 全國各高空臺(tái)站開始使用晶體管回答器。

　　1998年，國際商用機(jī)器公司托馬斯?沃特森研究中心的費(fèi)宗?阿武里斯和荷蘭德爾夫特科技大學(xué)的塞斯?德克爾證實(shí)，單個(gè)碳納米管具有晶體管功用。

　　自從1998年碳納米管應(yīng)用于制作室溫下場(chǎng)效應(yīng) 晶體管以來，對(duì)碳納米管制作納米尺度的分子器件的研究得到了長足的發(fā)展。

　　據(jù)1998年2月26日《科技日?qǐng)?bào)》的報(bào)導(dǎo)，美國桑迪亞國家實(shí)驗(yàn)室根據(jù)量子物理的基本原理制造出量子晶體管樣管，較好地解決了批量生產(chǎn)的工藝問題。

　　1998年3月 英特爾公司制成包含 7 0 2億個(gè)晶體管的集成電路芯片 這表明集成度這一微電子技術(shù)的重要指標(biāo) 在不到 40年內(nèi)便提高了7000萬倍。

　　1997年，包含750萬個(gè)晶體管的奔騰 處理器面世。

　　1997年，Intel推出了包含750萬個(gè)晶體管的奔騰 處理器，這款新產(chǎn)品集成了IntelMMX媒體增強(qiáng)技術(shù)，專門為高效處理視頻、音頻和圖形數(shù)據(jù)而設(shè)計(jì)。

　　1997年 Intel推出了包含750萬個(gè)晶體管的奔騰 處理器，集成了英特爾MMX媒體增強(qiáng)技術(shù)，專門為高效處理視頻、音頻和圖形數(shù)據(jù)而設(shè)計(jì)。

　　1997年，Intel推出了包含750萬個(gè)晶體管的奔騰 處理器。

　　在1997年，每個(gè)設(shè)計(jì)工程師進(jìn)行新設(shè)計(jì)時(shí)的生產(chǎn)率為1100個(gè)晶體管/周，而采用IP模塊進(jìn)行設(shè)計(jì)的生產(chǎn)率為2100個(gè)晶體管/周。

　　我們?cè)囍屏司哂休^高輸入阻抗的晶體管放大器，1997年7月29日在主站端試用，結(jié)果激活了至周浜站的通道，連續(xù)數(shù)天的通信不中斷。

　　微處理器技術(shù)另一個(gè)突破是芯片制造技術(shù)的革新，IBM于1997年9月22日宣布了用銅代替鋁制造晶體管的新工藝，使電子線路體積更小，從而速度更快，效能更高。

　　1997年9月IBM公司宣布研制成功種銅鶩代鋁制作晶體管的新生產(chǎn)工藝。

　　自1997年起經(jīng)過各廠家、用戶等有關(guān)部門的共同努力，目前全國絕大部分省局已經(jīng)使用晶體管回答器。

　　1995年底開鮮的晶體管構(gòu)造計(jì)劃，于1996年6月，第一批產(chǎn)靛經(jīng)測(cè)試是非常成功的。

　　1995年該廠上了兩臺(tái)單倉式晶體管高壓靜電除塵器，用在成品兩臺(tái)球磨機(jī)上。

　　1995年11月9日首先對(duì)其中一臺(tái)晶體管勵(lì)磁裝置進(jìn)行改造。

　　如索尼公司1995年掌握了晶體管方面的核心專長，生產(chǎn)出第一代晶體管收音機(jī)，體積小，每臺(tái)標(biāo)價(jià)僅29.95美元，做到了價(jià)廉物美，迅速占領(lǐng)了世界市場(chǎng)。

　　1994年初美國LSI公司研制成功集成度達(dá)900萬個(gè)晶體管的邏輯芯片，0.5μｍ３Ｖ

　　日本松下公司最早用SMT制作10ｎｍ質(zhì)量硅量子線，1994年在瑞士召開的國際納米工程會(huì)議上，首次展示用ＳＴＭ探針制作的晶體管單元電路。