輸入和輸出電容特性

　　輸入和輸出電容必須滿足預(yù)期工作溫度和工作電壓下的最小電容要求。陶瓷電容可采用各種各樣的電介質(zhì)制造，溫度和電壓不同，其特性也不相同。對于5 V應(yīng)用，建議采用電壓額定值為6.3 V至10 V的X5R或X7R電介質(zhì)。Y5V和Z5U電介質(zhì)的溫度和直流偏置特性不佳，因此不適合與LDO一起使用。

　　圖4所示為采用0402封裝的1 μF、10 V X5R電容與偏置電壓之間的關(guān)系。電容的封裝尺寸和電壓額定值對其電壓穩(wěn)定性影響極大。一般而言，封裝尺寸越大或電壓額定值越高，電壓穩(wěn)定性也就越好。X5R電介質(zhì)的溫度變化率在-40℃至+85°C溫度范圍內(nèi)為±15%，與封裝或電壓額定值沒有函數(shù)關(guān)系。

　　要確定溫度、元件容差和電壓范圍內(nèi)的最差情況下電容，可用溫度變化率和容差來調(diào)整標(biāo)稱電容，

　　如公式1所示：CEFF = CBIAS × （1 – TVAR） × （1 –TOL）（1）

　　其中，CBIAS是工作電壓下的標(biāo)稱電容；TVAR是溫度范圍內(nèi)最差情況下的電容變化率（百分率）；TOL是最差情況下的元件容差（百分率）。

　　本例中，X5R電介質(zhì)在–40°C至+85°C范圍內(nèi)的TVAR為15%；TOL為10%；CBIAS在1.8 V時為0.94 μF，如圖4所示。將這些值代入公式1， 即可得出：CEFF = 0.94 μF × （1 – 0.15） × （1 – 0.1） = 0.719 μF

　　在工作電壓和溫度范圍內(nèi)，ADP151的最小輸出旁路電容額定值為0.70 μF，因而此電容符合該項要求。

　　總結(jié)

　　為保證LDO的性能，必須正確認(rèn)識并嚴(yán)格評估旁路電容的直流偏置、溫度變化率和容差。在要求低噪聲、低漂移或高信號完整性的應(yīng)用中，也必須考慮電容技術(shù)。所有電容都存在一些不夠理想的行為效應(yīng)，因此所選的電容技術(shù)必須與應(yīng)用需求相適應(yīng)。