圖1是升壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器電路，它有一個(gè)眾所周知的問(wèn)題：如果將升壓轉(zhuǎn)換器IC1的輸入拉低來(lái)關(guān)斷升壓轉(zhuǎn)換器，外接電感L1和正向偏置肖特基二極管D1就可以讓負(fù)載繼續(xù)引出電流。對(duì)于電池供電的設(shè)備來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)沉重的負(fù)載（300 mA）。這種無(wú)用的直流電流路徑可能會(huì)很快耗盡電池電量。增加一個(gè)N溝道MOSFET Q1和一個(gè)100 k電阻器R1就可以在斷電時(shí)斷開(kāi)無(wú)用的電流路徑，從而解決這個(gè)問(wèn)題。這樣的電路適宜由微控制器處理電源管理問(wèn)題的電池供電系統(tǒng)應(yīng)用。

　　在輸入端施加一個(gè)邏輯低電平可同時(shí)關(guān)斷開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器MAX756，并關(guān)斷MOSFET，因此通過(guò)去除負(fù)載的對(duì)地連接而阻斷負(fù)載電流。當(dāng)信號(hào)被去掉以后，100 kΩ的上拉電阻器將MOSFET柵極電位拉高，使MOSFET導(dǎo)通。隨著接地的重新連接，負(fù)載又可以從工作的升壓轉(zhuǎn)換電路中獲得電流。

　　為了在大負(fù)載電流下獲得最佳結(jié)果， 要為Q1選擇有適當(dāng)?shù)偷膶?dǎo)通電阻的邏輯低電平MOSFET。MOSFET的漏源擊穿電壓也應(yīng)能承受至少兩倍的來(lái)自升壓轉(zhuǎn)換器的最大輸出電壓。必要時(shí)，可以將兩支以上MOSFET并聯(lián)，以降低MOSFET的有效導(dǎo)通電阻。