耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內(nèi)部集成了開(kāi)關(guān)管和同步整流管，通過(guò)它們進(jìn)行電壓的轉(zhuǎn)換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過(guò)程中，該芯片通過(guò)PWM
2024-03-22 11:31:10
DC-DC降壓穩(wěn)壓芯片的基本工作原理：
開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)：芯片內(nèi)部包含一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，通常是一個(gè)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。當(dāng)開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，輸入電壓通過(guò)電感器（或稱為線圈）向輸出電容器充電
2024-03-19 10:28:19
臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30
228 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
無(wú)線充低壓MOS管3G03 SOT23-6 30V N+P溝道MOS常用場(chǎng)效應(yīng)管，是電子工程領(lǐng)域中常用的電子元器件之一。它在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著重要的角色，特別是在無(wú)線充電領(lǐng)域，其應(yīng)用更是廣泛。首先
2024-03-07 20:19:09
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)！EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件，它的普及為汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)打開(kāi)了增長(zhǎng)的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
的基本結(jié)構(gòu)。MOSFET是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱。它由一個(gè)絕緣層上方的金屬接電
2024-01-31 13:39:45300 安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過(guò)獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。
2024-01-20 17:54:00916 
今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
在雙電源±15
V的供電的狀態(tài)下，ADG1408的模擬通道能輸入
30V（相對(duì)GND）的模擬電壓?jiǎn)幔?/div>
2024-01-05 12:57:40
我按LT8390設(shè)計(jì)輸入9-36V，輸出28V，250W,參考250W的DEMO，現(xiàn)在的問(wèn)題是：
1.輸入36V，空載時(shí)輸出電壓先升到30V，然后慢慢降到28V，這是為什么？
2.帶1A的負(fù)載
2024-01-04 07:48:47
近日，澎芯半導(dǎo)體在產(chǎn)品開(kāi)拓方面取得了多項(xiàng)進(jìn)展
2023-12-28 13:40:31395 
半導(dǎo)體分為哪幾種類型 怎么判斷p型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體如何導(dǎo)電? 半導(dǎo)體是一種具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間特性的物質(zhì)，其導(dǎo)電性能可以通過(guò)控制雜質(zhì)的加入而改變。半導(dǎo)體可以分為兩種類型：p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體
2023-12-19 14:03:481382 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。本文將對(duì)MOSFET和IGBT進(jìn)行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 官方網(wǎng)站稱，2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導(dǎo)體輸出芯片和零部件研發(fā)，生產(chǎn)，銷售的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體分立元件芯片、半導(dǎo)體分立元件、半導(dǎo)體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 利用AD5522怎么設(shè)計(jì)一個(gè)正負(fù)30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負(fù)11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設(shè)計(jì)出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設(shè)計(jì)一個(gè)高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內(nèi)即可。
2023-11-16 06:36:14
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10459 ? 中國(guó)上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:57663 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開(kāi)始。
2023-11-08 16:22:22319 安聯(lián)環(huán)球投資（Allianz Global Investors）總經(jīng)理兼臺(tái)灣負(fù)責(zé)人Ivy Chen最近表示：“臺(tái)灣半導(dǎo)體公司的收益到2024年將增加30%左右。”與此相比，臺(tái)灣上市公司的整體利潤(rùn)增加幅度預(yù)計(jì)將達(dá)到20%。
2023-11-06 11:33:10516 新潔能NCE30P12S NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET新潔能NCE30P12S，一款卓越的P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET，采用前沿的溝槽技術(shù)，盡顯卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:55
0 新潔能NCE30P30K NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET TO-252-2L新潔能NCE30P30K，全新升級(jí)，為您的高電流負(fù)載應(yīng)用提供強(qiáng)大支持！采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，民信微我們
2023-11-03 20:39:340 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
供應(yīng)AP90N03Q 30v 90a n mos管-90n03 mos管參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP90N03Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-27 15:20:440 供應(yīng)AP90N03Q 30v 90a mos管可代換NCEPB303GU-90N03 MOS ，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供90N03 MOS規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-27 15:17:48
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
供應(yīng)AP3400A 30v耐壓n溝道m(xù)os管兼容萬(wàn)代AO3400-3400 mos管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP3400A規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:30:52
供應(yīng)AP3400A N溝道 30V 5.8A MOS場(chǎng)效應(yīng)管-mos3400規(guī)格參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供mos3400規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:28:260 供應(yīng)AP30N03K 低結(jié)電容 30V MOS-30N03K場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30N03K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:14:000 供應(yīng)AP30N03K 電壓30V的貼片MOS管TO-252封裝絲印30N03K，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30N03K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:13:03
供應(yīng)AP30H80Q 30v 80a n mos管-鋰保mos管參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H80Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:00:130 供應(yīng)AP30H80Q 電機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管-N溝道 30V 80A 絲印30H80Q，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H80Q 規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:59:23
供應(yīng)AP30H80K 30V 80A N溝道MOS管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供30H80K規(guī)格書參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:52:000 供應(yīng)AP30H80K 30v耐壓n溝道m(xù)os管TO-252封裝 絲印:30H80K，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H80K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:50:43
供應(yīng)AP30H150KA 30V 150A N溝道MOS管-30h150場(chǎng)效應(yīng)管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H150KA規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:39:500 供應(yīng)AP30H150KA N溝道 30V 150A 絲印:30H150KA-30h150 mos管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H150KA規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:38:20
供應(yīng)AP3004S 30v 20a n mos管-mos3004參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP3004S 30v 20a n mos管規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:27:380 供應(yīng)AP3004S ALLPOWER銓力耐壓30v mos管 絲印:3004S，銓力MOS管廣泛應(yīng)用于汽車電子、BMS、PD電源、工業(yè)、SMPS、DC-DC、電動(dòng)工具、儲(chǔ)能、小家電、BMS、車載充電、EV Charger等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:26:18
12V升30V升壓芯片AH1160是一種電子元件，可以將電壓從12V升高到30V。此芯片內(nèi)置了60V NMOS升壓型LED驅(qū)動(dòng)器，可以有效地驅(qū)動(dòng)LED燈。該芯片的反饋電流采樣電壓為250mV，可以用來(lái)監(jiān)測(cè)LED驅(qū)動(dòng)器輸出電流的值。
2023-09-14 10:27:59509 ·技術(shù)論壇 — 超過(guò)30場(chǎng)分論壇，內(nèi)容圍繞電源與能源、電機(jī)控制和自動(dòng)化應(yīng)用·主題演講 — 超過(guò)25場(chǎng)主題演講，ST及合作伙伴的企業(yè)高管分享半導(dǎo)體前沿資訊及相關(guān)工業(yè)策略
▌三大行業(yè)應(yīng)用·電源與電能：擁有廣泛
2023-09-11 15:43:36
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:45474 和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:311140 供應(yīng)AP3908GD 30V bldc電機(jī)mos管 絲印:3908G-n+p復(fù)合mos，銓力MOS管廣泛應(yīng)用于汽車電子、BMS、PD電源、工業(yè)、SMPS、 DC-DC、電動(dòng)工具、儲(chǔ)能、小家電、BMS
2023-08-22 17:46:42
供應(yīng)AP90P03Q p溝道m(xù)os管 30v 60a絲印:90P03Q-銓力半導(dǎo)體代理，提供AP90P03Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:40:01
供應(yīng)AP50P03K 35a 30v p溝道增強(qiáng)型mos管絲印AP50P03，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP50P03K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:31:063 供應(yīng)AP50P03K p溝道m(xù)os -30v -35a絲印:AP50P03 儲(chǔ)能、小家電mos管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP50P03K 規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:30:12
AP4435C -20a -30v的耐壓mos管絲印:4435規(guī)格書參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP3160規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:25:181 供應(yīng)AP4435C -30v的耐壓p型mos管絲印:4435，銓力MOS管廣泛應(yīng)用于汽車電子、BMS、PD電源、工業(yè)、SMPS、 DC-DC、電動(dòng)工具、儲(chǔ)能、小家電、BMS、車載充電、EV
2023-08-22 17:24:17
供應(yīng)AP18P30Q -20a -30v耐壓的p型mos 絲印:18P30Q參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP18P30Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:19:590 供應(yīng)AP18P30Q p溝道m(xù)os管 30v 20a 絲印:18P30Q，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP18P30Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:19:05
供應(yīng)AP15P03Q -30v的耐壓mos管vbus絲印：15P03Q規(guī)格書參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP15P03Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:15:000 供應(yīng)AP15P03Q PDFN3*3 P溝道-30v -12A vbus開(kāi)關(guān)mos管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP15P03Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:13:54
供應(yīng)AP2080Q 場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）20V 30A參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP2080Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 16:45:380 ，減少人力資源消耗，為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動(dòng)影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測(cè)量、圖像拼接、環(huán)光獨(dú)立升降、圖像匹配、無(wú)接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測(cè)量需求，解決各行業(yè)尺寸測(cè)量難題。
2023-08-21 13:38:06
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
該電源提供可在0至30V之間調(diào)節(jié)的cc電壓，電流強(qiáng)度為1A，并具有內(nèi)置的可編程電流限制。
2023-07-25 17:26:401784 
HAT1108C 數(shù)據(jù)表 (-30V -1.5A Silicon P Channel MOS FET / Power Switching)
2023-07-13 18:31:360 簡(jiǎn)介：蘇州鐳拓激光科技有限公司智能化一站式激光設(shè)備供應(yīng)商，多款高精度塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)，咨詢塑料激光焊接機(jī)多少錢，歡迎聯(lián)系蘇州鐳拓激光！產(chǎn)品描述：品名：塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)品牌：鐳拓
2023-07-06 16:24:04
一：使用范圍半導(dǎo)體激光器大功率恒流脈沖驅(qū)動(dòng)二：特點(diǎn)本驅(qū)動(dòng)電源系統(tǒng)，具備多種獨(dú)特功能。1、對(duì)于導(dǎo)通壓降不同的負(fù)載，電源能在運(yùn)行過(guò)程中進(jìn)行自適應(yīng)，使得電源的內(nèi)阻和負(fù)載之間實(shí)現(xiàn)匹配，電壓適應(yīng)范圍較寬，可在
2023-07-01 10:56:28
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
供應(yīng)PTS4842 MOS場(chǎng)效應(yīng)管-30V/7.7A雙N溝道高級(jí)功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-10 14:45:17
根據(jù)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來(lái)看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來(lái)長(zhǎng)期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
歡迎先楫半導(dǎo)體HPMicro入駐電子發(fā)燒友社區(qū)!
【廠商介紹】“先楫半導(dǎo)體”（HPMicro）是一家致力于高性能嵌入式解決方案的半導(dǎo)體公司，總部位于上海，產(chǎn)品覆蓋微控制器、微處理器和周邊芯片，以及
2023-05-29 16:04:25
MOSFET 等類型；從技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)看，采用制程復(fù)雜芯片工藝以及采用氮化鎵等新型材料和與之相匹配的封裝工藝制造具有優(yōu)異性能參數(shù)產(chǎn)品是場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠商不斷追蹤的熱點(diǎn)。
廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱
2023-05-26 14:24:29
上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器 SiLM27624 系列，支持高達(dá) 30V 的輸入電源供電，滿足更高的驅(qū)動(dòng)電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21438 
請(qǐng)問(wèn)CANbus至RS232協(xié)議轉(zhuǎn)換器能夠用30V電壓的電源嗎？
2023-05-09 11:03:26
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的？
2023-04-23 11:27:04
IU5180集成30V的OVP功能，3A充電電流1~4節(jié)鋰電池，升降壓充電芯片
2023-04-19 20:49:374 及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
HAT1108C 數(shù)據(jù)表 (-30V -1.5A Silicon P Channel MOS FET / Power Switching)
2023-03-30 18:59:570 LAMP INCAND S-6 BAYONET 30V
2023-03-28 20:26:17
LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07
年，恩智浦收購(gòu)了由摩托羅拉創(chuàng)立的飛思卡爾半導(dǎo)體，成為全球前十大非存儲(chǔ)類半導(dǎo)體公司，以及全球最大的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商（Strategy Analytics）。在全球30個(gè)國(guó)家和地區(qū)設(shè)有辦事處，總員工
2023-03-27 14:32:00708 
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