電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《32位基于ARM核心的帶64或128K字節(jié)閃存的微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 09:07:49
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《16和32位RISC閃存微控制器TMS570LS0914數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 14:41:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《16和32位RISC閃存微控制器TMS570LS0714數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 14:39:220 一體化防爆氣象站W(wǎng)X-FBQ1具備數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)傳輸、遠(yuǎn)程控制等功能。通過(guò)先進(jìn)的數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)可以實(shí)時(shí)上傳至云平臺(tái)或指定的數(shù)據(jù)中心，方便管理人員進(jìn)行遠(yuǎn)程監(jiān)控和分析。同時(shí)，防爆氣象站還可以與其他安全
2024-03-14 16:34:38
三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶(hù)就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22
216 據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計(jì)劃在本月內(nèi)將開(kāi)工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場(chǎng)需求的變化和公司對(duì)于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35263 此次發(fā)布的新品包括OceanStor Dorado 2100，這是業(yè)界首款面向非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)設(shè)計(jì)的A-A架構(gòu)入門(mén)級(jí)全閃存NAS，還有對(duì)應(yīng)升級(jí)的SAN存儲(chǔ)OceanStor Dorado 2000和支持SAN&NAS一體化的OceanStor Dorado 3000。
2024-02-20 14:18:32193 NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器，存在于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車(chē)配件等應(yīng)用場(chǎng)景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
SD NAND是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備，與其他存儲(chǔ)設(shè)備相比，它具有以下幾個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)：
高可靠性：SD NAND針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的特殊需求進(jìn)行了設(shè)計(jì)，具有更高的可靠性。它內(nèi)置了閃存控制器
2024-01-05 17:54:39
Ability模板即可。
三、體驗(yàn)
新增：
最新端云一體化新增“云數(shù)據(jù)庫(kù)端云一體組件”，
版本對(duì)比（舊版本未加入云數(shù)據(jù)庫(kù)組件）
優(yōu)化：
云函數(shù)的本地調(diào)試
云開(kāi)發(fā)控制臺(tái)
各云服務(wù)調(diào)用
功能代碼示例（添加代碼后
2023-12-05 14:57:39
據(jù)報(bào)道，韓國(guó)SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購(gòu)當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù)，收購(gòu)后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已開(kāi)發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠，并通過(guò)了SK海力士的性能驗(yàn)證，這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開(kāi)發(fā)。
2023-11-29 17:01:56433 本編程手冊(cè)介紹了如何燒寫(xiě)STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲(chǔ)器。為方便起見(jiàn)，在本文中除特別說(shuō)明外，統(tǒng)稱(chēng)它們?yōu)镾TM32F10xxx。 STM32F10xxx內(nèi)嵌的閃存存儲(chǔ)器可以用于在線編程(ICP)或在程序中編程(IAP)燒寫(xiě)。
2023-11-28 15:16:562 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《性能超群的含閃存存儲(chǔ)器、8引腳PIC微控制器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-17 11:02:010 三星采取此舉的目的很明確，希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng)，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 對(duì)閃存的整片擦除有兩種方法，操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）或者解除訪問(wèn)保護(hù)。一般情況下使用的方法是操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）進(jìn)行整片擦除，使用整片擦除函數(shù)
2023-10-20 08:21:03
中芯國(guó)際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲(chǔ)器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn)，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)。”目前主要用于數(shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 1.XL-943P一體化交流充電樁檢定裝置產(chǎn)品介紹XL-943P一體化交流充電樁檢定裝置，可實(shí)現(xiàn)交流充電樁的計(jì)量檢定，運(yùn)維誤差核對(duì)，啟停等試驗(yàn),能同時(shí)測(cè)量充電樁的輸出電壓、電流、功率、電能、諧波
2023-10-13 16:45:41
1.XL-942P一體化非車(chē)載充電樁檢定裝置產(chǎn)品介紹XL-942P一體化直流充電樁校驗(yàn)裝置是一款集成度高，功能強(qiáng)大的產(chǎn)品。該產(chǎn)品能同時(shí)測(cè)量充電樁的輸出電壓、電流、功率、電能以及充電樁的時(shí)鐘誤差等參數(shù)
2023-10-13 16:22:12
智能大田精準(zhǔn)灌溉施肥水肥一體化基本介紹田小二?數(shù)字?jǐn)?shù)字施肥系統(tǒng)S2是禾大科技自主研發(fā)的一種新型施肥機(jī)器人，1臺(tái)數(shù)字施肥機(jī)標(biāo)配3個(gè)施肥桶，支持固體和液體兩種肥料，能夠滿足500-2000畝農(nóng)田的數(shù)字化
2023-10-10 11:53:18
一體化智慧樓層配電系統(tǒng)是基于傳統(tǒng)建筑配電現(xiàn)狀及問(wèn)題，以及用戶(hù)對(duì)配電管理上的新需求，提出的一種智慧一體化配電管理系統(tǒng)。力安科技一體化智慧樓層配電系統(tǒng)依托電易云-智慧電力物聯(lián)網(wǎng)，通過(guò)電力監(jiān)控、電能質(zhì)量
2023-10-09 16:03:45
教你用arduino做一個(gè)功能強(qiáng)大的一體化萬(wàn)用表。附帶資料包含PCB設(shè)計(jì)圖、相關(guān)代碼等。你也可以簡(jiǎn)單自己制作！
2023-09-27 07:06:23
Programming – IAP)可以使用微控制器支持的任一種通信接口(如I/O端口、USB、CAN、UART、I2C、SPI等)下載程序或數(shù)據(jù)到存儲(chǔ)器中。IAP允許用戶(hù)在程序運(yùn)行時(shí)重新燒寫(xiě)閃存存儲(chǔ)器中
2023-09-26 06:18:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何寫(xiě)入tinyAVR 1系列器件中的閃存和EEPROM.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 09:55:190 智慧大棚遠(yuǎn)程水肥控制水肥一體化基本介紹數(shù)字水肥機(jī)F2是基于禾大科技自主研發(fā)的數(shù)字水肥機(jī)系統(tǒng)，配置智能EC/pH傳感器，以色列BACCARA高頻電磁閥等優(yōu)質(zhì)部件，融合GIS，5G，物聯(lián)網(wǎng)等先進(jìn)技術(shù)，可
2023-09-22 10:58:50
?
原標(biāo)題：智能化檔案館八防九防十防十二防一體化監(jiān)控系統(tǒng)方案? 監(jiān)控室一角
隨著科技的快速發(fā)展，智能化已成為現(xiàn)代檔案館發(fā)展的必然趨勢(shì)。為了提高檔案館的安全性、可靠性和管理效率，本文將介紹
2023-09-14 10:33:35
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2023-09-13 10:00:230 閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片，廣泛用于電子產(chǎn)品，特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
2023-09-11 09:32:31833 
。
Keil C166開(kāi)發(fā)工具版本4.02和更高版本幫助解決了這個(gè)問(wèn)題！
L166鏈接器/定位器現(xiàn)在能夠在閃存中存儲(chǔ)功能代碼，同時(shí)允許您定義不同的執(zhí)行地址(通常在RAM中)。
您可以輕松地將代碼復(fù)制到
2023-09-01 11:10:08
分析閃存控制器的架構(gòu)，首先得了解SSD。一般來(lái)說(shuō)SSD的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。我們通常所說(shuō)的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)
2023-08-29 16:10:09495 的的微控制器。M2351 系列微控制器運(yùn)行頻率可高達(dá) 64 MHz，內(nèi)建 512 KB 雙區(qū)塊 (Dual Bank) 架構(gòu)閃存 (Flash)，可支持 Over-The-Air (OTA) 韌體
2023-08-28 06:24:53
大棚水肥一體化數(shù)字水肥機(jī)基本介紹數(shù)字水肥機(jī)F2是基于禾大科技自主研發(fā)的數(shù)字水肥機(jī)系統(tǒng)，配置智能EC/pH傳感器，以色列BACCARA高頻電磁閥等優(yōu)質(zhì)部件，融合GIS
2023-08-22 17:43:25
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中，由于市場(chǎng)持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423 一個(gè)通用的Flash控制器，該控制器具有大多數(shù)eFlash宏支持的通用功能。次級(jí)側(cè)具有用于特定實(shí)現(xiàn)的進(jìn)程相關(guān)Flash宏。GFB用作訪問(wèn)閃存資源的數(shù)據(jù)路徑，通過(guò)其他接口處理與控制相關(guān)的訪問(wèn)。這有助于通用功能在不同過(guò)程中的可重用性。
2023-08-11 07:55:01
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704 ?閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。 什么是pSLC pSLC?是一種虛擬的 SLC?技術(shù)，通過(guò)采用特殊的控制算法和管理方法，在 MLC?或 TLC?閃存芯片上模擬 SLC?存儲(chǔ)單元。 1、pSLC技術(shù)的可靠性介于SLC和MLC之間，其性能接近于SLC； 2、透過(guò)Flash控制器的創(chuàng)新性設(shè)
2023-08-02 15:16:593365 
據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢，很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762 在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 
在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 
大科技數(shù)字農(nóng)業(yè)水肥作物一體化F2數(shù)字水肥機(jī)基本介紹數(shù)字水肥機(jī)F2是基于禾大科技自主研發(fā)的數(shù)字水肥機(jī)系統(tǒng)，配置智能EC/pH傳感器，以色列BACCARA高頻電磁閥等優(yōu)質(zhì)
2023-07-28 16:31:14
水肥一體化自動(dòng)控制系統(tǒng)可以幫助生產(chǎn)者很方便的實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的水肥一體化管理。水肥一體化自動(dòng)控制系統(tǒng)通常包括水源工程、首部樞紐、施肥機(jī)、過(guò)濾系統(tǒng)、田間輸配水管網(wǎng)系統(tǒng)、閥門(mén)控制器、電磁閥和控制軟件平臺(tái)等局部。
2023-07-28 12:02:17442 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21864 蘋(píng)果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細(xì)微差別。蘋(píng)果閃存是專(zhuān)為蘋(píng)果產(chǎn)品而開(kāi)發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同類(lèi)型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級(jí)單元）或TLC（三級(jí)單元）。
2023-07-19 15:21:372102 NAND閃存，所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來(lái)降低閃存的每位成本，同時(shí)創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開(kāi)研究，期望能夠擴(kuò)展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達(dá)到的最小節(jié)點(diǎn)，但開(kāi)發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486 
隨著密度和成本的飛速進(jìn)步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744 閃存存儲(chǔ)設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤(pán)等。
2023-06-28 16:25:495201 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開(kāi)放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325865 
本應(yīng)用筆記介紹如何使用內(nèi)置實(shí)用程序ROM擦除/寫(xiě)入MAXQ7665微控制器（μC）中的程序和數(shù)據(jù)閃存。此信息適用于帶可頁(yè)面擦除（PE）閃存的基于MAXQ7665閃存的μC。
2023-06-16 11:37:02712 
界面，可查看剛剛新建的工程。關(guān)于工程的詳細(xì)目錄結(jié)構(gòu)介紹，請(qǐng)參見(jiàn)端云一體化開(kāi)發(fā)工程介紹。
** 五、 工程初始化配置**
當(dāng)您成功創(chuàng)建工程并關(guān)聯(lián)云開(kāi)發(fā)資源后，DevEco Studio會(huì)為您的工程自動(dòng)
2023-06-15 15:52:13
大小不能超過(guò)10MB。
三、配置工程信息
1.在工程配置界面，配置工程的基本信息。
點(diǎn)擊“Next”，開(kāi)始關(guān)聯(lián)云開(kāi)發(fā)資源。
*附件：HarmonyOS元服務(wù)端云一體化開(kāi)發(fā)快速入門(mén)（上）.docx
2023-06-14 17:10:34
本應(yīng)用筆記介紹如何使用內(nèi)置實(shí)用程序ROM擦除/寫(xiě)入MAXQ7665微控制器（μC）中的程序和數(shù)據(jù)閃存。此信息僅適用于帶扇形可擦除（SE）閃存的基于MAXQ7665閃存的微控制器（μC）。
2023-06-13 15:45:38374 
238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競(jìng)爭(zhēng)力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54492 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶(hù)可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類(lèi)似硬盤(pán)的扇區(qū)，硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來(lái)的Solidigm，就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品P5-D5430，可以說(shuō)是QLC SSD的一個(gè)代表作。
2023-06-09 10:41:43489 
sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎(chǔ)，開(kāi)發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶(hù)端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開(kāi)始批量生產(chǎn)。該公司通過(guò)176層、238層的產(chǎn)品，在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競(jìng)爭(zhēng)力。
2023-06-08 10:31:531564 說(shuō)明：通用云開(kāi)發(fā)模板目前僅支持手機(jī)驗(yàn)證碼登錄。
可使用端云一體化登錄組件向應(yīng)用用戶(hù)提供登錄和登出功能，目前支持帳號(hào)密碼登錄、手機(jī)驗(yàn)證碼登錄、以及郵箱驗(yàn)證碼登錄。組件基于ArkUI開(kāi)發(fā)，提供登錄對(duì)話框
2023-05-26 15:34:39
NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位，因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031193 
使用與微控制器接口的 64MB Winbond 閃存。
該系統(tǒng)運(yùn)行良好，直到項(xiàng)目開(kāi)始增加規(guī)模。特別是當(dāng)我用調(diào)試器刷新微控制器時(shí)，它會(huì)顯示一個(gè)硬故障錯(cuò)誤。它在啟動(dòng)時(shí)停止執(zhí)行，因此這不是代碼問(wèn)題。
我們懷疑
2023-05-24 07:34:02
圖示
*附件：HarmonyOS應(yīng)用端云一體化開(kāi)發(fā)主要流程.docx
2023-05-19 14:27:00
我想知道在 LPC1857 微控制器的電源突然關(guān)閉之前，如何在閃存中保存為變量設(shè)置的值。
多謝！
2023-05-18 13:22:04
我過(guò)去在幾個(gè)項(xiàng)目中使用過(guò) ESP8266/ESP32（通常在某些 Adafruit 開(kāi)發(fā)板上）；但現(xiàn)在我有一個(gè)小項(xiàng)目，將 ESP8266 作為另一個(gè)微控制器 (Teensy4.1) 的外圍設(shè)備。我有
2023-05-11 07:08:28
我正在為我們的原型使用 IMXRT1172xx 微控制器。因?yàn)槲覀冇?jì)劃將 LittleFS 與在 Ext 中運(yùn)行的應(yīng)用程序代碼一起使用。64MB的閃存。
出于測(cè)試目的，我能夠成功運(yùn)行 SDK 中提
2023-05-08 06:44:03
mcu控制器是什么意思 MCU控制器是Microcontroller Unit的簡(jiǎn)稱(chēng)，中文名稱(chēng)為“單片機(jī)”，是一種集成了處理器、存儲(chǔ)器、輸入輸出接口等多種功能模塊于一體的小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。MCU
2023-05-05 14:59:21
我想了解我的微控制器 (MPC5777C) 的生產(chǎn)日期以及品牌和型號(hào)信息。我在閃存上看到了 UID 信息。我認(rèn)為這些信息（品牌、型號(hào)、生產(chǎn)年份等）我可以從閃存中讀取。是否可以？哪些地址存儲(chǔ)這些信息？
2023-05-05 06:39:19
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
●HVC 5221D是一款具有4 x 500 mA輸出的電機(jī)控制器，可用于步進(jìn)、無(wú)刷（BLDC）和有刷直流電機(jī)，具有32 KB閃存和LIN接口。
2023-04-19 09:59:00441 
操作系統(tǒng)- Linux開(kāi)發(fā)板- i.MX RT1170 EVKBIDE-mcuexpresso 我們正在嘗試使用 GUI 閃存工具閃存示例代碼，但在 Linux 中出現(xiàn)“無(wú)法執(zhí)行操作”之類(lèi)的錯(cuò)誤，并且在控制臺(tái)中打印“未配置閃存”。
2023-04-19 08:00:03
函數(shù)在禁用這些寄存器后啟用 P0_BFEN 和 P1_BFEN 寄存器。首先禁用閃存控制器緩存，經(jīng)過(guò)一些閃存操作后，啟用閃存控制器緩存。我不明白為什么他們?cè)谶@些操作后啟用緩存。 #include
2023-04-17 07:17:57
當(dāng)我使用 PE 微型調(diào)試器在微控制器中閃存程序時(shí)，我們?cè)?216 處收到以下錯(cuò)誤 ieruntime 錯(cuò)誤并且 GDB 已終止，因此我們無(wú)法在控制器中閃存程序。請(qǐng)解決問(wèn)題
2023-04-17 06:03:53
眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場(chǎng)中名列前茅。與此同時(shí)，鎧俠還是第一個(gè)設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再?gòu)腗LC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796 有什么方法可以添加閃存前和閃存后構(gòu)建步驟嗎？對(duì)于我的系統(tǒng)，我必須向 ESP 發(fā)送一條特殊命令以將其置于引導(dǎo)加載程序模式，然后再發(fā)送一條命令使其真正啟動(dòng)。除了正常的構(gòu)建步驟之外，我似乎無(wú)法在 IDF 中找到任何用于增加構(gòu)建步驟的文檔。誰(shuí)能指出我的好方向？
2023-04-14 08:07:35
在哪買(mǎi)AioneMotor28027驅(qū)控一體板 、DSP EMULATOR 仿真器？
2023-04-12 14:51:23
我正在使用 EVK 套件 MIMXRT1024。當(dāng)我嘗試調(diào)試時(shí)出現(xiàn)以下錯(cuò)誤閃存驅(qū)動(dòng)程序 V.2 啟動(dòng)失敗 - rc Ef(34)：初始化閃存超時(shí)。芯片初始化失敗 - Ef(34)：初始化閃存超時(shí)
2023-04-11 06:37:52
我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn)： XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
ATK-Mini Linux開(kāi)發(fā)板-NAND
2023-03-28 13:05:54
我們目前正在構(gòu)建一個(gè)帶有 i.MX RT1172 微控制器的定制板，以及一個(gè)通過(guò) FlexSPI 連接的 QSPI NAND 閃存，我們需要知道的是：- BootROM 如何將代碼從外部 NAND
2023-03-27 07:06:34
6針8位閃存微控制器
2023-03-24 15:02:24
帶20K字節(jié)閃存的8位微控制器
2023-03-24 13:58:18
大家好，我正在從 MPC5744P 移植 MPC5775E 的啟動(dòng)應(yīng)用程序，所以首先我創(chuàng)建了一個(gè)使用 S32DS 閃爍 LED 的項(xiàng)目，我將 linker_flash.ld 中的默認(rèn)閃存地址從
2023-03-24 07:28:05
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