MEMORY,8GB(1X8GB) DDR3 1600 DIMM
2024-03-14 22:58:40
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030 該內(nèi)存速度高達(dá)5600MT/s，并可同時(shí)兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁(yè)介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅度為1.5倍，且將于本月底開(kāi)始出貨。
2024-03-13 11:43:05
91 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 此外，IT之家透露，谷歌預(yù)計(jì)在Pixel8a上沿用Pixel7a的8GB內(nèi)存配置，同時(shí)計(jì)劃在已有128GB容量的基礎(chǔ)上再增加256GB版本。
2024-03-11 10:45:40134 據(jù)分析師杰夫·普（Jeff Pu）公布的消息透露，即將來(lái)臨的新款iPhone 16及 iPhone 16 Plus均具備8GB運(yùn)行內(nèi)存，相比iPhone 15與iPhone 15 Plus搭載
2024-01-16 13:40:03204 的型號(hào)。 首先，我們來(lái)看一下DDR6內(nèi)存。DDR6是目前市場(chǎng)上最新的內(nèi)存技術(shù)，它在DDR5的基礎(chǔ)上進(jìn)行了一些改進(jìn)。DDR6內(nèi)存的關(guān)鍵特點(diǎn)如下： 1. 帶寬更大：DDR6內(nèi)存的帶寬比DDR5內(nèi)存更大。DDR6內(nèi)存的帶寬可以達(dá)到每秒14.4 GB，而DDR5內(nèi)存的帶寬則為每秒12.8 GB。這意味著DDR6內(nèi)存可
2024-01-12 16:43:052850 硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場(chǎng)報(bào)道：CES 2024大展期間，雷克沙帶來(lái)了豐富的存儲(chǔ)方案，涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲(chǔ)卡等，包括頂級(jí)的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
2024-01-12 10:32:27282 
對(duì)于DRAM業(yè)務(wù)，這個(gè)公司的主要是低端市場(chǎng)，如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品，且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā)，以便完善標(biāo)準(zhǔn)接口DRAM產(chǎn)品線，推動(dòng)DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展，滿(mǎn)足客戶(hù)需求。
2023-12-27 13:58:31247 ）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
影馳20周年紀(jì)念版星曜DDR5-7200 24GB內(nèi)存采用了海力士M-Die顆粒，其超頻潛力可與SK海力士的A-Die顆粒相媲美。
即便頻率高達(dá)7200MHz，內(nèi)存時(shí)序依舊被壓制在36-46-46-116 CR2，電壓則是1.4V。
2023-12-21 15:53:31120 
法人方面解釋說(shuō)：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國(guó)企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無(wú)法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲，給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來(lái)了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 ? 研華推出 SQRAM DDR5 5600 系列工業(yè)內(nèi)存。該系列緊跟計(jì)算機(jī)內(nèi)存全新風(fēng)潮，支持DDR5， 數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)5600MT/s 。SQRAM 5600 系列的速度快如閃電，帶寬從 8GB
2023-11-02 16:26:56537 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫(xiě)分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫(xiě)分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲(chǔ)密度，從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買(mǎi)和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們?cè)谫I(mǎi)DDR內(nèi)存條的時(shí)候，經(jīng)常會(huì)看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱(chēng)都有什么含義嗎？請(qǐng)看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
的時(shí)鐘周期，就可以完成DDR3的帶寬統(tǒng)計(jì)。
圖中顯示共消耗了1296026個(gè)時(shí)鐘周期，就是消耗了12960260ns，總計(jì)完成了32MB的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到DDR3中。
得到 32 * 8
2023-09-21 23:37:30
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
以MT41J128M型號(hào)為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3，每個(gè)bank的大小為16Mbit，一共有8個(gè)bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計(jì)算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
2023-09-15 14:49:462497 
在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42750 
內(nèi)置校準(zhǔn): DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準(zhǔn)機(jī)制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準(zhǔn)和DLL (Delay Locked Loop)。這些機(jī)制可以自動(dòng)調(diào)整驅(qū)動(dòng)和接收電路的特性，以?xún)?yōu)化信號(hào)完整性和時(shí)序。
2023-09-11 09:14:34420 。
核心板資源及參數(shù)核心板擴(kuò)展信號(hào)底板外設(shè)接口資源軟件資源參數(shù)
名稱(chēng)
配置
選配
處理器型號(hào)
T113-S3，2*Cortex-A7@1.2G
電源管理
分立電源
內(nèi)存
內(nèi)置128MB DDR3
2023-09-09 18:07:13
Banana Pi BPI-6202“嵌入式單板計(jì)算機(jī)”采用工業(yè)級(jí)全志A40i四核Cortex-A7處理器，工業(yè)溫度范圍和長(zhǎng)生命周期，2GB DDR3，8GB eMMC閃存，M.2 SATA插槽等。
2023-09-04 09:38:17493 
Banana Pi BPI-6202“嵌入式單板計(jì)算機(jī)”采用工業(yè)級(jí)全志A40i四核Cortex-A7處理器，工業(yè)溫度范圍和長(zhǎng)生命周期，2GB DDR3，8GB eMMC閃存，M.2 SATA插槽等。
2023-09-04 09:25:46366 
本文介紹一個(gè)FPGA開(kāi)源項(xiàng)目：DDR3讀寫(xiě)。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開(kāi)源一個(gè)FPGA項(xiàng)目：基于AXI總線的DDR3讀寫(xiě)。之前的一篇文章介紹了DDR3簡(jiǎn)單用戶(hù)接口的讀寫(xiě)方式：《DDR3讀寫(xiě)測(cè)試》，如果在某些項(xiàng)目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過(guò)MIG IP核提供的AXI接口來(lái)讀寫(xiě)DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒(méi)有詳細(xì)的介紹。
在introduction文件中只有簡(jiǎn)略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒(méi)有明確表明每個(gè)接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時(shí)，一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊(cè)中并沒(méi)有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒(méi)有提供，請(qǐng)問(wèn)這些信息應(yīng)該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LightPulse HBA產(chǎn)品Line16Gb和8gb光纖通道HBA.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-15 10:29:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LightPulse LPe15004 8gb光纖通道HBAs.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-15 10:15:460 復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夾）下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512792 xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
以下內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大，必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312 
今天我們測(cè)試的這款芝奇幻鋒戟Z5 RGB DDR5內(nèi)存，在1.35V的電壓上就上到了7200MHz高頻，時(shí)序也控制在CL36-46-46-115 CR2，并且單條容量達(dá)到了24GB。
2023-06-26 10:39:41869 
本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
解決方案，配置方式比較靈活，采用軟核實(shí)現(xiàn) DDR memory 的控制，有如下特點(diǎn)：
?支持 DDR3
?支持 x8、x16 Memory Device
?最大位寬支持 32 bit
?支持裁剪的 AXI4
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個(gè)序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
memory 控制器解決方案，配置方式比較靈活，采用軟核實(shí)現(xiàn) DDR memory 的控制，有如下特點(diǎn)：
?支持 DDR3
?支持 x8、x16 Memory Device
?最大位寬支持 32 bit
2023-05-19 14:28:45
你好 ：
專(zhuān)家，我們想使用S32R45和DDR3，你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎？
2023-05-17 08:13:46
在 i.MX6 SOLO 中有沒(méi)有辦法讀取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
我有一塊使用基于 i.MX8QM MEK 板的 i.MX8QM 的板。我使用了 2 x MT53D512M32D2（總計(jì) 4GB DDR 內(nèi)存）并且它可以正常工作。
現(xiàn)在我想把內(nèi)存加倍到 8GB。我
2023-05-04 06:39:14
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
我們有一個(gè)帶有 DDR 8GB 的??定制板，并將調(diào)試端口從 UART2 更改為 UART3。我們?cè)?SDK 5.10.72-2.2.0 和 5.15.32-2.0.0 上進(jìn)行了移植，它們都運(yùn)行良好
2023-04-19 08:41:02
DDR3,數(shù)據(jù)速率1066Mbps，32bitPL端內(nèi)存：1GB DDR3,數(shù)據(jù)速率1600Mbps，32bitGTX收發(fā)器：16X速度等級(jí)：對(duì)標(biāo)進(jìn)口-2芯片級(jí)別：工業(yè)級(jí)工作溫度：-40℃-100
2023-04-13 16:04:38
社會(huì)：ls1043aDDR：MT40A2G8VA-062E：B，x5，4 個(gè)用于 8GB，1 個(gè)用于 ECC。我使用 CW 獲取配置文件： 我嘗試了兩個(gè)文件來(lái)生成 img他們都在 BL2 運(yùn)行時(shí)遇到問(wèn)題：使用 (0-2GB) DDR 數(shù)據(jù)顯示不正確：（寫(xiě)入≠讀取） 我該如何解決？謝謝
2023-04-07 06:44:48
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng)，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺(jué)有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867 
我們使用 10*MT40A1G16 獲得 16GB 內(nèi)存，一個(gè) ddr 控制器連接 8GB。三個(gè)問(wèn)題：1)在codewarrior ddr config上，我們應(yīng)該選擇什么dram類(lèi)型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
我使用 MSCale DDR 工具在基于 iMX8mq-evk 的定制板上進(jìn)行 RAM 校準(zhǔn)。Mscale DDR Tool RAM 顯示 RAM 的大小為 2GB（2GB 是正確的值）。然后我生成
2023-03-24 07:43:17
通過(guò)故障參考“DDR_imx8+_8GB”參考“Mscale_ddr_tool _v3.30”通過(guò)測(cè)試請(qǐng)參閱“LPDDR4_2000MHz_8GB”以獲取從 RPA excel for 8GB 內(nèi)存生成
2023-03-24 06:54:09
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