3月11日消息，中國(guó)移動(dòng)近日正式推出歷時(shí)兩年研制成功的全球首臺(tái)算力路由器——CATS Router。
2024-03-11 16:08:59
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雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來(lái)暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31568 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
在本指南中，您將了解什么是光電晶體管，如何使用光電晶體管，并通過(guò)一個(gè)簡(jiǎn)單的項(xiàng)目來(lái)構(gòu)建自動(dòng)開/關(guān)開關(guān)。
2024-02-11 11:09:00594 
數(shù)據(jù)和指令，而ROM則用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)的基本操作系統(tǒng)和啟動(dòng)程序。本文將探討RAM和ROM的區(qū)別，以及它們與CPU之間的連接方式。 首先，我們來(lái)看看RAM和ROM的定義和特點(diǎn)。 RAM是指隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它的特點(diǎn)是可以隨機(jī)讀寫數(shù)據(jù)，而且數(shù)據(jù)在斷電之后會(huì)被丟失，所以它被稱為“易失性存儲(chǔ)器”。RAM由晶體管和
2024-01-31 14:14:31478 晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39358 鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51516 
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發(fā)射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導(dǎo)通，則該多發(fā)射極晶體管集電極輸出導(dǎo)通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過(guò)基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒有對(duì)基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
當(dāng)電源斷開時(shí)，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會(huì)丟失。這是因?yàn)镽AM是一種易失性存儲(chǔ)器，它必須以恒定的電源供應(yīng)來(lái)維持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。在斷電時(shí)，RAM中的電荷會(huì)逐漸耗盡，導(dǎo)致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19838 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03208 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問(wèn)它的方式，CPU對(duì)其進(jìn)行隨機(jī)掃描以獲取適當(dāng)?shù)男畔ⅲ皇亲裱瓏?yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位之間的訪問(wèn)時(shí)間。
2024-01-06 17:51:33158 
根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，力成為合作項(xiàng)目提供必要的2.5D和3D先進(jìn)封裝服務(wù)，涵蓋Chip on Wafer、凸塊加工以及矽穿孔技術(shù)等多個(gè)環(huán)節(jié)，并優(yōu)先推薦華邦電的矽中介層和其他尖端產(chǎn)品，如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （DRAM） 和快閃存儲(chǔ)器 （Flash） 等進(jìn)行配合
2023-12-21 10:29:45151 從存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)表現(xiàn)來(lái)看，兩大類別DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 但天河星逸的具體性能尚不清楚。《天河二號(hào)》2013年研制成功，連續(xù)6屆top500世界超級(jí)電腦6連冠。這是中國(guó)超級(jí)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)研制進(jìn)入世界前列的重要標(biāo)志。
2023-12-07 14:43:30559 其中，電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）依靠改變電阻水平來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項(xiàng)研究詳細(xì)介紹了清華大學(xué)李原領(lǐng)導(dǎo)的研究小組的工作，他們開創(chuàng)了一種制造超分子憶阻器的方法，而憶阻器是構(gòu)建納米隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的關(guān)鍵部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 
非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，提供非易失性存儲(chǔ)。
2023-12-05 10:09:56302 有關(guān)光電二極管和光電晶體管的硬核科普，值得收藏！
2023-12-01 16:22:43239 
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器，今天主要講述一下DDR4在Layout過(guò)程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過(guò)程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101470 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
電表作為一個(gè)計(jì)量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測(cè)芯片的精度有關(guān)，而且與其存儲(chǔ)方式有關(guān)，如果檢測(cè)到的電量數(shù)據(jù)不能隨機(jī)寫入存儲(chǔ)器或?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器過(guò)程出錯(cuò)電表的精度就會(huì)大大降低。 在智能電表數(shù)據(jù)
2023-11-21 09:59:20
低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257 
在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來(lái)分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 資源創(chuàng)建各種不同的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。IP可用來(lái)創(chuàng)建只讀存儲(chǔ)器 (ROM)、單端口隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM) 和簡(jiǎn)單
2023-11-17 17:00:30687 
20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory，簡(jiǎn)稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 根據(jù)貿(mào)易部周二公布的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)芯片出口同比增長(zhǎng)1%，較9月份下滑了18%。多芯片封裝產(chǎn)品引領(lǐng)了反彈，增長(zhǎng)了12.2%，而利潤(rùn)豐厚的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的銷售額首次收窄至個(gè)位數(shù)。
2023-11-15 17:37:26719 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
服務(wù)器行業(yè)的發(fā)展最早可追溯到1946年，第一臺(tái)電子計(jì)算機(jī)ENIAC研制成功；隨后，晶體管技術(shù)的引入為服務(wù)器的發(fā)展提供了技術(shù)保障，1954年，第一臺(tái)使用晶體管的計(jì)算機(jī)TRADIC誕生于美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室，采用了浮點(diǎn)運(yùn)算，計(jì)算功能遠(yuǎn)超電子管計(jì)算機(jī)；
2023-10-29 14:55:32678 
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34816 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、定時(shí)器以及并行接口等。微處理器執(zhí)行存放在程序存儲(chǔ)器中的各種保護(hù)程序，對(duì)由數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)輸入到隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理，以完成各種繼電器保護(hù)的功能。 3、數(shù)字量輸入/輸出接口 即開關(guān)量輸入/輸出
2023-09-22 16:34:33544 
請(qǐng)教音叉開關(guān)上面的振動(dòng)壓電晶體在什么地方能買到
2023-09-08 08:49:16
微控制器的處理器類型根據(jù)不同的應(yīng)用而有所不同。可供選擇的范圍從簡(jiǎn)單的4位、8位或16位處理器到更復(fù)雜的32位或64位處理器。微控制器還可以使用不同類型的存儲(chǔ)器，包括易失性存儲(chǔ)器，如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2023-09-07 15:54:332169 據(jù)中國(guó)移動(dòng)官方微信公布的信息，國(guó)內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功，有效提升我國(guó)5G網(wǎng)絡(luò)核心設(shè)備的自主可控度。 “破風(fēng)8676”芯片是國(guó)內(nèi)首款基于可重構(gòu)架構(gòu)設(shè)計(jì)，可廣泛商業(yè)應(yīng)用于5G云基站
2023-09-04 16:06:00505 國(guó)產(chǎn)5G射頻收發(fā)芯片研制成功 破風(fēng)8676乘風(fēng)破浪而來(lái) 根據(jù)中國(guó)移動(dòng)官方微信公布的信息顯示，國(guó)內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功。加油！ “破風(fēng)8676”是可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片，作為中國(guó)移動(dòng)
2023-09-02 19:14:54928 我們知道除了只讀存儲(chǔ)器外還有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，這一篇將介紹另一種 存儲(chǔ)類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （Random Access Memory），是一個(gè)易失性存儲(chǔ)器，斷電丟失。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071658 
和“讀寫”段，前者包含代碼和只讀數(shù)據(jù)，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)數(shù)據(jù)。
通常，“只讀”段被放在只讀存儲(chǔ)器中，而“讀寫”段在開始執(zhí)行之前從只讀存儲(chǔ)器復(fù)制到隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
2023-08-24 08:23:51
近日，睿創(chuàng)微納全資子公司英飛睿研制成功K波段衛(wèi)通相控陣平板天線子陣試驗(yàn)樣機(jī)，實(shí)現(xiàn)了雙波束衛(wèi)星相控陣子陣的工程化突破。 雙波束控制的實(shí)現(xiàn)，使得終端設(shè)備可以更好地滿足與星座系統(tǒng)中多顆衛(wèi)星保持鏈接的需求
2023-08-23 09:58:341452 
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
鐵電存儲(chǔ)器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護(hù)儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護(hù)儀存儲(chǔ)著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息，可以和最近測(cè)量的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)照，如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護(hù)儀就會(huì)
2023-08-16 10:30:26
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）
?片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備中已經(jīng)存在的高速鏈路。
TMC也可以作為系統(tǒng)中的先進(jìn)先出（FIFO）操作。這減少了跟蹤
通過(guò)平均跟蹤帶寬得出溢出和跟蹤端口大小
2023-08-02 14:35:05
晶體管是一種有源元件，遍布電子電路。它們用作放大器和開關(guān)設(shè)備。作為放大器，它們用于高電平和低電平、頻率級(jí)、振蕩器、調(diào)制器、檢測(cè)器以及任何需要執(zhí)行功能的電路中。在數(shù)字電路中，它們用作開關(guān)。世界上有大量
2023-08-02 12:26:53
熱點(diǎn)新聞 1、龍芯 3A6000?國(guó)產(chǎn)桌面處理器研制成功！對(duì)標(biāo)英特爾 10?代酷睿，4 核 2.5GHz 龍芯中科今日上午宣布，近日，基于龍架構(gòu)的新一代四核處理器龍芯 3A6000?流片成功，代表
2023-08-01 17:05:011924 ，用于從計(jì)算機(jī)的RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）或其他設(shè)備的內(nèi)存中提取關(guān)鍵信息，以便了解設(shè)備在特定時(shí)間點(diǎn)的狀態(tài)和活動(dòng)。內(nèi)存取證的主要目的？?jī)?nèi)存取證的主要目的是獲取在計(jì)算機(jī)或設(shè)
2023-08-01 11:21:511056 
一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
自從半導(dǎo)體激光器研制成功以后，波長(zhǎng)可調(diào)諧的半導(dǎo)體激光器一直備受行業(yè)關(guān)注。
2023-07-17 17:18:393203 
和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)
2023-07-17 13:56:20
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）用于實(shí)時(shí)存儲(chǔ)CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲(chǔ)當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲(chǔ)器。
2023-07-06 14:22:271948 8英寸SiC晶體生長(zhǎng)的難點(diǎn)在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來(lái)的溫場(chǎng)不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問(wèn)題。
2023-07-05 14:59:33237 
光電晶體管是將光轉(zhuǎn)化為電能的組件。它是一種晶體管，只是它使用光而不是基極電流來(lái)打開和關(guān)閉。
2023-06-29 10:40:38431 
，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來(lái)維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
傳感新品 【北京航空航天大學(xué)：研制成功的高靈敏度石墨烯MOEMS諧振壓力傳感器?】 由懸浮石墨烯制成的納米機(jī)械諧振器對(duì)壓力變化表現(xiàn)出高靈敏度。然而，由于空氣阻尼，這些設(shè)備在非真空環(huán)境中表現(xiàn)出明顯
2023-06-19 10:04:07854 
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
代替電子管，所以很輕，且運(yùn)算速度比較快，達(dá)到每秒幾十萬(wàn)次 [1] 。晶體管計(jì)算機(jī)的基本邏輯元器件由電子管改為晶體管( Transistor)，內(nèi)存儲(chǔ)器大量使用磁性材料制成的磁芯，外存儲(chǔ)器采用磁盤。與此同時(shí)，計(jì)算機(jī)軟件技術(shù)也有了較大發(fā)展，提出
2023-05-30 15:25:491410 無(wú)論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無(wú)法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:55313 為了實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)量子芯片運(yùn)行的溫度變化，了解制冷機(jī)運(yùn)行狀態(tài)，安徽省量子計(jì)算工程研究中心的科研人員成功研制出國(guó)產(chǎn)量子計(jì)算超低溫溫度傳感器，科研人員形象地稱其為“量子芯片溫度計(jì)”。
2023-05-22 11:46:59462 在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲(chǔ)器”，而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”，屬于“易失性存儲(chǔ)設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191537 光電晶體管是一種光電轉(zhuǎn)換器件，它是在雙極型晶體管的基礎(chǔ)上加入光敏材料制成的。光電晶體管可以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，具有高靈敏度、高速度、低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于光電傳感、光電控制、光電通信等領(lǐng)域。
2023-05-17 15:29:281557 光電晶體管是一種與光電二極管相似的結(jié)半導(dǎo)體器件，其產(chǎn)生的電流與光強(qiáng)度成正比。這種器件可以認(rèn)為是一種內(nèi)置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管，其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:29:33386 
在光電晶體管電路中，基本的工作模式包括有源和開關(guān)兩種，其中常用的工作模式是開關(guān)型。它解釋了對(duì)光的非線性響應(yīng);一旦沒有光，就沒有電流流入晶體管。
2023-05-16 16:25:08372 光電晶體管是一種與光電二極管相似的結(jié)半導(dǎo)體器件，其產(chǎn)生的電流與光強(qiáng)度成正比。這種器件可以認(rèn)為是一種內(nèi)置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管，其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:20:41529 光電晶體管（Phototransistor）是一種光控半導(dǎo)體器件，它的工作原理是利用光的作用使得晶體管的電流發(fā)生變化。光電晶體管的類型包括PNP型、NPN型、雙極型和場(chǎng)效應(yīng)型等。
2023-05-16 16:13:16580 
光電功能晶體主要是利用光電轉(zhuǎn)化的功能晶體，種類很多，如光學(xué)晶體、激光晶體、非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、閃爍晶體和磁光晶體等。它的作用是接受光信號(hào)，并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
2023-05-16 16:07:26389 光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來(lái)自撞擊光的光子不會(huì)向基極發(fā)送電流，而是激活晶體管。這是因?yàn)楣?b class="flag-6" style="color: red">電晶體管由雙極半導(dǎo)體制成，并集中在通過(guò)它的能量上。
2023-05-16 15:59:06286 
光電晶體管是一種電子開關(guān)和電流放大部件依賴于暴露于光下操作。光電晶體管工作原理：當(dāng)光落在結(jié)上時(shí)，反向電流流動(dòng)，其與亮度成比例。光電晶體管廣泛用于檢測(cè)光脈沖并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字電信號(hào)。這些是通過(guò)光而不是電流操作的。
2023-05-16 15:54:12655 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過(guò)使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問(wèn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
高速激光器單色性差是光通信速率提升的瓶頸。羅毅院士透露，目前圍繞瓶頸突破，已研制成功單色性優(yōu)異的、國(guó)際上首個(gè)增益反饋激光器。我國(guó)首次研制成功的40Gb/s集成光源模塊
2023-04-26 11:01:131279 RAM ：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205062 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462540 具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
，用于存儲(chǔ) CPU 使用的數(shù)據(jù)。系統(tǒng)的只讀存儲(chǔ)器 （ROM） 永久存儲(chǔ)操作系統(tǒng)的數(shù)據(jù) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （RAM） 存儲(chǔ)輸入和輸出設(shè)備的狀態(tài)信息，以及定時(shí)器、計(jì)數(shù)器和內(nèi)部設(shè)備的值。PLC 需要一個(gè)編程
2023-04-06 15:13:40
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有如低功耗和快速寫入的特長(zhǎng)。該存儲(chǔ)器在所有存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:351054
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