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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>Farichild降壓轉(zhuǎn)換器 有效為高容量SD快閃存儲器應用

Farichild降壓轉(zhuǎn)換器 有效為高容量SD快閃存儲器應用

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通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時,應該將其設置Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21

單片式降壓-升壓型轉(zhuǎn)換器效率高達95%

源位于輸出之上、下方或等于輸出。這可以通過兩個獨立的電源轉(zhuǎn)換器和兩個控制器IC來實現(xiàn)。更好的解決方案是使用單個降壓-升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器,它提供了更小、更簡單、更高效的設計,這些屬性在手持設備中至關(guān)重要。
2023-04-20 11:35:01677

51單片機外擴數(shù)據(jù)存儲器最大的容量是多少?

51單片機外擴數(shù)據(jù)存儲器最大的容量是多少?可以達到50MB嗎?用的是什么芯片?
2023-04-19 16:34:36

CH32V103基礎教程25-SD卡測試

本章教程將在CH32V103開發(fā)板上實現(xiàn)SD卡檢測和SD容量信息讀取。 1、SD卡簡介及相關(guān)函數(shù)介紹SD存儲卡( Secure Digital Memory Card)是一種基于半導體閃存儲器
2023-04-19 16:32:36

emmc電源是否需要使用單獨的LDO(350mA) 或者我們可以使用3V3形式降壓用于emmc?

我們將 4GB emmc 與 iMXRT1052 一起使用。 我們正在為控制電源使用降壓降壓轉(zhuǎn)換器 (3V3)。在 IMXRT1050-EVKB(SCH-30168,PDF:SPF-30168
2023-04-19 06:41:45

CH32V103基礎教程13-DMA(存儲器存儲器

本章教程講解DMA存儲器存儲器模式。存儲器存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上(內(nèi)部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08

您是否有數(shù)控 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器參考設計?求分享

您是否有數(shù)控 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器參考設計?我想知道數(shù)字控制電源(等 BUCK,BOOST)。有沒有PI調(diào)節(jié)應用于電源的例子?
2023-04-17 07:51:06

PL84052助力PD充新設計顯著加快研發(fā)速度

PD充的發(fā)展,猶如脫韁的野馬,不斷奔跑,從智能手機到移動設備,再到各種電動工具的開發(fā)應用,PD充市場的發(fā)展一日千里。面對快速增長的PD充市場,寶礫微電子適時推出集成雙路恒流降壓轉(zhuǎn)換器
2023-04-14 09:21:22

設計成功的反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器布局

LM5017系列產(chǎn)品等降壓轉(zhuǎn)換器或穩(wěn)壓器集成電路(IC)可以從正VIN產(chǎn)生負VOUT在DC/DC轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域是常識。乍一看,使用降壓穩(wěn)壓器IC的反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的電路圖與降壓轉(zhuǎn)換器十分相似(圖1a和1c)。但是兩個電路也存在重大差異,無論是在電壓和電流高低,切換電流流動還是在布局上。
2023-04-11 09:41:51584

非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點

存儲設備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42

MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

的擦除操作,而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間30ns~50ns)相比,自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較。該器件的工作電壓2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11

針對智能電網(wǎng)解決方案中的儲能元件優(yōu)化的DC/DC轉(zhuǎn)換器

電壓的形式存儲能量意味著使用更高的電壓水平,以便從更高的效率中受益。因此,需要功能強大的DC/DC轉(zhuǎn)換器將電壓降低到另一個水平,以便控制電子設備提供輔助電壓(圖1)。另一方面,通往智能電網(wǎng)的道路
2023-04-06 16:26:04

MIMXRT1176編程外部閃存時引導加載程序錯誤的原因?

_B2_10 FlexSPI1_A_DATA3 GPIO_SD_B2_11為了通過 FlexSPI1 設置從外部存儲器啟動,我使用了類似于 MIMXRT1170-EVK 的啟動設置方案。外部觸點 BOOT_CFG[11:0] = “0
2023-04-06 06:03:46

淺析降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器的工作原理及選型指標

不同的芯片,與線性穩(wěn)壓LDO相比較,效率高是DC/DC的顯著優(yōu)勢。通常效率在70%以上,效率高的可達到95%以上。DC/DC常見三種拓撲結(jié)構(gòu)Buck(降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器),Boost(升壓型DC
2023-04-04 14:58:34

是否可以將FLASH用作輔助存儲器

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U堉笇覀儗崿F(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50

已全部加載完成

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