電壓不對稱，相損，相序 160 ~ 690VAC
2024-03-14 23:00:07
G473使用TIM1非對稱模式做移相，用TIM8Combined PWM模式做對角的移相與門輸出，為啥占空比對了時序不對？
2024-03-14 07:49:55
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:02
93 此外，黃仁勛還強調指出，擴大直接部屬規模有助于破除由信息不對稱導致的不公現象。與此觀點相對比，他認為，CEO直接對接的人員越多，員工在公司的地位便越不受其掌握核心信息能力所限。
2024-03-11 11:06:08190 RDS(ON) 達到業內先進水平，提高功率密度、能效和熱性能
2024-03-08 09:12:15144 
各位大俠，半橋llc輕載時（10%載以下）諧振電流不對稱，下管驅動與Vds如下。是發生倒灌了嗎？
2024-02-19 14:32:30
產品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負載范圍內實現原邊功率管 ZVS，副邊整流管
2024-01-30 15:18:04
產品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負載范圍內實現原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS
2024-01-27 16:48:34
產品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負載范圍內實現原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS
2024-01-26 16:31:23
產品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負載范圍內實現原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS
2024-01-26 16:19:08
的不對稱流動、電壓的不對稱分配以及過電壓的產生等。具體問題包括： - 電流的不對稱流動：由于電力系統中負載的不對稱，電流在變壓器的三相繞組中分布不均勻，中性點電流會導致變壓器絕緣損壞或過載。 - 電壓的不對稱分配：三相負載的不
2024-01-26 16:06:48531 , 0, 0) 例程時，我的零序列運行 880nS，這太慢了。 正在尋找 400 納秒或更少。
另外，當我運行 ws2812_SendPixel（255、255、255）時，我的代碼似乎運行正常，但發出的數據并不對稱，最后 3 位與前 4 位不同。
2024-01-23 08:34:51
！
發現之前測量的0.003和0.026是個別現象，今天又用萬用表測量了3路，比較一致，但是還是不對稱。懷疑0.003那只互感器后端焊接或物料問題，重新換了物料并焊接后，4只互感器后端的輸出電壓已經
2023-12-27 07:01:46
AD5290的datasheet中有寫其供電電壓范圍：+20 V to +30 V single-supply operation 或者±10 V to ±15 V dual-supply operation，對于雙電源供電，我的應用是正電源是12V，負電源是-3V。這樣的非對稱電源供電是否可以？
2023-12-15 08:19:27
MOSFET - 陣列 12V 20A（Tc），60A（Tc） 27W（Tc），48W（Tc） 表面貼裝型 PowerPAK? SO-8 雙通道不對稱
2023-12-14 00:41:06
AD5363的參考電壓VREF范圍具體是多少，芯片手冊上有個VREF range為2-5V，我想問能否小于2V，此外VDD和VSS不對稱可以么？
2023-12-12 06:22:44
電流的幅度不對稱時，那么DSP采樣正、負半周電流值得到的數字量也是高、低相差很大的，這就導致DSP控制交流輸出電壓的正、負半周的幅度也不對稱，以致交流輸出電流的直流分量增大，再且，直流分量的增大，也會使
2023-11-23 07:24:40
共模干擾：一般指在兩根信號線上產生的幅度相等，相位相同的噪聲。
2023-11-21 10:54:09187 ADA4661不對稱雙電源供電，對運放有什么影響？對輸出信號有什么影響？正電源 5V，負電源-3V。
2023-11-20 08:13:53
高低溫試驗箱的結構在很大程度上影響工作中間溫度均勻，由于結構難于完全對稱，從而對溫度均勻性造成不利影響。大門在前，空調箱在后部，上送風下回風。顯然這種結構左右對稱性好，可以較易達到左、右溫度均勻，但結構上、下不對稱，前后也完全不同，對工作空間溫度產生了不均勻影響
2023-11-17 14:27:37164 
我采用AD8253做一款放大電路，輸入信號均為mv級，輸出在0-5V范圍內，由于電源設計原因導致正負雙電源不對稱，如正電源為﹢8v，負電源為-6.5v，想咨詢一下，這種不對稱供電是否對信號有影響。另外，不對稱的供電方式是否對輸入信號的或者輸出信號產生一個直流偏量。
2023-11-17 07:30:33
單片機晶振電路中兩個微調電容不對稱會怎樣？相差多少會使頻率怎樣變化？我在檢測無線鼠標的接受模塊時，發現其頻率總是慢慢變化（就是一直不松探頭的手,發現頻率慢慢變小）晶振是新的！
2023-11-15 15:54:47399 MOSFET - 陣列 100V 7.1A（Ta），19.5A（Tc），6.9A（Ta），19.1A（Tc） 4.3W（Ta），33W（Tc） 表面貼裝型 8-PowerPair?（3.3x3.3）
2023-11-01 14:35:12
前面兩期分別講了單相繞組和多相繞組產生的磁勢，在前面兩期的分析中，都是在繞組中通以對稱正弦交流電流的前提下進行分析的。實際在電機運行時，經常會遇到三相電流不平衡、電流的波形不是完美的正弦波的情況。本期專門講一下在三相電流不對稱和電流波形不是正弦波時，繞組產生的磁勢。
2023-10-26 15:13:26908 
一、在三相電路中，由于負載的不平衡，往往會使電路中的電壓、電流不對稱。要對這種不對稱電壓或電流進行分析，可以把它們分解成三組分量：正序分量、負序分量、零序分量。設電源的相序為ABC
2023-09-24 16:14:464477 產品概述：DK8715AD是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關芯片。DK8715AD利用漏感能量，可以實現原邊功率管ZVS，副邊整流管ZCS，回收漏感能量，從而
2023-09-21 09:58:211222 
，反映負載的電流；電壓線圈與負載并聯，反映負載的電壓。 一、功率表的使用 1、 只要三相電路是對稱的，不論是三線制還是四線制，都可以用一塊功率表來測量三相有功功率。 2、 當三相負載不對稱時，在三相三線制電路中，通
2023-09-19 09:39:501639 張興柱-不對稱半橋變換器中的高頻變壓器設計公式
2023-09-19 07:57:12
以應用于數模混合信號芯片中的運算放大器為對象，完成芯片設計驗證的全流程，包括運算放大器的電路和版圖設計、設計階段的前仿和后仿驗證、以及對PDK的驗證全流程實驗。
2023-09-18 14:26:28526 
切割器、醫療超聲波設備等方面。 1、壓電陶瓷的基本概念 壓電陶瓷是指在特定方向上施加力或電場時，具有產生電荷或產生形變的特性的陶瓷材料。壓電陶瓷的特性是由于其晶體結構的不對稱性所引起的。 2、壓電陶瓷的特性 （
2023-09-15 11:36:27398 
在扇出型晶圓級封裝（fowlp） 華海誠科的FOWLP封裝是21世紀前十年，他不對稱的封裝形式提出環氧塑封料的翹曲控制等的新要求環氧塑封料更加殘酷的可靠性要求，經過審查后也吐不出星星，芯片電性能維持良好。
2023-09-13 11:49:37753 ，即故意失配的不對稱結構。與常規的對稱結構相比，節省了大約20%的版圖面積以及10%的靜態功耗。
5.作品介紹
5.1 不對稱結構
如上圖，為運算放大器的主體部分結構。 輸出側采用較大尺寸MOS，非
2023-09-01 13:42:42
SM712的內部結構為雙向的不對稱結構，特別為RS485研發的收發電平為7V和12V的保護器件，可以滿足IC 在15KV的空氣放電不損壞。
2023-08-31 15:10:53542 
微型電路的TCML-1-19X+是頻率為800兆赫至1.9千兆赫的不對稱,插入損耗0.13至1.22分貝,電流30毫安,功率0.25瓦,返回損耗5.94至20.13分貝。
2023-08-22 11:38:31
驍龍820和天璣700哪個好 驍龍820和天璣700是兩種相對較新的芯片，它們都被廣泛應用于智能手機和其他移動設備中。然而，它們的性能、功能、成本和應用范圍有很大的不同。在本文中，我們將比較這兩種
2023-08-17 11:45:401953 2023-08-15 15:45:27
1 多層板在設計的時候，各層應保持對稱，而且是偶數銅層，若不對稱，容易造成扭曲。多層板布線是按電路功能進行，在外層布線時，要求在焊接面多布線，元器件面少布線，有利于印制板的維修和排故。
2023-08-09 09:22:25404 
頻段的多標準蜂窩功率放大器應用。特征包括輸入和輸出匹配；高增益和耐熱增強型塑料包覆成型封裝，帶無耳法蘭。 特征寬帶內部輸入輸出匹配不對稱多
2023-08-02 17:46:59
遷移率晶體管 (HEMT)，設計用于 n78 頻段蜂窩放大器應用。 特征碳化硅基氮化鎵 HEMT 技術不對稱多爾蒂設計P輸出（平均）：47.5
2023-08-02 17:33:15
高功率 RF LDMOS FET 430 W；28V；2110 – 2170 兆赫PXAD214218FV 是一款 430 瓦 (P3dB) LDMOS FET，采用不對稱設計，適用于 2110 至
2023-08-02 17:31:16
高功率 RF LDMOS FET 420 W；28V；1805 – 1880 兆赫PXAD184218FV 是一款 420 瓦 (P3dB) LDMOS FET，采用不對稱
2023-08-02 17:27:02
高功率 RF LDMOS FET 50 W；28V；2300 – 2400 兆赫PTAC240502FC 是一款 47 瓦 LDMOS FET，采用不對稱設計，適用于 2300 至 2400 MHz
2023-08-02 13:59:46
高功率 RF LDMOS FET 55 W；28V；1805 – 2170 兆赫 PXAC210552FC 是一款采用不對稱設計的 55 瓦 LDMOS FET，適用于 1805 至
2023-08-02 13:44:08
這是一種常用的音頻功率放大器，由于該電路采用不對稱電源工作，因此可用作汽車低音炮放大器。 24V 鉛酸電池（汽車蓄電池）非常適合這款低音炮放大器。
2023-08-01 17:10:34558 
前言：下圖是不對稱諧振半橋變換器的電路圖和工作波形，由于輸出側僅在開關管關閉后才由諧振電感和電容諧振放電釋放能量到輸出，因此輸出功率被變壓器繞組的損耗、變壓器體積，輸出整流二極管的電流應力所限
2023-06-23 09:57:00492 
容易使用。通過簡單的“數字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。dV/dt 回轉率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設計的機會，從而極為有效地縮短了產品上市
2023-06-15 15:32:41
電子發燒友網站提供《迷你700mW功率放大器.zip》資料免費下載
2023-06-08 10:59:250 ，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風筒專用電機驅動芯片其浮動通道可
用于驅動高壓側 N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達 700V。高速風筒專用電機驅動芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內工作
2023-05-10 10:05:20
推薦一款雙功率橋電機驅動芯片，帶有精確的電流監控，電流控制和電流限制徹底解決傳統功率橋芯片電流控制復雜的問題。提高控制感性線圈負載的電流精度。內置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
小功率反激變換器目前主要是ACF應用的多，但是最近又有一種新穎的拓撲不對稱半橋諧振反激開始展現出優勢。
2023-05-02 15:19:002956 
不對稱諧振半橋反激變換器（AHB）應用在隔離型的直流轉直流領域，通過占空比調整半橋開關的高端開關的占空比實現對輸出電壓的控制，通過使用占空比調節方法，所以比較適合在寬輸入輸出范圍工作
2023-05-02 11:41:00841 
繞組解決方案可以顯著提高了高輸入電壓下的性能，但具有額外的設備、繞組和控制電路。不對稱繞組解決方案提供更簡單的解決方案，但只能應用于不對稱半橋拓撲。而且它引入了其他問題，如輸出電流不連續和不平衡強調為了趕上并領先于
2023-04-27 09:19:332 本文研究tn系統常見故障及防范措施，主要分析：（1）當三相設備發生單相碰殼故障時，pen線因某種原因斷開或設備外殼接零線斷裂、虛接、未接時主要故障及采取的防范措施（2）三相負荷不對稱，pen線
2023-04-26 16:54:16
運放的失調電壓是指，在理想條件下運放兩個輸入端的電壓應該相等，但實際上會存在一定的差異。這個差異產生的原因是運放內部元器件的不對稱性、制造工藝等因素。
2023-04-26 16:31:058304 
NNCD18DT 至 NNCD36DT 數據表
2023-04-21 19:53:180 %。 非對稱故障 該故障產生不對稱電流，即電力系統三相中大小和相位不同的電流稱為不對稱故障。它也被定義為涉及一個或兩個相位的故障，例如L-G，L-L，L-L-G故障。不對稱使系統不平衡。它主要分為
2023-04-19 17:46:20
那里，因為該密鑰可用于生成虛假消息并使整個系統無用。理想情況下，加密是不對稱的，公鑰在區塊鏈上。有誰知道這個問題的解決方案？
2023-04-14 06:21:54
共模電感的兩邊感量不對稱，有一邊匝數少一匝也可引起傳導150kHz-3MHz超標。 11、一般傳導的產生有兩個主要的點：200kHz和20MHz左右，這幾個點也體現了電路的性能;200kHz左右主要是漏感產生的尖刺。
2023-04-04 09:31:542727 SIZ240DT-T1-GE3
2023-03-29 22:41:26
MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:09:14
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
2023-03-29 15:09:12
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
2023-03-29 15:09:07
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
2023-03-29 15:08:19
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:08:09
MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:56
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:15
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:14
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:10
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
2023-03-29 15:07:09
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
2023-03-29 15:07:09
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:04
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
2023-03-29 15:06:11
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 14:30:13
雙不對稱N溝道AlphaMOS VDS=30V ID1=16A ID2=18A DFN8A_3X3MM_EP
2023-03-28 18:20:07
SIZ254DT-T1-GE3
2023-03-28 13:12:50
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:53:45
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
2023-03-27 13:53:39
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:53:31
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
2023-03-27 13:53:28
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:51:29
MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
2023-03-27 13:51:06
MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR
2023-03-27 13:51:01
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:51:01
X-Ray檢測儀是一種利用X射線技術，可以快速準確檢測出電子元件、線路板上的毛刺、不對稱、漏定義等問題的設備，它的應用在IC芯片檢測中就表現出色，可以準確檢測出IC芯片上的毛刺、斷路、不對稱、短路
2023-03-23 10:51:38789 三相不對稱負載星型連接有無中心線對電路工作是否有影響？若有影響是什么影響？
2023-03-23 09:55:20
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