最適于延長家用醫療保健器材等的使用壽命，新日本無線株式會社現已開發了具有超低功耗的單電路CMOS運放系列NJU77000/001*1及NJU77000A/001A＊2 共4款產品
2012-12-04 10:48:45
1123 新日本無線株式會社（總部：東京都中央區 代表取締役社長 小倉 良）開發了一種稱作「Opt-Pass」的光學式鏡頭位置檢測系統，該系統最適用于數碼相機及監視器相機等光學攝影器材的自動對焦和縮放時的鏡頭位置檢測。
2013-03-14 14:56:191603 
新日本無線特別推出3款電源管理新產品“NJM2815、NJM2816、NJW4119”，專用于USB充電的電源，這3款電源IC都內置有電壓自動校正功能。
2015-07-24 11:10:261536 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
新日本無線開發出了用數字模式控制開關電源的數字電源控制器(DSC) NJU20300系列，現在樣片已經開始發貨。
2011-12-22 09:38:251191 為了能夠搭載到更多的音響設備上，為了能夠向更多的音樂粉絲們提供"真實的聲音"，成功開發出了MUSES系列之一的量產型產品MUSES8820。MUSES8820沿襲了MUSES
2014-08-06 09:25:02
。*參考：MUSES系列是新日本無線獨創的高音質音頻器件品牌，注重「提高音質」?「增強空間擴展性」等對音質專注追求，集結了精心選材/集成電路設計/芯片版圖設計等新日本無線的卓越音頻IC技術。【主要特點
2015-05-18 17:57:40
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要
2018-11-29 14:34:32
前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性進行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08
進行半導體元器件的評估時，電氣/機械方面的規格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在包括車載在內的各種應用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當前的SiC-SBD?反向恢復
2019-03-27 06:20:11
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動在包括車載
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高
2018-11-29 14:35:50
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
。我們就SCS3系列的特點、應用范圍展望等，采訪了負責開發的ROHM株式會社 功率元器件制造部 千賀 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代產品。后面我會問到第三代SiC-SBD的特點
2018-12-03 15:12:02
新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種
2013-11-14 11:10:36
為了讓IoT里不可缺少的傳感器器件更加省電，新日本無線特別推出了軌到軌輸入輸出運算放大器NJU77552。此運算放大器有1.7MHz帶寬、1回路50μA的超低消耗電流、高EMI抑制性能等特點，并且已經進入量產階段。
2020-08-03 07:49:16
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
新日本無線推出的高音質音頻運放MUSES02擁有極高的原聲重放音效，這又是新日本無線全力推薦的一款精品。該精品
2011-03-02 09:00:50
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
本帖最后由 zhang7711 于 2011-6-24 15:19 編輯
新日本無線現已開始接受Analog Master Slice的訂貨服務。Analog Master Slice IC
2011-06-24 10:49:22
音量控制器系列，相信今后還會不斷擴大其陣容，期待更多的MUSES產品新裝面市。新日本無線是運算放大器的老字號企業，全力推出的MUSES系列產品可以說是音頻產品史上的頂峰之作，會為您打造一個奇幻的原聲世界
2011-03-03 10:38:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:55 編輯
新日本無線推出的高音質音頻運放MUSES01擁有極高的原聲重放音效，是新日本無線全力推薦的精品。在此詳細規格書供音頻愛好者們參考，PDF文件可在此下載，歡迎支持此款新日本無線的產品。
2011-03-02 10:56:27
新日本無線推出的高音質音頻運放MUSES01擁有極高的原聲重放音效，是新日本無線全力推薦的精品。在此詳細規格書供音頻愛好者們參考，PDF文件可在此下載，歡迎支持此款新日本無線的產品。
2011-03-01 09:30:37
新日本無線推出的高音質音頻運放MUSES02擁有極高的原聲重放音效，這又是新日本無線全力推薦的一款精品。在此詳細規格書供音頻愛好者們參考，PDF文件可在此下載，歡迎音響發燒友們支持此款新日本無線的產品。
2011-03-01 15:44:50
本帖最后由 zhang7711 于 2011-2-24 15:54 編輯
近期，各大音響發燒友和音響工程師們盼望已久的新日本無線原創自主品牌 『MUSES』獨家官方網站將隆重登場。 敬請期待
2011-02-23 11:59:16
本帖最后由 zhang7711 于 2011-3-2 14:24 編輯
近期，各大音響發燒友和音響工程師們盼望已久的新日本無線高音質音頻運放 『MUSES』獨家官方網站將隆重登場。 敬請期待
2011-02-23 11:56:49
音量控制器系列，相信今后還會不斷擴大其陣容，期待更多的MUSES產品新裝面市。新日本無線是運算放大器的老字號企業，全力推出的MUSES系列產品可以說是音頻產品史上的頂峰之作，會為您打造一個奇幻的原聲世界
2011-03-03 10:58:35
世界各國對無線產品都有自己的法規和標準，縱觀全球諸多無線認證，例如在中國有SRRC認證，美國有FCC ID，韓國有KCC認證等等，而在日本無線產品的認證是TELEC認證，又有人稱之為MIC認證。那么
2020-08-12 15:27:13
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。當前正在
2018-12-04 10:15:20
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術合作協議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
全新推出車載音響DSP—NJU26203（新日本無線） 新日本無線(New JAPAN Radio, NJR)已完成開發支持杜比定向邏輯II
2008-10-14 20:50:30
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
的優勢與特點，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。第一代是從2010年4月開始量產的SCS1系列。這在當時是日本國內首家實現SiC-SBD量產。第二代是2012年6月推出的SCS2系列，現在很多
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品，并探討SiC-SBD的優勢。ROHM的SiC-SBD已經發展到第3代。第3代產品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
NJU6573點陣式LCD驅動器IC（新日本無線）
新日本無線新推出了一款適用于車載等LCD液晶板、可以顯示出1600Segment點陣式LCD驅動器IC NJU6573
2009-11-02 08:52:12652 鍵控掃描IC（新日本無線）
新日本無線新推出了一款適于帶有多鍵開關車載音響和信息板的鍵控掃描IC NJU6010，并開始樣品供貨。
2009-11-02 08:54:04448 新日本無線低壓差穩壓器NJM2841
新日本無線現已供貨NJM2841樣品。該產品是最適合于CPU、DSP、ASIC*1電源使用的Io=500mA低輸出電壓的低壓差穩壓器。
【開發背景】
2009-11-28 09:08:24974 新日本無線低壓降穩壓器NJM2837
新日本無線開發了最適合于DSC(Digital still camera)等CCD(Charge Coupled Device)電源、TV、DVD等AV設備用電源、馬達驅動電源等的20V耐壓/Io=1.0A的低壓
2009-11-28 14:47:20598 
新日本無線推出一款低壓差穩壓器NJM2841
新日本無線現已供貨NJM2841樣品。該產品是最適合于CPU、DSP、ASIC*1電源使用的Io=500mA低輸出電壓的低壓差穩壓器。
2009-12-05 10:40:13964 新日本無線低壓差穩壓器NJM2837，現已開始供貨
新日本無線開發了最適合于DSC(Digital still camera)等CCD(Charge Coupled Device)電源、TV、DVD等AV設備用電源、馬達驅動電源等的20V
2010-01-19 09:21:34880 
新日本無線開發出按鍵式電子音量控制器
新日本無線(NJR)新推出內置eala Stereo Expander功能的按鍵式接口電子音量控制器NJU7392，該產品最適合用于揚聲器間距狹窄的可攜
2010-01-20 08:43:15855 新日本無線開發完成高隔離度SPDT開關GaAs MMIC NJG1666MD7
近年來，隨著裝載有FM和1seg等多數調諧器的設備的增加，市場需求用于分離接收信號的具有高隔離度的SPDT開關。
2010-01-22 16:38:181435 
新日本無線推出寬帶低噪聲放大器NJG1129MD7
新日本無線(總部:東京都中央區 社長 平田一雄) 現開發完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已開始供貨了。該產品
2010-01-22 16:47:22919 新日本無線推出內置看門狗定時器的系統復位NJU7291
新日本無線現已開發完成了內置有看門狗定時器(Watchdog Timer)的系統復位IC NJU7291，并已開始供貨了。該產品最適于嵌
2010-03-19 11:27:181031 新日本無線推出三相DC無刷電動機控制NJW4303
新日本無線現已開發完成了最適于裝載有三相DC無刷電動機的風扇、鼓風機、氣泵、其他家電/OA設備的三相DC無刷電動機控制
2010-03-19 11:28:421161 新日本無線推出用于音響設備的DSP-NJU26060V
新日本無線(總部:東京都中央區 社長 平田一雄) 現已開發完成了用于音響設備的DSP NJU26060V，并已開
2010-04-27 10:44:581086 新日本無線推出適用于AV功放等音響設備的立體聲A/D轉換器
新日本無線(總部:東京都中央區 社長 平田一雄)現已開發完成了最適用于AV功放、揚
2010-04-27 10:48:591724 PurePath無線音頻產品系列CC8520
德州儀器 (TI) 宣布面向無線耳機與無線揚聲器等消費類、便攜式以及高端音頻應用推出 PurePath™ 無線音頻產品系列
2010-05-27 10:41:391069 各大音響發燒友和音響設計工程師們期待已久的新日本無線原創自主品牌『MUSES』高音質音頻產品正式進入中國市場，在中國也已經更便捷的購買得到MUSES的原裝正品了，與此同時MUSES官方獨家網站也公開上線，會使更多的人更容易了解MUSES產品，獲得MUSES產品的訂購信息。
2011-03-04 10:23:512391 新日本無線公布了世界首次*1用以往技術無法實現可靠性產品的粗銅線和半導體芯片鋁電極實施絲焊的量產技術。
2012-11-15 10:51:16735 新日本無線株式會社和總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市的SILVACO, Inc.合作共同開發了Analog Master Slice的專用設計開發環境，目的是為了提高新日本無線現提供的Analog Master Slice產品的
2012-11-15 11:12:281257 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業界最低噪聲 （5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz） 和低功耗 （1.8V，500uA） 兩種
2013-10-31 16:15:212868 
新日本無線最近開發的車載用運放NJU77903可使用36V工作電壓（40V耐壓）并且對應車載電子規格，最適合用于檢測電機主軸等旋轉軸角度變化的旋轉變壓器，該旋轉變壓器多用于混合動力汽車和電動汽車。
2014-11-20 15:17:293911 新日本無線最近開發的雙路H橋驅動IC NJW4814已經開始上市。該產品最適合驅動壓電元件，如用于數碼相機的變焦功能和手抖動校正功能等的壓電元件是最佳匹配。
2015-03-25 11:00:342793 新日本無線為改善音響設備音質再次提供新的解決方案，推出了3款新品音頻IC，電子音量控制器NJU72343、模擬開關NJU72750A和NJU72751A，可讓音響設備實現高音質、低失真和低噪音。
2016-04-13 11:40:561695 2016年10月24日新日本無線發布了一款帶音量調節功能的揚聲器放大器IC NJU72065，宣布已經進入量產，正式上市。該產品既可以優化系統設計，也可以簡化揚聲器驅動電路、降低成本。
2016-10-24 15:19:362266 
新日本無線presen_NJR_Wearable
2016-12-26 15:57:03
23 新日本無線經過長期的研發，終于又成功推出了一款高音質電子元器件MUSES系列旗艦版的新產品『MUSES03』 ，它是面向高端音響器材的單路J-FET輸入形式的高音質運放。由于采用了重視音質的優化電路、精選材質、全新組裝技術，從而實現了高音質。
2017-03-29 10:29:0624396 新日本無線最近推出一款內置PGA最高可達512倍的模擬前端（AFE） “NJU9103”，該器件最適合壓力計和流量計的應用，并已經開始進入量產。
2017-06-14 16:07:011577 為了讓IoT里不可缺少的傳感器器件更加省電，新日本無線特別推出了軌到軌輸入輸出運算放大器NJU77552。此運算放大器有1.7MHz帶寬、1回路50μA的超低消耗電流、高EMI抑制性能等特點，并且已經進入量產階段。
2018-05-29 11:09:002631 2015 TI 音頻創新日 (4) 中功率音頻放大器解決方案
2018-08-21 00:08:002989 2015 TI 音頻創新日 (2) 行業領導者
2018-08-24 00:47:003034 2015 TI 音頻創新日 (10) 觸覺技術介紹
2018-08-24 00:31:003191 新日本無線(NJR)新開發的系統復位IC NJU2103A/NJU2103B和有看門狗定時器功能的系統復位IC NJU2102A終于進入量產階段。
2019-12-23 14:25:411788 新日本無線株式會社推出的NJM2754 - 帶有噪聲接地的隔離放大器的4進/1出立體聲音頻選擇器。噪聲接地的隔離放大器適于抑制共模噪聲。共模噪聲存在于車載音頻設備和外部連接設備（如便攜式音頻器件）之間。
2021-02-20 10:59:001689 
新日本無線新開發的超寬帶SPDT射頻開關NJG1801BKGC-A符合AEC－Q100 Grade1、VDA等車載規格。
2021-01-29 14:07:421619 1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速
2023-02-07 16:46:27501 二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作為半導體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數據。
2023-02-08 13:43:18364 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在包括車載在內的各種應用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
－進入主題之前請您介紹了很多基礎內容，下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎內容，這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-22 09:18:59141 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
來源：國星光電官微 近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產品
2023-03-20 19:16:30550 國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環境下驗證，仍能保持正常穩定的工作狀態，可更好地適應復雜多變的車載應用環境，具備高度的可靠性、安全性和穩定性。
2023-03-22 10:56:52537 日清紡微電子基于多年積累的高音質音頻技術，推出了以MUSES系列為代表的各種音頻運算放大器。NL8802作為MUSES系列的入門級產品，是一款在音質、性能和性價比之間取得了平衡的高音質音頻運算放大器。該產品具有±22v的高工作電壓，非常適合需要高動態范圍的HiFi音響設備和專業音響設備。
2023-12-06 13:49:09637
電子發燒友App
工商網監
評論