功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
小日本寫的晶體管電路設(shè)計（上下冊）兩本書非常不錯，我已經(jīng)全部看完了才來發(fā)帖的，非常不錯，語言非常樸實。
2012-09-02 23:32:49
晶體管電路設(shè)計
2012-10-25 10:14:21
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
《晶體管電路設(shè)計與制作》是“圖解實用電子技術(shù)叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設(shè)計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機上使用的模擬器“SPICE”對設(shè)計的結(jié)果進行模擬。《晶體管電路設(shè)計與制作》中介
2018-01-15 12:46:03
的設(shè)計，運算放大電路的設(shè)計與制作。下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識。1．1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
列出使用VBE的測試方法。VBE測定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測量電路由此，通過測定VBE，可以推測結(jié)溫。通過圖1的測定電路，對晶體管輸入封裝功率：PC
2019-04-09 21:27:24
課題：晶體管β參數(shù)測試電路的設(shè)計要求用Proteus仿真，采用適當(dāng)?shù)腁/D芯片，最好串行轉(zhuǎn)換，液晶顯示。已嘗試用發(fā)光二級管顯示檔位的方法，如圖，但是仿真不出來。請大神們指導(dǎo)一下，萬分感謝!
2019-11-30 18:30:55
晶體管交直流參數(shù)對電路設(shè)計的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
什么是電阻測量法？晶體管共發(fā)射極電路特點有哪些？
2021-09-27 08:33:35
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
` 《晶體管電路設(shè)計（下）》是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實驗，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率
2019-03-06 17:29:48
= Ib(1+β)Re,根據(jù)歐姆定律,電路的輸入阻抗為Vi/Ib=Ib(1+β)Re/Ib=Re(1+β)。從此式可見電路的輸入阻抗是Re的1+β倍，電路的輸出阻抗等于Rc與Re的并聯(lián)總阻抗.經(jīng)上述分析得出結(jié)論：晶體管射隨電路具有較高的輸入阻抗和較低的輸出阻抗。思維稿
2009-09-17 08:33:13
一、晶體管開關(guān)電路：是一種計數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負載電流時，由于集電極電流(負載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路。如圖Z0212所示。 晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數(shù)
2021-05-13 07:56:25
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數(shù)變化不超出規(guī)定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時，實際功耗不允許超過PCM，通常還應(yīng)留有較大余量，因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開關(guān)，因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下，探討哪種晶體管最適合時的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導(dǎo)通電阻”這個參數(shù)。世界上最早的晶體管是雙極晶體管，所以可能有人說表達順序反了，不過近年來，特別是電源電路中
2018-11-28 14:29:28
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
得到了晶體管的h參數(shù)后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖Z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。 關(guān)于h參數(shù)等效電路，應(yīng)注意以下幾點： （1）電壓的參考極性為上正下負，電流的參考正方向是流入為正
2021-05-25 07:25:25
晶體管的電參數(shù)可分為哪幾種？晶體管的電參數(shù)在實際使用中有何意義？
2021-06-08 06:11:12
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。 2．末級視放輸出管的選用彩色電視機中使用的末級視放輸出管，應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
列出使用VBE的測試方法。VBE測定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測量電路由此，通過測定VBE，可以推測結(jié)溫。通過圖1的測定電路，對晶體管輸入封裝功率：PC
2019-05-09 23:12:18
級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路
2010-08-12 13:57:39
電子，雷達和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶體管ILD2735M120功率晶體管IB2856S250功率晶體管IB2856S30功率晶體管IB2856S65功率晶體管IB2931MH155功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
。IB3042-5產(chǎn)品詳情:IB3042-5用于傳統(tǒng)雷達系統(tǒng)設(shè)計的Si-Bipolar，VDMOS和LDMOS RF和微波功率晶體管Integra的預(yù)匹配，Si-Bipolar，Si-LDMOS
2019-04-15 15:12:37
詳情:IB3042-5用于傳統(tǒng)雷達系統(tǒng)設(shè)計的Si-Bipolar，VDMOS和LDMOS RF和微波功率晶體管Integra的預(yù)匹配，Si-Bipolar，Si-LDMOS和Si-VDMOS射頻和微波
2019-05-14 11:00:13
IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率晶體管IB0912L30功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:03:31
IGN1011L1000R2功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:35:32
晶體管IB450S300功率晶體管IB450S500功率晶體管IDM500CW200功率晶體管IDM500CW300功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:57:55
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應(yīng)晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
配對電路以產(chǎn)生連續(xù)功率。用于重型電機以控制電流。用于機器人應(yīng)用。IX. PNP 晶體管的優(yōu)勢為了提供電流，使用PNP晶體管。由于它產(chǎn)生的信號以負電源軌為基準(zhǔn)，因此簡化了電路設(shè)計。與NPN晶體管相比，它們
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負載失配狀態(tài)下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結(jié)果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
主要參數(shù) 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管放大能力。 耗散功率也稱集電極
2010-08-13 11:35:21
本帖最后由 生還者 于 2020-8-20 03:57 編輯
《晶體管電路設(shè)計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種晶體管應(yīng)用電路
2020-08-19 18:24:17
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設(shè)計與制作》是“圖解實用電子技術(shù)叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設(shè)計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機
2021-01-05 22:38:36
放大電路的設(shè)計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。《晶體管電路設(shè)計》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識
2017-07-25 15:29:55
`內(nèi)容簡介《射頻微波功率場效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2017-09-07 18:09:11
`內(nèi)容簡介《射頻微波功率場效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2018-01-15 17:57:06
。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)晶體管上的工作電壓必需小于BUDS。（6）耗散功率耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)晶體管性能不變壞時所允許的漏源耗散功率。運用時場效應(yīng)晶體管實踐功耗應(yīng)小于
2019-04-04 10:59:27
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關(guān)特性好，驅(qū)動功率高，但驅(qū)動電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
的微小變化非常敏感。由于這個原因，達林頓通常用于觸摸和光傳感器。光電達林頓專為光敏電路而設(shè)計。 輸出側(cè)通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶體管，它可以控制電機，電源逆變器和其他大電流設(shè)備。中等功率
2023-02-16 18:19:11
電路的設(shè)計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。《晶體管電路設(shè)計(下)》是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計技術(shù)
2017-06-22 18:05:03
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
ULN2003是什么？ULN2003的主要特點是什么？ULN2003達林頓晶體管集成電路有哪些應(yīng)用？怎樣去設(shè)計一種ULN2003達林頓晶體管集成電路？
2021-08-11 09:17:12
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
MOS場效應(yīng)晶體管。所選場效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓（或開啟電壓）、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
晶體管等多種類型。三、晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。（一）電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管放大能力
2012-07-11 11:36:52
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。 晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
常用晶體管參數(shù)手冊
2012-08-20 08:43:44
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號？常見的晶體管的電路符號有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
)條件下，數(shù)字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知，絕對最大額定值被定義為"不能同時提供2項以上"，僅用IC標(biāo)記沒有問題，但結(jié)合客戶實際使用狀態(tài)，合并標(biāo)記為IO。因此電路
2019-04-22 05:39:52
標(biāo)記為IO。因此電路設(shè)計探討中此IO即為絕對最大額定值。GI和hFE的區(qū)別hFE: 作為晶體管的直流電流增幅率GI: 作為數(shù)字晶體管的直流電流增幅率解說GI和hFE都表示發(fā)射極接地直流電流放大率。數(shù)字
2019-04-09 21:49:36
本帖最后由 太子的空間 于 2016-11-29 21:07 編輯
最全的晶體管參數(shù)查詢軟件
2016-11-21 20:57:47
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的拓撲結(jié)構(gòu)。在較高頻率下，無源諧振電路（例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器）的尺寸明顯減小，從而提高了功率密度。此外，還需要考慮功率晶體管（Q1和Q2）的選擇，以權(quán)衡
2023-02-27 09:37:29
電子產(chǎn)品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
設(shè)計工程師可以考慮的選項之一。應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時，也帶來了電路設(shè)計層面的挑戰(zhàn)。 并聯(lián)晶體管的設(shè)計挑戰(zhàn) 在應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)時，首先需要考慮的是并聯(lián)晶體管的通態(tài)電阻
2021-01-19 16:48:15
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
請問能幫忙分析這個電路晶體管如何be如何負偏置嗎？貌似VCC會對Vin造成直流干擾吧？在Vin和Lb間要加一個隔直電容吧？
2019-04-15 06:36:28
上面這段怎么理解啊，這個是鈴木的晶體管電路上面的，
2019-04-04 02:43:43
`作者：Mountain 畢業(yè)于燕山大學(xué)，獲學(xué)士學(xué)位。工作5年多，一直從事醫(yī)療檢測及分析儀器設(shè)備相關(guān)的硬件電路設(shè)計工作。最初接到李老師的邀請要寫一篇晶體管使用心得的時候，內(nèi)心著實惶恐了一陣，畢竟
2016-06-03 18:29:59
，使得同等功率量級固態(tài)發(fā)射機的體積、成本大大降低，電路形式也隨之簡化。這一切極大地推動了固態(tài)發(fā)射機在各個領(lǐng)域的應(yīng)用。微波晶體管輸出功率提高意味著它的輸入、輸出阻抗變小，尤其是未進行內(nèi)匹配的晶體管，這給
2019-07-04 07:15:45
微波晶體管放大器,微波晶體管放大器是什么意思
微波晶體管放大器是工作在微波頻率范圍的晶體管放大器.它的一般性能請見”晶體管放大器”條目
2010-03-05 10:08:15
869 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108109 微波晶體管放大器分析與設(shè)計，教材，有需要的下來看看
2016-07-20 11:40:38
0 前言：微波晶體管功率放大器工作狀態(tài)與低頻晶體管功率放大器一樣，有甲類、甲乙類、乙類及丙類四種工作狀態(tài)，分類的方法也相同。不同的工作狀態(tài)適用不同的需要。匹配電路元件可以是集中參數(shù)、半集中參數(shù)及分布參數(shù)。
2023-02-17 11:28:550 微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271640 
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