高通定義WCMA手機PA新規范，TriQuint借機后來居上

就像PC主板上的規范都是由英特爾主導，外圍器件廠商必須分秒跟隨一樣，現在高通成為WCDMA手機主板上規范的制定者，外圍芯片廠商必須跟隨他玩才能獲得市場。而高通每一次的新規格發布，就會導致手機廠商/設計公司重新選擇新的外圍器件，也就導致了外圍芯片供應格局的變化。

PA（功率放大器）是手機中除主芯片外最重要的外圍器件，也是手機功耗、面積的消耗大戶，特別是在3G多頻段多模式的手機中，需要多塊PA。高通去年對WCDMA線性PAM規范進行了新的定義，要求由原來的4X4規格變成3X3，并且能通過兩個數位控制高中低三種狀態的功率級，以達到最佳功效，而之前則是一個數位控制高低兩個狀態。3X3規格將是未來1-2年的主流尺寸。

顯然，這一新的規定將導致WCDMA手機市場PA供應高格局的洗牌。目前在中國市場，安華高、RFMD與Anadigics是主要的WCMA手機PA供應商，特別是安華高，幾乎通吃中國最大的兩家WCDMA終端廠商份額。而作為全球第三大砷化鎵廠商TriQuint雖然在CDMA、EDGE市場有不錯的份額，但是WCDMA市場，他們慢了半步。不過，現在機會來了，“你不久就會看見我們在WCDMA市場的份額會有很大變化。”TriQuint中國區總經理熊挺對本刊很自信地說道。

他的自信是有理由的。相比以前在WCMA市場比競爭對手慢了半步，這次高通新發布的規范使得TriQuint與對手站在了同一起跑線上，且他們還拿出了兩個殺手锏：一個是TriQuint特有的BiHEMT工藝，一個是采用了無引線封裝。“通過BiHENT工藝，我們將以前的兩個Die變成一個Die，降低了面積，同時提升了生產的良率；而無引線封裝技術則是可以提供最好的熱性能、緊密的分布、更穩定、可靠的質量。”他解釋，“我們是第一個在PA上實現無引線封裝的廠商，這個技術已是成熟的技術，我們之前在EDGE產品線已大量出貨超過1億片。現在，我們將之用于WCDMA后，可使得PAM具有更低的功耗與更小的尺寸，這對3G手機來說變得非常重要。”而TriQuint獨有的Bi-HEMT工藝，具有三層金屬結構，每平方米電阻達50ohm，同時每平方米MIM電容可達1200pF。該獨特工藝由TriQuint的HBT和E/D pHEMT外延工藝組成，HBT是已由TriQuint證實的非常優秀的PA工藝，而E/D pHEMT可實現非常好的RF性能（0.7um的線寬，高電流密度和低阻抗），采用三層結構則是為了實現最高級晶體管性能。

除此之外，TriQuint在新一代的WCDMA PAM中還加入了偶合器，以實現閉環功率控制，使得PA總是在電流最優位置，從而進一步控制功耗。“以上這一系列的優勢，使得我們的產品備受用戶青睞，在主要手機廠商基于高通平臺的新設計項目中我們已贏得不少設計訂單。”熊挺透露。看來，這一次高通的新規范發布，確實為TriQuint創造了在WCDMA市場洗牌的大好機會。

目前TriQuint已推出的3X3 WCDM PAM有五款，包括TQS6011，TQS6012，TQS6014，TQS6015和TQS6018，以滿足不同頻段的要求。