完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>
電子發燒友網技術文庫為您提供最新技術文章，最實用的電子技術文章，是您了解電子技術動態的最佳平臺。
PA應用極為廣泛，在無線通信系統中，如手機、衛星通信、Wi-Fi、蜂窩網絡等都需要射頻功率放大器來提供足夠的信號強度和覆蓋范圍。...
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導體工藝制成的單個 PN 結或多個 PN 結集成的器件。...
我們知道可以通過調節負載電容CL來微調振蕩器的頻率，這就是為什么晶振制造 商在其產品說明書中會指定外部負載電容CL值的原因。通過指定外部負載電容CL值，可以使晶 振晶體振蕩時達到其標稱頻率。...
電感是一種電路元件，它可以在自身磁場中儲存能量。電感通過儲存將電能轉換為磁能，然后向電路提供能量以調節電流。當電流增加，磁場就會增強。...
討論了不同的ADC和DAC架構，包括Flash型、逐次逼近寄存器（SAR）型、Pipelining型和時間交錯型等。...
當VGS小于一定的電壓值，DS極就會導通，適合用于S極接正電源的情況（高端驅動）。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于其導通電阻大、價格貴、替換種類少等原因，在大部分應用中通常還是使用NMOS。...
電磁干擾嚴重。隨著頻率提高，電路中的di/dt和du/dt增大，從而使電磁干擾增大，影響變換器和周圍電子設備的工作。...
在此電路中，TVS管PTVS30VP1UP可以快速鉗位一些瞬態的電壓到30V，同時它的漏電流也非常非常小（25℃的時候典型漏電流為1nA），這個管子也很推薦大家使用，漏電流很小。...
電壓緩沖放大器的作用是將電壓從具有高輸出阻抗的電路傳輸到具有低輸入阻抗的另一個電路。通過在這兩個電路之間插入緩沖器，可以防止第二個電路過度加載第一個電路，這可能會干擾其預期操作。...
采樣和保持電路是一種電子電路，它創建作為輸入的電壓樣本，然后將這些樣本保持一定的時間。采樣保持電路對輸入信號產生采樣的時間稱為采樣時間。...
碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更優越的物理和化學特性，包括更高的臨界擊穿場強、更大的熱導率、更高的工作溫度和更快的開關速度。...
在MOSFET的柵極前增加一個電阻？ MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導通，只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，并不需要柵極電流。...
碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，相比于傳統的硅材料，具有更高的熱導率、更大的電場擊穿強度和更高的載流子遷移率等特點。...
在柵極電荷方法中，將固定測試電流（Ig）引入MOS晶體管的柵極，并且測量的柵極源電壓（Vgs）與流入柵極的電荷相對應。對漏極端子施加一個固定的電壓偏置。...
眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產品。...
碳化硅作為第三代半導體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優異性能采用碳化硅功率器件可使電動汽車或混合動力汽車功率轉化能耗損失降低20%，在OBC產品上使用碳化硅功率器件對于提升OBC產品效率、功率密度和質量密度上發揮著重要作用。...
SDA和SCL都是雙向線路，都通過一個電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當總線空閑時，這兩條線路都是高電平，連接到總線的器件輸出級必須是漏極開路或集電極開路才能執行線與的功能。...
為了快速導通和關斷 BJT，必須在每個方向上硬驅動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區。當 MOSFET 的柵極被驅動為高電平時，會存在一個從雙極型晶體管的基極到其發射極的低阻抗路徑。...
碳化硅具有比硅更高的熱導率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應用中表現優異。...
那這兩張圖是完全等價的，我們可以看到MOS管是有三個端口，也就是有三個引腳，分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要，只要記住他們分別簡稱G、D、S就可以。...
關注我們的微信
下載發燒友APP
電子發燒友觀察
版權所有 ? 湖南華秋數字科技有限公司
長沙市望城經濟技術開發區航空路6號手機智能終端產業園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918
工商網監
湘ICP備2023018690號-1
