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高溫焊接回流導(dǎo)致內(nèi)部積聚的濕氣蒸發(fā)并對不穩(wěn)固?的表面造成分層 如果內(nèi)部蒸汽壓力超過塑料能承受的強度，就會出現(xiàn)- -個破裂。...
先進封裝技術(shù)以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發(fā)展重點。先進封裝核心技術(shù)包括Bumping凸點、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等，依托這些技術(shù)的組合各廠商發(fā)展出了滿足多樣化需求的封裝解決方案，SiP系統(tǒng)級封裝、WLP晶圓級封裝、2.5D/3D封裝為三大發(fā)展重點。...
本文著重分析智能制造系統(tǒng)中的人機協(xié)同需求與人機交互鴻溝，從行為、意圖、認知三個層次闡述人因工程在縮小人機交互鴻溝、實現(xiàn)人機協(xié)作中的重要性，并在此基礎(chǔ)上結(jié)合數(shù)字孿生、混合現(xiàn)實等先進技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用,提出面向智能制造的人機交互的人因工程發(fā)展建議。...
Chiplet也稱芯粒，通俗來說Chiplet模式是在摩爾定律趨緩下的半導(dǎo)體工藝發(fā)展方向之一，是將不同功能芯片裸片的拼搭...
有機基板的材料主要由類似 PCB 的材料和編織玻璃層壓板制成，允許通過芯片路由相當多的信號，包括基本的小芯片設(shè)計，例如英特爾的移動處理器（具有單獨的 PCH 和 CPU 芯片）以及 AMD 基于小芯片的 Zen 處理器。...
統(tǒng)一的工作流程，包括分區(qū)、樓層規(guī)劃、系統(tǒng)級設(shè)計。 互連線、路徑探索及可行性分析。有能力 從多個來源創(chuàng)建抽象包模型和虛擬模具模型...
表面組裝元器件的外貌，從廣。義上來講基本_上都是片狀形式的，包括薄片矩形、正方形、圓柱形、扁平異形等。所以業(yè)內(nèi)常把它們稱之為片狀元器件、貼片元器件。表面組裝元器件和傳統(tǒng)的插裝元器件樣，可以從功能上將它們分為表面組裝元件(SMC)、表面組裝器件(SMD)。...
集成電路封裝是指將制備合格芯片、元件等裝配到載體上，采用適當連接技術(shù)形成電氣連接，安裝外殼，構(gòu)成有效組件的整個過程，封裝主要起著安放、固定、密封、保護芯片，以及確保電路性能和熱性能等作用。...
其實三種集成名字不同，但都是同一一個目的，那就是把無源器件和有源器件集成在同一個芯片.上。因為硅是間接帶隙材料不能發(fā)光，所以不可避免的需要三五族材料作為光 源，但硅基材料由于晶格失配又很難與三五族材料集成在一一個芯片上，所以衍生了以上幾種概念。...
Chiplet技術(shù)背景下，可將大型單片芯片劃分為多個相同或者不同小芯片，這些小芯片可以使用相同或者不同工藝節(jié)點制造，再通過跨芯片互聯(lián)及封裝技術(shù)進行封裝級別集成，降低成本的同時獲得更高的集成度。...
為了證明該技術(shù)的有效性，英特爾發(fā)布了一款全功能測試芯片，該芯片采用 75um TGV，長寬比為 20:1，核心厚度為 1 毫米。雖然測試芯片是客戶端設(shè)備，但該技術(shù)最初將用于構(gòu)建面向數(shù)據(jù)中心的處理器...
前提是都需要一定的空間，如你開始描述的裝配方式，一般僅僅調(diào)試時臨時搭接，而且硅橡膠粘接和灌封效果幾乎一樣，震動量級大了沒用，而且加上熱膨脹應(yīng)力存在，你們這種‘垂直貼焊’不可靠，斷裂不出意外也是斷在芯吸終點位置。...
歐洲極紫外光刻（EUVL）技術(shù)利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大多數(shù)在13.5納米附近發(fā)射的錫離子（例如Sn10+-Sn15+）。...
扇出型晶圓級封裝技術(shù)采取在芯片尺寸以外的區(qū)域做I/O接點的布線設(shè)計，提高I/O接點數(shù)量。采用RDL工藝讓芯片可以使用的布線區(qū)域增加，充分利用到芯片的有效面積，達到降低成本的目的。扇出型封裝技術(shù)完成芯片錫球連接后，不需要使用封裝載板便可直接焊接在印刷線路板上，這樣可以縮短信號傳輸距離，提高電學(xué)性能。...
一些半導(dǎo)體器件集成了專用的熱二極管，根據(jù)校準后的正向電壓與溫度曲線精確測量結(jié)溫。由于大多數(shù)器件沒有這種設(shè)計，結(jié)溫的估計取決于外部參考點溫度和封裝的熱阻參數(shù)。常用的封裝熱指標是熱阻和熱表征參數(shù)。...
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。...
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)封裝雜散電感參數(shù)較大，難以匹配器件的快速開關(guān)特性；器件高溫工作時，封裝可靠性降低；以及模塊的多功能集成封裝與...
SSMB就產(chǎn)生了和FEL類似的“微聚束”，但是關(guān)鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài)，電子團在波蕩器里自由互相作用，最后發(fā)出強光完事。SSMB是讓電子束在存儲環(huán)里繞圈，這樣就有可能是“穩(wěn)態(tài)”的，對于重復(fù)發(fā)光很重要。也就是兩個特性結(jié)合：微聚束的相干輻射發(fā)強光 + 存儲環(huán)高重頻。...
先進封裝增速高于整體封裝，將成為全球封裝市場主要增量。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，全球封裝市場規(guī)模穩(wěn)步增長，2021 年全球封裝 市場規(guī)模 約達 777 億美元。其中，先進封裝全球市場規(guī)模約 350 億美元，占比約 45%， 2025 年，先進封裝在全部封裝市場的 占比將增長至 49.4%。...
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