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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

STM32單片機(jī)FSMC模塊的應(yīng)用

1.與非總線復(fù)用的16位SRAM接口 FSMC配置 SRAM存儲(chǔ)器和NOR閃存存儲(chǔ)器共用相同的FSMC存儲(chǔ)塊，所用的協(xié)議依不同的存儲(chǔ)器類型而...

2019-01-14 標(biāo)簽：sram stm32單片機(jī)fsmc模塊 3218 0

基于SRAM的FPGA的問世標(biāo)志著現(xiàn)代可重構(gòu)技術(shù)的開端

由于數(shù)字邏輯系統(tǒng)功能復(fù)雜化的需求，單片系統(tǒng)的芯片正朝著超大規(guī)模、高密度的方向發(fā)展。對(duì)于一個(gè)大規(guī)模的數(shù)字系統(tǒng)而言，系統(tǒng)規(guī)模是基于各種邏輯功能模塊的組合。但...

2019-01-02 標(biāo)簽：FPGA SRAM 1036 0

對(duì)SRAM工藝的FPGA進(jìn)行加密的方法淺析

由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵...

2018-11-20 標(biāo)簽：FPGA SRAM 2364 0

一文教你如何破解MCU

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2018-10-16 標(biāo)簽：fpga mcu cpu 3771 0

掌握電子工程師面試時(shí)必知的26題

如果系統(tǒng)不穩(wěn)定的話，有時(shí)是因?yàn)殡娫礊V波不好導(dǎo)致的。在單片機(jī)的電源引腳跟地引腳之間接上一個(gè)0.1uF的電容會(huì)有所改善。如果電源沒有濾波電容的話，則需要再接...

2018-09-14 標(biāo)簽：SRAM 觸發(fā)器邏輯電平 2.0萬 0

采用FPGA安全存儲(chǔ)器的加密認(rèn)證系統(tǒng)設(shè)計(jì)

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，高速 FPGA運(yùn)行時(shí)需將其配置數(shù)據(jù)加載到內(nèi)部SRAM 中，改變SDRAM 里面的數(shù)據(jù)，從而使FPGA實(shí)現(xiàn)不同的功能，即所謂的可重...

2018-10-07 標(biāo)簽：fpga 存儲(chǔ)器 sram 2516 0

SRAM運(yùn)行狀態(tài)分析步驟詳解

45895206

2018-08-29 標(biāo)簽：sram reset NVIC 9725 0

通過利用 BQ25570 PMIC啟動(dòng)能量采集

物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)必須在不更換一次電池的情況下運(yùn)行數(shù)年才能最大程度地減少維護(hù)工作。對(duì)于某些類型的系統(tǒng)，節(jié)點(diǎn)只需要很少的電池電量，而依賴于能量采集器來滿足長(zhǎng)期電力...

2018-08-10 標(biāo)簽：sram fram BQ25570 1.4萬 0

一文詳解SRAM特點(diǎn)和原理

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則...

2018-05-30 標(biāo)簽：DRAM CPU sram 2.2萬 0

關(guān)于基于三值文字運(yùn)算的碳納米場(chǎng)效應(yīng)晶體管SRAM的設(shè)計(jì)

隨著CMOS技術(shù)進(jìn)入納米級(jí)工藝，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transi...

2018-06-14 標(biāo)簽：sram 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3251 0

關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)涉及的專業(yè)名詞介紹及各存儲(chǔ)器的區(qū)別

RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random access memory(隨機(jī)存取...

2018-07-10 標(biāo)簽：閃存 dram 存儲(chǔ)器 2265 0

對(duì)RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM的簡(jiǎn)單介紹

RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器...

2018-01-17 標(biāo)簽：dram sram ram 8959 0

多功能存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)方法

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，存儲(chǔ)器的種類日益繁多，每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序，為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率，一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。...

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通過CPLD進(jìn)行接口連接和編程控制的大容量、高速度FIFO設(shè)計(jì)

許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個(gè)FIFO芯片級(jí)聯(lián)擴(kuò)展，這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本高。本文分別針對(duì)Hynix公司...

2018-07-26 標(biāo)簽：cpld dram sram 2355 0

基于FT245R芯片的存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)USB接口的設(shè)計(jì)

接口電路是測(cè)試系統(tǒng)與外部計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ?，是存?chǔ)測(cè)試系統(tǒng)的重要組成部分。眾所周知，串口使用受波特率的限制，制約了存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)與計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)傳輸?shù)男?..

2017-11-30 標(biāo)簽：usb sram ft245r 6674 0

基于ARM?Cortex?-M7內(nèi)核的高性能微控制器STM32F7系列特色分析

對(duì)于微處理界第一顆基于ARMCortex-M7內(nèi)核的高性能微控制器STM32F7系列，相信很多人對(duì)它都不陌生了。比如STM32F7系列微控制器采用90n...

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基于SRAM結(jié)構(gòu)FPGA邏輯資源的測(cè)試編程

隨著現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列( FPGA)芯片在商業(yè)、軍事、航空航天等領(lǐng)域越來越廣泛的應(yīng)用,其可靠性和可測(cè)試性也顯得尤為重要。本文介紹一種基于SRAM結(jié)構(gòu)FPG...

2017-11-23 標(biāo)簽：sram bc3192v50 5152 0

基于FPGA的三模冗余容錯(cuò)技術(shù)的研究

基于SRAM 的FPGA對(duì)于空間粒子輻射非常敏感，很容易產(chǎn)生軟故障，所以對(duì)基于FPGA的電子系統(tǒng)采取容錯(cuò)措施以防止此類故障的出現(xiàn)非常重要。通過對(duì)敏感電路...

2017-11-18 標(biāo)簽：sram tmr 1.2萬 0

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2015-08-11 標(biāo)簽：AVR單片機(jī)保護(hù)電路 SRAM 4424 0

SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設(shè)計(jì)中的作用

上世紀(jì)90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨(dú)立式SRAM供應(yīng)商帶來“滅頂之災(zāi)”。最大的SRAM市場(chǎng)（PC高速緩存）一夜...

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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