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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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靜態(tài)隨機存儲器(Static Random Access Memory,簡稱SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Me...
靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)是隨機存取存儲器(RAM)的一種,以其獨特的靜態(tài)存儲方式而著稱。所謂“靜態(tài)”,意味著只要保持通電狀態(tài),SRAM內(nèi)部存儲的數(shù)...
借助高度集成的 Arm? Cortex? MCU 更有效地滿足應(yīng)用要求
作者:Stephen Evanczuk 投稿人:DigiKey 北美編輯 2024-06-04 消費品、工業(yè)、智慧城市和醫(yī)療保健等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)χ悄墚a(chǎn)品的要...
【GD32F303紅楓派開發(fā)板使用手冊】第二十五講 EXMC-外部SRAM讀寫實驗
MCU的片內(nèi)SRAM空間有限,在做一些大量數(shù)據(jù)處理、GUI顯示等應(yīng)用中片內(nèi)SRAM容量無法滿足應(yīng)用需求,而外部SRAM器件讀寫速度快,不需要自刷新,工作...
應(yīng)該有可以回答的上來的,但是大部分應(yīng)該是回答不上來。標(biāo)題的回答也不對。 計算機內(nèi)存里面分這么幾種數(shù)據(jù) 存在SRAM里面,嗯?內(nèi)存?對也不對,大家覺得內(nèi)存...
論基于電壓域的SRAM存內(nèi)計算技術(shù)的嶄新前景
這篇文章總結(jié)了馮·諾伊曼架構(gòu)及其在處理數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中所面臨的性能和能耗問題。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn),文章介紹了存內(nèi)計算技術(shù),其中重點討論了基于電壓域的SRA...
2024-05-17 標(biāo)簽:存儲器數(shù)據(jù)傳輸sram 1015 0
探索存內(nèi)計算—基于 SRAM 的存內(nèi)計算與基于 MRAM 的存算一體的探究
本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先,介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計算技術(shù),包括其原理、優(yōu)勢以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...
2024-05-16 標(biāo)簽:存儲器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 2933 0
作為新的計算架構(gòu),存內(nèi)計算(Computing In Memory,CIM)被認(rèn)為是具有潛力的革命性技術(shù)。重點是將存儲與計算融合,有效克服馮·諾依曼架構(gòu)...
在NOR Flash存內(nèi)計算芯片當(dāng)中,向量-矩陣乘法運算基于電流/電壓的跨導(dǎo)與基爾霍夫定律進行物理實現(xiàn),如圖7(a)所示。因此,其核心是設(shè)計NOR Fl...
隨著AI設(shè)計對內(nèi)部存儲器訪問的要求越來越高,SRAM在工藝節(jié)點遷移中進一步增加功耗已成為一個的問題。
這要求在更接近數(shù)據(jù)源的地方大幅提高性能,但仍然只能使用非常少的功耗,并且價格便宜。雖然訓(xùn)練將繼續(xù)在云中進行,但長距離移動大量數(shù)據(jù)的成本很高,所以邊緣AI...
機器學(xué)習(xí)(ML)推理主要計算之存內(nèi)計算芯片
機器學(xué)習(xí)(ML)應(yīng)用已經(jīng)在汽車、醫(yī)療保健、金融和技術(shù)等各個領(lǐng)域變得無處不在。這導(dǎo)致對高性能、高能效 ML 硬件解決方案的需求不斷增加。
2024-04-07 標(biāo)簽:存儲器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)gpu 1231 2
FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)的架構(gòu)主要由可配置邏輯模塊(CLB)、輸入/輸出模塊(IOB)以及可編程互連資源組成。
神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)能加速的有很多,當(dāng)然使用硬件加速是最可觀的了,而目前除了專用的NPU(神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速單元),就屬于GPU對神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速效果最好了
2024-03-05 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)gpusram 849 0
人工智能與機器學(xué)習(xí)計算中的內(nèi)存挑戰(zhàn)
更多帶寬 – 隨著需要移動大量數(shù)據(jù),我們目睹了所有 DRAM 類型繼續(xù)競相提高數(shù)據(jù)速率以提供更多內(nèi)存帶寬。
英特爾Clearwater Forest系列突破高核心數(shù)服務(wù)器CPU
在封裝方面,英特爾表示,對于Clearwater Forest,將使用其他工藝節(jié)點來實現(xiàn)SRAM和I/O,因為這些節(jié)點在較新的工藝上無法很好地擴展。
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