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標簽 > sps
SPS是以安全域為單位進行管理,它由4個部分組成:安全網關(GW)、策略客戶端(PU)、安全策略服務器(PS)和安全系統數據庫(SPSDB)。
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型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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SM2910T9RL | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續漏極電流(Id):50A; |
獲取價格
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SM4185T9RL | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):40V;連續漏極電流(Id):40A;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):13.5mΩ; |
獲取價格
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2N3055T3BL | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):15A;功率(Pd):115W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@10A,3.3A;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V;特征頻率(fT):2.5MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2N3773T3BL | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):140V;集電極電流(Ic):16A;功率(Pd):150W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):4V@16A,3.2A;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):15@8A,4V;特征頻率(fT):-;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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MN638SVL-RPT0TL |
獲取價格
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SM2312SRL | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續漏極電流(Id):6A;功率(Pd):1.4W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):18.9mΩ@10V,6A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):800mV@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):3nC@4.5V;輸入電容(Ciss@Vds):525pF@15V;反向傳輸電容(Crss@Vds):75pF@15V;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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SMIRF5N65T1TL | 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-; |
獲取價格
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SMIRF8N60T1TL | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):600V;連續漏極電流(Id):8A;功率(Pd):152W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,4A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):20nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):1.16nF@25V;反向傳輸電容(Crss@Vds):8pF@25V;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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SMIRF12N65T1TL | 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-; |
獲取價格
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SM420R65CT2TL | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續漏極電流(Id):11A;功率(Pd):31W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):420mΩ@10V,5.5A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):39nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):680pF@25V;反向傳輸電容(Crss@Vds):7pF@25V;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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TIP41CT1TL | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):6A;功率(Pd):65W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@6A,600mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征頻率(fT):3MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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BU406T1TL | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):200V;集電極電流(Ic):7A;功率(Pd):60W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@2A,5V;特征頻率(fT):10MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2SC2073T1TL | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):150V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):25W;集電極截止電流(Icbo):10uA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V;特征頻率(fT):4MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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SM4184T9RL |
獲取價格
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SM418T9RL |
獲取價格
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SMIRF4N65T9RL | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續漏極電流(Id):4A;功率(Pd):50W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):13.7nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):610pF@25V;反向傳輸電容(Crss@Vds):7pF@25V;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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SM600R65CT9RL | 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-; |
獲取價格
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BU406DT9TL | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):200V;集電極電流(Ic):7A;功率(Pd):65W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@5A,800mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):70@2A,5V;特征頻率(fT):30MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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SM3416SRL | MOSFETs N-溝道 VDS=20V ID=6.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V,6.5A SOT23 |
獲取價格
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2SC3834T1TL | 2SC3834T1TL |
獲取價格
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SP1471SRL | SP1471SRL |
獲取價格
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SM4435PRL | SM4435PRL |
獲取價格
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SM4805PRL | SM4805PRL |
獲取價格
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SM3415SRL | SM3415SRL |
獲取價格
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2SA1943T7TL | 2SA1943T7TL |
獲取價格
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SPT15N120F1T8TL | SPT15N120F1T8TL |
獲取價格
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2SC5027T1TL | 2SC5027T1TL |
獲取價格
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SM454AT9RL | SM454AT9RL |
獲取價格
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SM9926PRL | SM9926PRL |
獲取價格
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SM4803APRL | SM4803APRL |
獲取價格
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