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儲(chǔ)單元分為兩類：SLC（Single Level Cell 單層單元）和MLC（Multi-Level Cell多層單元）。此外，SLC閃存的優(yōu)點(diǎn)是復(fù)寫次數(shù)高達(dá)100000次，比MLC閃存高10倍。

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這是一種全新領(lǐng)域的薄形多層板做法，早啟蒙是源自 IBM 的SLC 制程，系于其日本的 Yasu 工廠 1989 年開始試產(chǎn)的，該法是以傳統(tǒng)雙面板為基礎(chǔ)，...

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Nand Flash基礎(chǔ)知識與壞塊管理機(jī)制的介紹

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NOR FLASH和NAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)介紹

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