功率半導(dǎo)體需求成長，羅姆加大SiC產(chǎn)能投資

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2017年因國際景氣好轉(zhuǎn)而表現(xiàn)良好，但廠商同時(shí)也看出PC與手機(jī)半導(dǎo)體市場走入極限，因此利用這個(gè)機(jī)會希望積極轉(zhuǎn)型，據(jù)日刊工業(yè)新聞報(bào)導(dǎo)，羅姆...

2018-08-05 標(biāo)簽：SiC羅姆半導(dǎo)體 4236 0

升級“中國芯”_中車時(shí)代電氣第三代功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線建設(shè)見聞

2月7日，株洲中車時(shí)代電氣SiC（碳化硅）生產(chǎn)線上，工人忙著生產(chǎn)。透過通透的玻璃擋板，可以看到從頭到腳“全副武裝”的粉色制服技術(shù)人員和藍(lán)色制服設(shè)備人員，...

2018-04-30 標(biāo)簽：IGBTSiC功率半導(dǎo)體 6521 0

中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成

近日，中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成，標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線全線設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿完成，具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件，下個(gè)月產(chǎn)線將...

2018-01-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體sic 7084 0

SiC如此多嬌，引無數(shù)廠商競出招

隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料（即第三代半導(dǎo)體材料）設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導(dǎo)體器...

2017-10-17 標(biāo)簽：SiCGaN 1776 0

PCIMAsia2017青銅劍科技力推IGBT驅(qū)動展現(xiàn)雄厚實(shí)力

6月27-29日，2017年國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia）在上海世博展覽館成功舉行。國內(nèi)IGBT驅(qū)動領(lǐng)軍企業(yè)青銅劍科技攜旗下全...

2017-07-05 標(biāo)簽：igbtsic 1557 0

氮化鎵組件2015年～2021年的市場增長率將達(dá)83%

由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用，其應(yīng)用市場規(guī)模要大于中高功率，因此Yole預(yù)估，氮化鎵組件2015年～2021年的成長率將達(dá)83%，其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大...

2016-11-28 標(biāo)簽：新能源汽車SiC氮化鎵 1512 0

羅姆：憑SiC拿下電動方程式大賽，逆變器減小30％

在SiC功率器件方面，羅姆展示了該公司的第3代產(chǎn)品。SiC MOSFET的第三代產(chǎn)品是采用“雙溝道結(jié)構(gòu)”的溝道型。相同芯片尺寸下，導(dǎo)通電阻較原來的平面型...

2016-11-23 標(biāo)簽：逆變器SiC羅姆 1278 0

世界各國第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展情況

由于第三代半導(dǎo)體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動作用，歐美日等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入國家戰(zhàn)略，投入巨資支持發(fā)展。本文將對第...

2016-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2889 0

功率半導(dǎo)體市場大幅增長 SiC躋身電源組件主流

過去幾年來，碳化硅（SiC）型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長，成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動此項(xiàng)市場發(fā)展的力量包括下列趨勢：節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整...

2016-11-14 標(biāo)簽：igbtSiC功率半導(dǎo)體 1945 0

關(guān)于SiC和GaN的一些技術(shù)比較

臺達(dá)電技術(shù)長暨總經(jīng)理張育銘表示，以前電力電子的廠商其實(shí)不多，不過近期隨著碳化硅、氮化鎵的半導(dǎo)體元件越來越多，這部分的市場是值得期待的。另外，若以功率設(shè)備...

2016-10-26 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體芯片 9867 0

日立推出車新型SiC逆變器，電力損耗減少60%

日立運(yùn)用了以前開發(fā)的SiC與GaN并行封裝技術(shù)和雙面冷卻型功率模塊技術(shù)，開發(fā)出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。

2016-09-26 標(biāo)簽：日立sic 1561 0

崛起的大陸功率半導(dǎo)體，日本如鯁在喉

　　功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢領(lǐng)域。如今在這個(gè)領(lǐng)域，中國的實(shí)力正在快速壯大。日本要想在這個(gè)領(lǐng)域繼續(xù)保持強(qiáng)大的競爭力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝...

2016-05-12 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 4602 0

英飛凌推出革命性的1200V碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù) 助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)提升效率和性能

英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級...

2016-05-10 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC 8223 0

SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020年破10億美元

市場研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場加速采 用；與此...

2016-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 1449 0

SiC功率器件加持，羅姆閃耀慕尼黑上海電子展

作為業(yè)內(nèi)極具代表性的電子展之一，3月中旬在滬舉辦的慕尼黑上海電子展吸引了海內(nèi)外眾多半導(dǎo)體廠商的關(guān)注。日本的知名廠商羅姆（ROHM）半導(dǎo)體也攜帶了其最新的...

2016-03-23 標(biāo)簽：電源管理模擬電源功率器件 1586 0

Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，...

2015-11-22 標(biāo)簽：SiCGaNBulk Si 1551 0

羅姆亮相高交會，電源與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品亮眼

　　2015年11月16日，第十七屆高交會電子展在深圳拉開帷幕，作為中國電子行業(yè)最具代表性的展會之一，本次展會吸引了眾多半導(dǎo)體廠商關(guān)注。來自日本的知名半...

2015-11-20 標(biāo)簽：高交會SiC羅姆 1542 0

業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。

2015-09-07 標(biāo)簽：MOSFETSiCC3M0065090J 2112 0