功率半導(dǎo)體需求旺 預(yù)計(jì)2030年SiC增長(zhǎng)10倍，GaN翻至60倍

據(jù)日本富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)6月發(fā)布功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)的報(bào)告預(yù)估，汽車，電氣設(shè)備，信息和通信設(shè)備等領(lǐng)域?qū)ο乱淮β拾雽?dǎo)體（SiC和GaN）需...

2019-06-25 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 8128 0

國(guó)內(nèi)SiC距離大規(guī)模量產(chǎn)還差“東風(fēng)”吹來

SiC優(yōu)越的半導(dǎo)體特性，未來將可為眾多的元件所采用。

2019-06-25 標(biāo)簽：SiC微電子 3090 0

CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系 共同推動(dòng)碳化硅功率器件應(yīng)用

高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與中國(guó)科學(xué)院電工研究所（簡(jiǎn)稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊...

2019-06-10 標(biāo)簽：CISSOIDSiC碳化硅 1447 0

SiC功率元件憑借電動(dòng)車發(fā)展擴(kuò)大應(yīng)用 成本問題為主要考量

受惠于電動(dòng)車市場(chǎng)需求提升，為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求，SiC（碳化硅）功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品，可分為：SiC-SBD（SiC...

2019-05-22 標(biāo)簽：電動(dòng)車SiC 1600 0

Cree成為大眾汽車集團(tuán)FAST項(xiàng)目SiC碳化硅獨(dú)家合作伙伴

這項(xiàng)協(xié)議將兩場(chǎng)同時(shí)進(jìn)行的產(chǎn)業(yè)變革聯(lián)結(jié)在了一起：汽車產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)向EV電動(dòng)汽車的轉(zhuǎn)型，而在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，SiC碳化硅的采用正在不斷增長(zhǎng)。這項(xiàng)協(xié)議同時(shí)...

2019-05-16 標(biāo)簽：SiC碳化硅大眾汽車 4306 0

Cree成為大眾汽車集團(tuán)FAST項(xiàng)目SiC碳化硅獨(dú)家合作伙伴

14日消息，科銳（Cree）宣傳成為大眾汽車集團(tuán)（Volkswagen Group）FAST（Future Automotive Supply Trac...

2019-05-15 標(biāo)簽：CreeSiC碳化硅 7263 0

SiC熱潮來襲!科銳投資10億美元擴(kuò)產(chǎn)SiC

Cree將投資10億美元，擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能。

2019-05-13 標(biāo)簽：SiC科銳 3628 0

Cree將宣布投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

先進(jìn)的制造園區(qū)，將加速?gòu)腟i硅向SiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，滿足EV電動(dòng)汽車和5G市場(chǎng)需求。

2019-05-10 標(biāo)簽：CreeSiC碳化硅 4624 0

搶先看第三代半導(dǎo)體GaN與SiC技術(shù)沙龍

隨著全球5G網(wǎng)絡(luò)規(guī)模化部署和商業(yè)化進(jìn)程加速，電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)小型輕量化需求的提升，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)，吸引了諸多國(guó)際廠商紛紛...

2019-05-09 標(biāo)簽：SiC 3569 0

Cree宣布投資10億美元 用于擴(kuò)大SiC（碳化硅）產(chǎn)能

Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作為公司長(zhǎng)期增長(zhǎng)戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC（碳化硅）產(chǎn)能，在公司美國(guó)總部北卡羅...

2019-05-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車CreeSiC 3810 0

UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC...

2019-05-08 標(biāo)簽：FETSiCUnitedSiC 1974 0

富士康濟(jì)南項(xiàng)目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件

據(jù)介紹，中鐵14局主要負(fù)責(zé)項(xiàng)目的基礎(chǔ)工程、主體工程、裝飾裝修、場(chǎng)區(qū)市政以及安裝工程等，目前項(xiàng)目進(jìn)場(chǎng)道路已經(jīng)打通，正在進(jìn)行灰土和面層混凝土施工；降水工程基...

2019-05-06 標(biāo)簽：功率器件SiC半導(dǎo)體器件 7343 0

SiC功率元件憑借電動(dòng)車發(fā)展擴(kuò)大應(yīng)用,成本問題為主要考量

受惠于電動(dòng)車市場(chǎng)需求提升，為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求，SiC(碳化硅)功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品，可分為：SiC-SBD(SiC...

2019-05-06 標(biāo)簽：電動(dòng)車SiC 2784 0

第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析

SiC適合高壓領(lǐng)域，GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。

2019-05-04 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET功率器件 1.4萬(wàn) 0

安森美半導(dǎo)體推出IGBT門極驅(qū)動(dòng)器 提供同類最佳的電流性能和保護(hù)特性

展示針對(duì)強(qiáng)固電源應(yīng)用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅(qū)動(dòng)器， 提供同類最佳的電流性能和保護(hù)特性 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconduct...

2019-05-14 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體安森美 4656 0

第三代半導(dǎo)體材料突破傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體材料的瓶頸，從而引領(lǐng)了新一輪產(chǎn)業(yè)革命

除此之外，為了縮短測(cè)試所用的時(shí)間，這種儀器還必須能夠監(jiān)視這臺(tái)設(shè)備所消耗的電壓和電流，并以此來判斷設(shè)備的性能或測(cè)試設(shè)備是否正常工作。而與其他器件相比，測(cè)試...

2019-04-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC5G網(wǎng)絡(luò) 8529 0

羅姆推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC

在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢(shì)。基于這些優(yōu)勢(shì)，當(dāng)Si...

2019-04-24 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器SiCACDC 2331 0

屬于 SiC器件的時(shí)代也許真的要到來了

開啟電動(dòng)車神奇盒子的鑰匙——碳化硅（SiC）

2019-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 3403 0