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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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作為第三代半導體的代表,碳化硅材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大...
火熱的投資環(huán)境以及政策保障下,我國SIC產業(yè)已完成基本布局
隨著5G、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產業(yè)迅速發(fā)展,產業(yè)鏈上下游企業(yè)紛紛跑步入場。在巨大的潛在市場需求增長、火熱的投資環(huán)境以及政策保障下,我...
本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片,并與OBIRCH對比定位效果,然后用FIB做定點截面切割,觀察到金屬化薄膜鋁...
英飛凌與日本圓晶制造商簽供應合同 確保芯片基材碳化硅供應安全
5月7日消息 日前,據外媒報道,英飛凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)與日本晶圓制造商昭和電工(Showa Denk...
SiC肖特基勢壘二極管不使用反并聯(lián)硅二極管,可集成到系統(tǒng)中。硅基二極管有反向恢復電流,會造成開關損耗(以及產生電磁干擾,或EMI),而SiC二極管的反向...
CISSOID推出適用于航空應用的SiC智能功率模塊,以滿足其對自然冷卻的需求
CISSOID 實現(xiàn)了功率模塊和柵極驅動器的整體融合設計,且可通過仔細調整dv/dt去實現(xiàn)控制,通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM,從而將開關能量...
過去的一年,作為第三代半導體的典型代表,碳化硅(SiC)器件著實火了一把,其高工作溫度、高擊穿場強、高耐壓、高熱導率、高功率密度以及高可靠性,為設計師打...
目前,以GaN和SiC為代表的第三代半導體材料具有禁帶寬度大、臨界電場高和電子飽和漂移速度快等優(yōu)勢,突破了硅與傳統(tǒng)化合物材料(GaAs、InP等)技術發(fā)...
氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產氮化鎵和碳化硅SIC技術成熟密不可分,據悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產品體積更小,散熱更好,效率比超快恢復管提...
賦能未來,勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章
在2011年,在經過了將近二十年的研發(fā)之后,科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業(yè)界先前曾十分懷疑這是否可能實現(xiàn)。
盡管電壓和電流完全在最大允許值之內,但晶體管在消耗200 W功率時將立即燃燒。該組件實際上只能承受65 W的功率。
SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析
關于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術資料,幫助大家更好的理解與應用。這篇微信文章將延續(xù)“仿真看世界”系列一貫之風格,借助器件S...
日本關西學院大學和豐田通商于3月1日宣布,他們已開發(fā)出“動態(tài)AGE-ing”技術,這是一種表面納米控制工藝技術,可以消除使SiC襯底上的半導體性能變差的缺陷。
嘉興斯達半導體股份有限公司(以下簡稱“斯達半導”)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預案,公司擬定增不超35億元,投建SiC芯片/功率半導體模塊等項目。
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