高壓寬帶隙諧振轉換器中MLCC的設計注意事項

在 SiC 逆變器中，DC-Link 電容器需要能夠處理高紋波電流、高電壓、高溫 (150C) 和高頻。H 橋中的緩沖電容器需要能夠處理高 dV/dt、...

2022-08-05 標簽：MLCC逆變器SiC 1236 0

碳化硅 (SiC) FET 推動電力電子技術發展

甲碳化硅（SiC） JFET是一結基于常導通晶體管類型，它提供了最低的導通電阻R DS（ON）的每單位面積和是一個強大的設備。與傳統 MOSFET 器件...

2022-08-05 標簽：半導體電力電子FET 1241 0

從瓦特到兆瓦：碳化硅的優勢及性能

設計人員當然對碳化硅感興趣，因為它具有潛力。這種潛力包括：在不損失效率的情況下實現高頻開關——這意味著更快的開關和 更低的開關損耗。 導通電阻 (RDS...

2022-08-05 標簽：半導體SiC碳化硅 1174 0

測試、測量試驗，確認 GaN 技術的價值

通過測試和測量持久力來評估電子設備的質量和耐用性。評估氮化鎵 (GaN)價值的測試勢在必行，因為它自誕生以來就具有巨大的潛力，可以實現更高效的功率轉換，...

2022-08-05 標簽：半導體工業SiC 1287 0

用于 5G 行業的射頻功率半導體

使用 WBG 材料的射頻功率半導體解決了 5G 應用中的許多技術挑戰，縮小了與舊的基于硅的技術之間的差距。 5G 技術的進步正在推動半導體行業面臨新的技...

2022-08-05 標簽：射頻SiCGaN 1520 0

電源設計說明：讓我們使用SiC MOSFET構建雙向降壓-升壓轉換器

隨著高效蓄能器（電池和超級電容器）的大量使用，趨勢是朝著更好的電流管理方向發展。雙向 DC/DC 轉換器可以保持電池健康并延長其使用壽命。

2022-08-05 標簽：MOSFET電源設計升壓轉換器 873 0

使用 WBG 半導體進行設計需要更多的奉獻精神

工程師熟悉電磁干擾、并聯和布局，但在從硅基芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時，需要多加注意。 據chip稱，硅（Si）基半導體比寬帶隙（WBG）半導體領先十...

2022-08-05 標簽：半導體設計SiC 1021 0

碳化硅、氮化鎵：注意帶隙

近年來，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）半導體受到了廣泛關注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復雜的電子產品。S...

2022-08-05 標簽：電動汽車半導體SiC 953 0

使用SiC實現太陽能和可再生能源功率轉換

Wolfspeed SiC 目前支持廣泛的應用，因為事實證明，基于 SiC 的解決方案比傳統的基于 Si 的解決方案具有更高的效率、功率密度和系統成本效...

2022-08-04 標簽：功率轉換SiC可再生能源 577 0

如何消除SiC MOSFET——柵極電路設計中的錯誤及其對穩健性的影響

為什么需要關注 SiC MOSFET 柵極？盡管具有傳統的 SiO 2柵極氧化物，但該氧化物的性能比傳統 Si 基半導體中的經典 Si-SiO 2界面更...

2022-08-04 標簽：電容器二極管MOSFET 1660 0

最大限度地減少SiC FET中的EMI和開關損耗

SiC FET 速度極快，邊緣速率為 50 V/ns 或更高，這對于最大限度地減少開關損耗非常有用，但由此產生的 di/dt 可能達到每納秒數安培。這會...

2022-08-04 標簽：emiFETSiC 1251 0

關于碳化硅的 10 件事

碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機...

2022-08-04 標簽：半導體SiC碳化硅 1841 0

使用 Si 和 SiC 器件的電力電子教育工具箱

我們知道，技術教育不僅需要理論知識，還需要實踐知識和動手經驗，讓學生在電路層面理解更深層次的概念。2 Labs 實際上幫助學生理解諸如電路設計概念之類的...

2022-08-04 標簽：設計電力電子SiC 537 0

電源設計說明：使用SiC進行蒙特卡羅分析

圖 1中的圖表顯示了一個典型的 RC 電路，其中電容器充電的時間取決于時間常數。準確地說，RC秒后電壓達到電源電壓的63%左右。在這種情況下，電容器兩端...

2022-08-04 標簽：電源設計升壓轉換器DC-DC轉換器 747 0

用于電動汽車下一個高壓應用的碳化硅

目前，標準硅器件仍占電力電子市場的大部分。雖然許多公司正在開發新的電路拓撲以提高硅器件的效率，尤其是三電平拓撲，但新的碳化硅解決方案正在作為一種新的半導...

2022-08-04 標簽：半導體SiC碳化硅 626 0

羅姆阿波羅工廠新建 SiC 功率器件生產設施

日本筑后羅門阿波羅工廠增建了一座新廠房，旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產能力。這個新工廠包括工廠自動化和可再生節能技術，以實現更綠色的制造過程。 ...

2022-08-04 標簽：半導體功率器件SiC 676 0

SiC MOSFET的實時結溫監控電路及其影響因素

兩個重要變量（例如閾值電壓和結溫）之間的現有關系為變化，因為觀察到 Lss' 上的電壓發生了變化。由于 SiC MOSFET 的開爾文源和電源...

2022-08-04 標簽：電容器MOSFETMOS管 2230 0

SiC MOSFET 短路測試下的引線鍵合應力分析

電力電子技術在日常生活中越來越普遍，尤其是現在，當我們正經歷一場由寬帶隙 (WBG) 材料引發的革命時。 ? WBG 材料在 SiC MOSFET 和 ...

2022-08-04 標簽：轉換器MOSFETSiC 1385 0

碳化硅 MOSFET 取代電動汽車雙向充電器中的 IGBT

電動汽車 (EV) 以及更普遍的電動汽車的成功在很大程度上取決于為電池充電所需的時間。長期以來，電動汽車一直被認為是弱點之一，充電時間逐漸縮短，采用快速...

2022-08-03 標簽：MOSFET半導體IGBT 2755 0

碳化硅嵌入式漏極 MOSFET 助力“登月火星”任務

晶圓鍵合是一種廣泛用于開發和成功生產微機械傳感器和執行器 (MEMS) 的工藝。由于它能夠通過多個晶片的精確和牢固附著來實現復雜的微納米結構，因此它肯定...

2022-08-03 標簽：MOSFET半導體嵌入式 722 0