如何在絕緣層上硅形成高質量和大面積的化合物半導體材料

第一代半導體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料，而第二代和第三代半導體材料主要是化合物半導體（Compound Semiconductor）材料，其中...

2022-09-16 標簽：集成電路半導體SiC 1099 0

怎樣利用SpeedFit來對不同拓撲進行比較

Wolfspeed SpeedFit 2.0 Design Simulator 是一款快速且實用的仿真工具，可快速比較不同的系統規格、拓撲、器件甚至熱參...

2022-09-15 標簽：PFCSiC電流波形 981 0

安森美獲蔚來汽車“守望獎”

領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，在蔚來于2022年7月30日舉行的合作伙伴大會上獲其授予“守望獎”。作...

2022-09-13 標簽：電動汽車安森美SiC 523 0

IGBT與SiC的性能對比

近幾年來，電動汽車、電化學儲能、以及光伏和風電等新能源市場的快速發展，市場對功率器件的需求量大增，特別是電動汽車的興起，讓IGBT常年處于供應緊張狀態，...

2022-09-07 標簽：MOSFETIGBT功率器件 1.2萬 1

討論SiC在中功率和高功率OBC中的優勢

電動汽車（EV）車載充電機（OBC）可以根據功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機車等應用中的不到 2 kW，到高端電動汽車中的 22 kW 不等。

2022-09-05 標簽：電動汽車AFEDC-DC轉換器 2127 0

東芝推出具有低導通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系...

2022-09-01 標簽：MOSFET東芝功率器件 794 0

UPS小型化高效化發展，引入SiC能否解決設計難題

電子發燒友網報道（文/李寧遠）在如今的生活里，我們對電力能源的依賴度是非常高的，若沒有電，很多日常生活都會受到影響。不間斷電源UPS就是為了應對這種情況...

2022-09-01 標簽：UPSSiC 1319 0

SiC發展神速

來源：半導體芯科技編譯 全球的器件制造商正在加強碳化硅（SiC）的制造，增長將在2024年開始真正起飛。 自特斯拉和意法半導體在Model 3中使用碳化...

2022-08-25 標簽：半導體SiC 787 0

SiC正成為電動汽車的“香餑餑”

理想汽車功率半導體研發及生產基地是理想汽車自研核心部件的戰略布局之一，主要專注于第三代半導體SiC車規功率模塊的自主研發及生產，旨在打造汽車專用功率模塊...

2022-08-25 標簽：電動汽車SiC碳化硅 940 0

氮化鎵GaN技術的未來布局

氮化鎵作為一種寬帶隙復合半導體材料，具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、開關頻率高，以及抗輻射能力強等優勢。其中，開關頻率高意味著應用電路可以采用尺寸...

2022-08-24 標簽：功率轉換器SiCGaN 2113 0

SiC功率元件迎來快速發展期

國內的晟光硅研（Lasic）成立于2021年2月，是航天基地科技成果就地轉化項目，技術團隊包括來自西安電子科技大學、中國工程物理研究院、山東大學、西北工...

2022-08-23 標簽：半導體SiC碳化硅 2063 0

碳化硅為第三代半導體材料，引領功率及射頻領域革新

SiC MOSFET 較 IGBT 可同時具備耐高壓、低損耗和高頻三大優勢。1）碳化硅擊穿電場強度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。

2022-08-23 標簽：半導體材料SiC碳化硅 3726 0

SiC和Si產線差異和轉換

來源：半導體芯科技編譯 SEMI最近與PowerAmerica聯盟的執行董事兼首席技術官Victor Veliadis合作，舉辦了一次題為SiC-碳化硅...

2022-08-19 標簽：工藝SiC 1463 0

Microchip高效雙通道數字柵極驅動器讓SiC器件優勢盡顯

隨著對電動汽車以及各種電氣化的需求增加，加之人們對于更低碳排放目標的追求，使得碳化硅 (SiC) 等第三代寬禁帶半導體電源管理器件的研發和應用日趨火熱。...

2022-08-11 標簽：驅動器microchipSiC 928 0