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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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滿足AEC-Q101標準的SiC MOSFET又增10個型號,業界豐富的產品陣容!
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產品“支持汽車電子產品可靠性標準AE...
經過在SiC賽道長達十年甚至更久的技術及硬件積累,上述這些SiC芯片供應商們由于特定的歷史條件,大多是IDM模式,而且如今包括ST、安森美、羅姆等多家廠...
這家美國制造商稱,這兩款設備的功率分別為200kW和400kW,得益于SiC MOSFET的開關頻率是硅IGBT的20倍,SiC組件為 400 kW 逆...
瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM
RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。
2月2日,知名投資界媒體投中網發布了2022年度“投中·銳公司100”榜單,瞻芯電子入榜。 ? 該榜單由投中研究院提供,從企業外部關注度、產業協同性以及...
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關,其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
雖然SiC在電子應用中的使用可以追溯到1900年代初,但它作為半導體材料的使用直到1990年代才開始真正獲得關注。正是在這一點上,它首次用于肖特基二極管...
隨著碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新材料在二極管、場效應晶體管(MOSFET)和其他元件中的不斷應用,電力電子行業的技術革命已經開始。這些新組...
第三代半導體具有較高的熱導率、電子飽和率、擊穿電場、帶隙寬度、抗輻射能力等,適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件,可用于衛星、汽車、雷達、工業、...
隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉向非常規半導體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對...
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。在帶隙寬度中,硅為1.1eV,SiC為3.3eV,GaN為3.4eV,因此寬帶隙...
WBG化合物半導體具有更高的電子遷移率和更高的帶隙能量,因此其財產優于硅。由WBG化合物半導體制成的晶體管具有較高的擊穿電壓和耐高溫性。這些器件在高...
碳化硅產業鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學氣相沉積法(CVD法...
IGBT、SiC國產化率加速攀升 碳化硅行業迎來快速發展機遇期
分 8 寸和 12 寸廠看,2022 年第四季度 8 寸晶圓廠的主力臺積電、聯電、世界先進、力積 電和中芯國際的產能利用率預計分別下降到 97%/90%...
特斯拉碳化硅技術怎么樣?特斯拉碳化硅技術成熟嗎? 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優點,碳化硅技術能夠幫助電動汽車實現快速充電,增加續航;這...
瑞薩電子推出新型柵極驅動IC,用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)宣布,推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM,用于驅動電動汽車(EV)逆變器的IGB...
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