完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>
標簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
文章:2507個 瀏覽:62825次 帖子:124個
6.1.1 選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.2n型區的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅...
2022-01-06 標簽:SiC 1039 0
6.1.3 p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.3p型區的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅...
2022-01-06 標簽:SiC 1064 0
?9.1.2增益參數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
9.1.2增益參數9.1雙極結型晶體管(BJT)第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPL...
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6...
2022-01-24 標簽:SiC 1221 0
6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.1氧化...
2022-01-04 標簽:SiC 1208 0
6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、...
2022-01-13 標簽:SiC 959 0
6.3.4.5 高低頻方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.5高低頻方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和...
2022-01-10 標簽:SiC 590 0
9.2.1 電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
9.2.1電流-電壓關系9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產...
8.2.10.1 影響反型層遷移率的機理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.10.1影響反型層遷移率的機理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅...
2022-03-03 標簽:SiC 621 0
6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.2.3濕法腐蝕∈《...
2022-01-04 標簽:SiC 920 0
6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表...
2022-01-18 標簽:SiC 937 0
6.5 總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.5總結第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長...
2022-01-27 標簽:SiC 1309 0
7.3.2 “i”區中的載流子濃度∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
7.3.2“i”區中的載流子濃度7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7....
2022-02-14 標簽:SiC 663 0
6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術基本原理—...
2022-01-04 標簽:SiC 875 0
8.2.1 MOS靜電學回顧∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.1MOS靜電學回顧8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》...
6.3.4.3 確定表面勢、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.4Terman法6.3.4.3確定表面勢6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基...
2022-01-07 標簽:SiC 1154 0
8.2.11 氧化層可靠性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.11氧化層可靠性8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往...
2022-03-07 標簽:SiC 521 0
6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內...
2022-01-21 標簽:SiC 1146 0
6.3.5.1 界面態分布∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.5.1界面態分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、...
2022-01-12 標簽:SiC 1155 0
6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.6不同晶...
2022-01-21 標簽:SiC 1123 0
編輯推薦廠商產品技術軟件/工具OS/語言教程專題
電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯網 | NXP | 賽靈思 |
步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
伺服電機 | SVPWM | 光伏發電 | UPS | AR | 智能電網 | 國民技術 | Microchip |
開關電源 | 步進電機 | 無線充電 | LabVIEW | EMC | PLC | OLED | 單片機 |
5G | m2m | DSP | MCU | ASIC | CPU | ROM | DRAM |
NB-IoT | LoRa | Zigbee | NFC | 藍牙 | RFID | Wi-Fi | SIGFOX |
Type-C | USB | 以太網 | 仿真器 | RISC | RAM | 寄存器 | GPU |
語音識別 | 萬用表 | CPLD | 耦合 | 電路仿真 | 電容濾波 | 保護電路 | 看門狗 |
CAN | CSI | DSI | DVI | Ethernet | HDMI | I2C | RS-485 |
SDI | nas | DMA | HomeKit | 閾值電壓 | UART | 機器學習 | TensorFlow |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |