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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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【世說芯品】Microchip推出全新MPLAB? SiC電源模擬器,助力客戶在設計階段測試SiC電源解決方案
電氣化正在推動SiC半導體的增長,由于其具備快速開關能力、更低的功率損耗和更高的溫度性能,電動汽車、可持續發展和工業等大型細分市場都轉向SiC電源解決方...
學技術 | 世平安森美碳化硅(SiC)MOSFET產品的特性與應用
一、第三代半導體介紹:首先簡單介紹一下第一、二代半導體。在半導體材料領域中,第一代半導體是「硅」(Si),第二代半導體是「砷化鎵」(GaAs),第三代半...
看直播 | @11/24 能源危機引爆儲能商機-安森美ESS儲能系統碳化硅方案攻略
全球極端氣候造成的災害已嚴重威脅人類生存環境,如何節能減碳并提高再生能源比例已經成為全球趨勢。特別在2050年全球凈零碳排的目標下,世界各國無不投入龐大...
2022-11-21 標簽:SiC 391 0
功率半導體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設計企業:上海陸芯獲數億元D輪融資,強化車規級功率器件市場突破
月初,上海陸芯電子科技有限公司(下文簡稱上海陸芯)由多家戰略投資方攜手引領的數億元D輪融資已經落實,投資方包括盛宇華天產業基金等,將為上海陸芯加快全面復...
2022-06-20 標簽:SiC 1404 0
5.2.3 擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5....
2022-01-06 標簽:SiC 916 0
6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往...
2022-01-26 標簽:SiC 976 0
英飛凌于2020年發布了基于.XT技術的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產品,導通電阻從350mohm到30mohm,覆蓋功率...
2022-05-10 標簽:SiC 1039 0
5.3.1.2 雜質∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
5.3.1.2雜質5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往...
2022-01-06 標簽:SiC 757 0
5.3.2 載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件...
2022-01-06 標簽:SiC 876 0
5.3.2.1 壽命控制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用...
2022-01-06 標簽:SiC 779 0
陸芯:單管IGBT、IGBT模塊、SiC混合型IGBT、SGT MOS新能源電動汽車、電機驅動領域、高頻電源領域、感應加熱等領
上海陸芯電子科技有限公司成立于2017年5月,是專業從事最新一代功率半導體研發、生產和銷售的高新技術企業。公司掌握核心技術、擁有國際一流的設計能力和工藝...
8.1.6 功率JFET器件的實現∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.1.6功率JFET器件的實現8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8....
2022-02-21 標簽:SiC 810 0
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