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PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區,分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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明白上述原因后,就可以理解輸出的高電平由上管決定,低電平由下管決定。為了保證在某一時刻,輸出只能為高電平或低電平,需要結合上下管,即當上管導通時,下管必...
如果電路的電源接反,例如將正極線接到地,負極線接到電路的Vcc。可能會發生兩件壞事,要么我們設計的電路連同其中所有昂貴的組件一起被燒毀,要么電源本身被毀...
硬件工程師的很多項目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負極接反的現象,導致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
電源反接,會給電路造成損壞,電源反接是不可避免的。所以我們就需要給電路中加入保護電路,達到即使接反電源,也不會損壞的目的,下面介紹幾種常用防反接電路。
PMOS中的空穴遷移率比NMOS中電子的遷移率低,所以為了實現相同的電流輸出,我們需要將PMOS的寬度做的是NMOS寬度的2~3倍。
設計具有 NMOS 和驅動IC 的防反保護電路時,NMOS 需放置在高邊,驅動IC也從高邊取電,這里將產生一個大于輸入電壓 (VIN) 的內部電壓,給 ...
由PMOS來進行電壓的選擇:當V8V存在時,此時電壓全部由V8V提供,將PMOS關閉,VBAT不提供電壓給VSIN,而當V8V為低時,VSIN由VBAT供電。
“晶體管開關”,是使用晶體管控制電路通斷的開關。根據實際應用場景,也稱“模擬開關(analog Switch)”或“邏輯開關(Logic Switch)...
通過D3, D4, R4,實現“浮地”拓撲,可鉗位比較器的供電電壓,使其輸出不會超過MOS 管的最大柵源電壓V G S ( m a x ) 。
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長,可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
以常用的5V/2A為例。常用二極管串聯在電路中,在電源反接時,二極管承擔所有的電壓,有效防止電源反接損壞后級設備。但是,二極管上壓降較大,損耗較高。使用...
如圖所示,令左路電流為10u,PM1和PM0寬長比相同,則由電流鏡定律,右側電流也為10u,目標:設計較為精確的電流鏡,要求輸出(PM3漏端)電壓>...
此電路功能為三輸入與門形式,輸入為A,B,C,輸出為Y。用CMOS實現反相器電路,PMOS和NMOS管進行全互補連接方式,柵極相連作為輸入,電路上面是三...
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