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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi), P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),我們會(huì)使用NMOS來(lái)作防反電路,原因是成本較低。 PMOS一般會(huì)放置在電路的高邊,NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類(lèi)似。不過(guò),...
為什么PMOS作為高側(cè)開(kāi)關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)
高側(cè)開(kāi)關(guān)就是負(fù)載是接地的,開(kāi)關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位,如下圖所示。如果將開(kāi)關(guān)和負(fù)載的位置互換,就是低側(cè)開(kāi)關(guān)。
2024-10-08 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)負(fù)載MOS管 1273 0
PMOS(P-type Metal-Oxide-Semiconductor)晶體管,即P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是電子電路中常用的關(guān)鍵元件之一。...
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類(lèi)型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特...
在探討PMOS開(kāi)關(guān)電路的連接方式時(shí),我們需要考慮不同的應(yīng)用場(chǎng)景和具體需求。 一、PMOS開(kāi)關(guān)電路的基本原理 PMOS(P-channel Metal O...
2024-10-06 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)電 1799 0
PMOS晶體管是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)點(diǎn),如低功耗、高速度和良好的集成性。然而,要充分利用PMOS晶體管的性能,我們需要了解其...
2024-08-01 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體材料PMOS 1795 0
PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。它具有許多優(yōu)點(diǎn),如低功耗、高輸入阻抗、易于集成等。本文我們將討論P(yáng)M...
SMT僅僅是用來(lái)提高NMOS 的速度,當(dāng)工藝技術(shù)發(fā)展到45nm 以下時(shí),半導(dǎo)體業(yè)界迫切需要另一種表面薄膜層應(yīng)力技術(shù)來(lái)提升PMOS 的速度。在SMT技術(shù)的...
源漏嵌入SiGe應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介
與通過(guò)源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來(lái)提高NMOS 的速度類(lèi)似,通過(guò)源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用...
華太電子理想二極管在防反接保護(hù)電路、ORing中的應(yīng)用
在電源系統(tǒng)中,通常需要設(shè)計(jì)防反接保護(hù),以防止現(xiàn)場(chǎng)電源接線錯(cuò)誤導(dǎo)致的短路大電流燒毀元器件的情況出現(xiàn)。在防反接保護(hù)電路中,大多數(shù)設(shè)計(jì)采用二極管或PMOS管的...
PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝制程技術(shù)是最早出現(xiàn)的MOS...
2024-07-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管PMOS 2157 0
在集成電路和微電子領(lǐng)域中,MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管是一種基本的電子元件,根據(jù)其導(dǎo)電溝道的類(lèi)型...
防反電路,通常指的是防止電流反向流動(dòng)的電路,確保電流只能沿一個(gè)方向流動(dòng)。
熱插拔一般對(duì)電子系統(tǒng)有兩方面影響:1.熱插拔時(shí),連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳,引起電源振蕩;2.熱插拔時(shí),由于系統(tǒng)大容量?jī)?chǔ)能電容的充電效應(yīng),系統(tǒng)...
電路設(shè)計(jì)時(shí),不同的子系統(tǒng)之間無(wú)可避免的需要數(shù)字信號(hào)傳遞,不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間,數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致,故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路;
MOS管主副電源自動(dòng)切換的電路設(shè)計(jì)
當(dāng)VUSB斷開(kāi)后,PMOS的G端的電壓(5V)由電阻R1下拉到GND,此時(shí)PMOS導(dǎo)通,VCC由VBAT(為鋰電池)供電。
PMOS從導(dǎo)通到關(guān)斷時(shí),PMOS的阻抗會(huì)從接近0(導(dǎo)通),再到電阻無(wú)窮大(斷開(kāi)),這里會(huì)有一段過(guò)程,而PMOS會(huì)存在一定的阻值,負(fù)載也非恒定電阻。
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