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標(biāo)簽 > pMOS器件
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pMOS器件的熱載流子注入和負(fù)偏壓溫度耦合效應(yīng)立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2012-04-23 標(biāo)簽:耦合效應(yīng)pMOS器件載流子 1643 1
深亞微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效應(yīng)與物理機(jī)制立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2012-04-23 標(biāo)簽:耦合效應(yīng)pMOS器件物理機(jī)制 1959 0
先進(jìn)的模擬180nm CMOS設(shè)計(jì)套件支持一次設(shè)計(jì)成功
艾邁斯半導(dǎo)體晶圓代工事業(yè)部總經(jīng)理Markus Wuchse表示:“在我們的奧地利工廠中啟用aC18技術(shù)對(duì)我們來說是一項(xiàng)里程碑。基于我們?cè)?50nm制程中...
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