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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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雷卯電子leiditech高功率TVS 二極管可防止反激浪涌損壞MOSFET 或繼電器觸點開關,而MOSFET 或繼電器觸點開關可能在短路斷開時發生。
金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 是一種場效應晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當壓控電流源,并主要用作開關或用于放大電信號。MOSF...
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
MOS管制造工藝會造成內部D極與S極之間存在一個寄生二極管,其作用:一是電路有反向電壓時,為反向電壓提供續流,避免反向電壓擊穿MOS管;二是當DS兩級電...
下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術后從90nm到22nm技術節點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...
基于電流采樣運放的DCDC電源輸出線損補償電路的詳細推導計算
本文以LMR14030和INA213為例,給出了線損補償的詳細推導。當客戶需要更改電路器件(例如使用不同的DCDC或電流采樣運放)或更改電路參數(例如要...
基于IRFP240和IRFP9240MOSFET的100W功率放大器電路
此處顯示了基于 IRFP240 和 IRFP9240 MOSFET 的 100W MOSFET 功率放大器電路。該放大器采用+45/-45 V DC雙電...
在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應用中,MOSFET由于具有較快的開關速度和較少的關斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。
新型電子研發組件在不斷發展,也隨之而來的是取得的成果。公司不斷嘗試開發越來越多的性能設備,特點是更高的效率和更好的電氣特性。
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復雜,單元一致性比平面結構差。
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