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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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米勒效應(yīng)(Miller effect)是在電子學(xué)中,反相放大電路中,輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用,其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大...
2023-05-15 標(biāo)簽:放大器開(kāi)關(guān)電路MOSFET 8658 0
數(shù)據(jù)手冊(cè)就是電子元件的使用說(shuō)明書,在電路設(shè)計(jì)之前,十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊(cè),并了解產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中極限值表格中的總功率損耗P...
基于國(guó)產(chǎn)單晶襯底的150mm 4H-SiC同質(zhì)外延技術(shù)進(jìn)展
本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過(guò)在玻璃晶圓 上使用雙面布線工藝,實(shí)現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接...
高級(jí)負(fù)載診斷功能助力縮短24 VDC配電的工廠停機(jī)時(shí)間
在工業(yè) 4.0 時(shí)代,診斷數(shù)據(jù)量逐年遞增,使系統(tǒng)變得更智能,能夠保持更長(zhǎng)的在線時(shí)間,并最終提高生產(chǎn)力。在可編程邏輯控制器 (PLC) 系統(tǒng)、機(jī)器人和機(jī)床...
三極管最典型的應(yīng)用——MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
說(shuō)實(shí)話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一些大家對(duì)三極管的理解。但真正在實(shí)際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。說(shuō)到這里,也給在學(xué)校的大學(xué)生們...
2023-05-14 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1029 0
這款 100W 基本 MOSFET 放大器電路可在 8 歐姆揚(yáng)聲器負(fù)載下產(chǎn)生 100 瓦均方根功率,在 4 歐姆負(fù)載下可產(chǎn)生 160 瓦有效值功率。在1...
深度剖析MOSFET的構(gòu)造/工作原理/驅(qū)動(dòng)電路
要了解功率MOSFET及其驅(qū)動(dòng)電路,首先了解一下MOSFET的構(gòu)造和工作原理是很有用的。功率MOSFET與其他MOSFET一樣,基本上是一種電壓控制器件...
2023-05-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 4600 0
SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)
SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公...
在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候,可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)...
公開(kāi)資料顯示,功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 376 0
ROHM開(kāi)發(fā)具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能,還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻(Ron)*2,...
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)低導(dǎo)通電阻 484 0
由三個(gè)端子組成的器件,可通過(guò)控制三端的電流或電壓實(shí)現(xiàn)器件的導(dǎo)通或關(guān)斷,包括雙極型(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)型如MOSFET 及絕緣柵型如IGBT 等器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1692 0
單刀單刀雙極電源開(kāi)關(guān)簡(jiǎn)化電源測(cè)試
本應(yīng)用筆記介紹了如何實(shí)現(xiàn)一個(gè)非承諾、隔離式SPST(單刀/單擲)雙極性電源開(kāi)關(guān),該開(kāi)關(guān)可用于產(chǎn)生高達(dá)200A和75V的瞬變。該開(kāi)關(guān)可用于測(cè)試電源和電源 ...
過(guò)壓保護(hù) (OVP) 器件可保護(hù)下游電路免受拋負(fù)載事件或瞬變期間發(fā)生的過(guò)壓情況的影響。有時(shí),OVP器件的基本應(yīng)用電路不足以滿足特定應(yīng)用;以下是兩種常見(jiàn)的...
開(kāi)關(guān)電源測(cè)試小訣竅——如何正確使用示波器
在FAE的日常工作中經(jīng)常收到有用戶反饋:明明系統(tǒng)已經(jīng)正常運(yùn)行,但是在測(cè)試量化波形數(shù)據(jù)時(shí)得到的結(jié)果卻不盡人意,為何會(huì)產(chǎn)生如此出入呢?問(wèn)題可能出在測(cè)試方法和...
2023-05-08 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源示波器 1005 0
副邊同步后置穩(wěn)壓器為多輸出隔離電源提供精密調(diào)節(jié)和高效率
LT3710 控制器為多輸出隔離式電源應(yīng)用帶來(lái)了簡(jiǎn)單性、高效率和精準(zhǔn)的調(diào)節(jié)。LT?3710 是一款特殊的同步降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器,具有雙通道 N 溝道 ...
2023-05-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 1485 0
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