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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC MOSFET模塊串?dāng)_問題及應(yīng)用對策
針對SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題,文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測 量波形進行對比,有效減小測量誤差;然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵...
設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)
我們將討論設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù),還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為什么MOSFET更...
SSR 或固態(tài)繼電器是高功率電氣開關(guān),無需機械觸點即可工作,而是使用 MOSFET 等固態(tài)半導(dǎo)體來切換電氣負(fù)載。
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器SSR 5382 0
ASDM40P55KQ還具備其他令人印象深刻的特性。它具有低開關(guān)電阻和快速開關(guān)速度,可以在高電流負(fù)載下提供穩(wěn)定和可靠的性能。通過使用ASDM40P55K...
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET電源管理負(fù)載開關(guān) 965 0
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理,還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時的特性,會出現(xiàn)與結(jié)型場效應(yīng)晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區(qū)域。
智能配電盒一般會將E-fuse和繼電器組合的電氣盒與車身控制器(BCM)集成在一個總的控制單元上,這樣能夠大大減少傳統(tǒng)設(shè)計中BCM和配電盒之間大量的導(dǎo)線...
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET控制器車身控制系統(tǒng) 4457 0
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性,在充電樁及太陽能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關(guān)頻率高達幾百K赫茲,門極驅(qū)動的設(shè)...
圖文并茂告訴你MOSFET的驅(qū)動技術(shù)有哪些?
MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET,您可以輕松地實現(xiàn)單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān),以隔離電路的一部分,并在電路其余部分關(guān)閉時從次級電源為其供電,以...
2023-05-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET單刀雙擲開關(guān) 6739 0
什么是800V高壓系統(tǒng)?800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動力和系統(tǒng)架構(gòu)分析
800V高壓系統(tǒng)的稱呼源自于整車電氣角度。當(dāng)前主流新能源整車高壓電氣系統(tǒng)電壓范圍一般為230V-450V,取中間值400V,籠統(tǒng)稱之為400V系統(tǒng);而伴...
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進...
一文搞定開關(guān)電源紋波的產(chǎn)生、測量及抑制
開關(guān)電源紋波不可避免,我們最終的目的是要把輸出紋波降低到可以忍受的程度,達到這個目的最根本的解決方法就是要盡量避免紋波的產(chǎn)生,首先要清楚開關(guān)電源紋波的種...
2023-05-30 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 2296 0
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